英飞凌新品：采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiCMOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。

了解使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表，详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器-电机一体化，以及低功率紧凑型充电器解决方案。

CoolSiC沟槽MOSFET技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有3µs的短路时间。由于采用.XT连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，.XT连接技术可多消散30%的额外损耗。该全新CoolSiC .XT产品系列表现出一流的热性能和循环能力：与标准连接技术相比，输出电流最多提高14％，开关频率提高一倍，工作温度则降低10-15°C。

特 性

开关损耗极低

短路时间3µs

完全可控dV/dt

典型栅极阈值电压，VGS(th) =4.5V

不易寄生导通，可选用0V关断栅极电压

坚固耐用的体二极管，实现硬开关

.XT连接技术，实现一流的热性能

为1200V优化的SMD封装，其爬电距离和电气间隙在PCB上>6.1mm

Sense引脚，可优化开关性能

应用示意图

优 势

效率提升

实现更高频率

增大功率密度

减少冷却设计工作量

降低系统复杂性并降低成本

SMD封装能直接集成于PCB，采用自然对流冷却方式，无需额外的散热器

目标应用

电机驱动

基础设施-充电桩

发电-太阳能组串式逆变器和优化器

工业电源–工业UPS

竞争优势

无风扇驱动

实施被动冷却

最高效率，无需散热器

通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案

SMD集成于PCB，采用自然对流冷却方式，仅有热通孔

电机和逆变器一体化

采用具备大爬电距离和电气间隙的SMD封装的1200V器件符合安全要求

责任编辑：xj

原文标题：新品 | 采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET

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