国家存储器基地成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片
近日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工，据悉，国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，这项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
据了解，国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设，目前，32层、64层存储芯片产品已经实现了稳定的量产，并且成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片。
该项目中计分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资额达到240亿美元。
这在之中，国家存储器基地项目一期主要将会实现技术头破，并且建成10万片/月产能，二期则规划了20万片/月的产能，在两期同时稳定量产之后，国家存储器基地项目月产能将会超过30万片/月。
存储器是信息系统的基础核心芯片，它能代表集成电路产业规模经济效益和现金的制造工艺，在近年来，内存、SSD、显卡价格数次上涨，此次，国家存储器基地项目二期，将会有效的降低国内半导体产品的成本同时，并促进国内半导体进一步的发展。
责任编辑:pj
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