长鑫预计在2021年完成低功耗高速率17nm工艺内存芯片
在2019年，国内的内存以及闪存领域分别有一个重大的突破，长江存储量产64层3D闪存，合肥长鑫则量产了DDR4内存，而后者在2020年有望成为全球第四大DRAM内存芯片厂。
在DRAM内存芯片市场上，三星、SK海力士和美光三大公司占据了95%以上的市场份额，其中三星占据44%左右、SK海力士占比约30%、美光则占比21%左右。
目前，排在全球第四的内存芯片厂商是南亚科技，但是，只有3%的份额，其产能不过7万片晶圆/月。
据悉，合肥长鑫将会在今年年底产能达到7万片晶圆/月，这样意味着他们将有希望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂。
但是，即便可以达到7万片/月，合肥长鑫还是与前三名有不小的差距。
据了解，长鑫预计在2021年完成17nm工艺内存芯片，可以继续提升内存的存储密度。
根据官方信息显示，以长鑫为代表的安徽半导体行业，在未来的2-3年内将会推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，主要会面向中高端移动、平板机消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，并且继续研发先进低功耗高速率LPDDR5产品并实现产业化。
责任编辑:pj
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