SK海力士将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存业务-德赢Vwin官网网

SK海力士于今（20）日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。SK海力士将依规定向中、美、韩等国政府机关申请许可，预计在2021年底前完成收购，TrendForce旗下半导体研究处指出，此合并案将有望令两家公司在enterprise SSD领域发挥综效，并开启NAND Flash产业整并序幕。

TrendForce数据显示，SK海力士与Intel在今年第二季的营收市占率为11.7%及11.5%，分别位于第四名及第六名。若以产品竞争力详细区分，以2019年来看，SK海力士在NAND Flash的强项为mobile领域，其中包含eMCP以及eMMC产品，占SK海力士总NAND Flash营收达60%以上。而Intel长年于enterprise SSD领域表现特别优异，不但与Samsung（三星）并驾齐驱，且中国大陆市占甚至超过五成，以NAND Flash所有终端应用而言，enterprise SSD为获利最佳品项。

从产能面来看，SK海力士目前的NAND Flash投片产能全数字于韩国；Intel的NAND Flash产能则全数字于大连。Intel是所有NAND Flash厂商当中最着力推广采用QLC结构的厂商，预计今年年底前将占其产出逾30%。从技术面来看，目前Intel仍坚持以Floating Gate为3D NAND Flash的主要生产结构，不同于SK海力士等其他厂商所采用的Charge Trap结构，在蚀刻的技术难度上有相当差异。

SK海力士取得Intel的3D NAND Flash产能以后，将在enterprise SSD领域的竞争力将大幅跃升，后续应着墨的应是如何在Intel与 SK海力士的不同产品架构之间取得平衡，以达最大综效。预计SK海力士在取得Intel产能以后，其NAND Flash市占将达20%以上，超越原先排名第二的Kioxia（铠侠），排名仅次于龙头Samsung。需要特别留意的是，此次收购案仅限于3D NAND Flash相关技术与产能，并不包含近期相当受到市场关注的新兴内存技术3D-XPoint。
责任编辑:tzh

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

NAND

NAND

+关注

关注
16

文章
1681

浏览量
136117
三星电子

三星电子

+关注

关注
34

文章
15859

浏览量
180981
3D

3D

+关注

关注
9

文章
2875

浏览量
107479
SK海力士

SK海力士

+关注

关注
0

文章
958

浏览量
38475

SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即

韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生

发表于 08-02 16:56 •1085次阅读

SK海力士宣布68亿美元半导体园区投资计划

韩国SK海力士宣布投资9.4万亿韩元（约合68亿美元）用于建设新的半导体园区，该园区将拥有四座最先进的晶圆厂和一个综合合作场地。

发表于 07-31 11:14 •534次阅读

SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资

据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为

发表于 07-30 17:35 •959次阅读

SK海力士斥资68亿美元打造全球AI芯片生产基地

全球领先的内存芯片制造商SK海力士宣布了一项重大投资决策，计划投资约9.4万亿韩元（折合美元约68亿）在韩国龙仁市兴建其国内首座专注于AI芯

发表于 07-29 11:28 •492次阅读

SK海力士计划斥资68亿打造芯片制造基地

全球知名的内存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一项重大投资决策，计划斥资约9.4万亿韩元（折合美元约为68亿）在韩国龙仁市兴建其国内首座芯片

发表于 07-27 13:48 •790次阅读

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出，SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起，每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存（HBM）市场的领军企业，

发表于 05-30 10:27 •787次阅读

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光

发表于 05-22 14:54 •564次阅读

SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着

发表于 05-09 11:00 •592次阅读

SK海力士AI芯片市场需求推动市值破千亿美元

截至撰稿时，SK海力士在韩国首尔证券交易所的每日收盘价为186，000韩元。据当地分析师指出，SK海力士如今在高带宽储存（HBM）市场中的占

发表于 04-01 16:54 •596次阅读

刚刚！SK海力士出局！

在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力

发表于 03-27 09:12 •605次阅读

SK海力士重组中国业务

SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的

发表于 03-20 10:42 •1352次阅读

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过1

发表于 03-08 10:53 •1213次阅读

SK海力士斥资10亿美元，加码先进芯片封装研发以满足AI需求

据封装研发负责人李康旭副社长（Lee Kang-Wook）介绍，SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装技术。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因，实现了低功耗、提升性

发表于 03-07 15:24 •691次阅读

铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器，推动合作达成

去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D

发表于 02-18 16:06 •524次阅读

SK海力士加大高带宽内存生产投入

SK海力士近日宣布，将进一步扩大高带宽内存生产设施的投资，以满足高性能AI产品市场的不断增长需求。

发表于 01-29 16:54 •961次阅读

搜索历史

SK海力士将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存业务

评论

SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即

SK海力士宣布68亿美元半导体园区投资计划

SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资

SK海力士斥资68亿美元打造全球AI芯片生产基地

SK海力士计划斥资68亿打造芯片制造基地

SK海力士HBM4芯片前景看好

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

SK海力士AI芯片市场需求推动市值破千亿美元

刚刚！SK海力士出局！

SK海力士重组中国业务

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士斥资10亿美元，加码先进芯片封装研发以满足AI需求

铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器，推动合作达成

SK海力士加大高带宽内存生产投入