为何EUV光刻机会这么耗电呢-德赢Vwin官网网

EUV（极紫外光）光刻机，是目前半导体产业已投入规模生产使用的最先进光刻机类型。近来，有不少消息都指出，EUV光刻机耗电量非常大，甚至它还成为困扰台积电的一大难题。

为何EUV光刻机会这么耗电呢？OFweek君根据公开资料整理出了一些原因，供读者参考。

与DUV（深紫外光）光刻机相比，EUV光刻机的吞吐量相对较低，每小时可曝光处理的晶圆数量约在120片－175片之间，技术改进后，速度可以提升至275片每小时。但相对而言，EUV生产效率还是更高，原因在于1层EUV晶圆通常可以代替3－4层DUV晶圆。

据悉，晶圆制造采用的主流光源是氩氟激光，波长为193nm，而极紫外光的波长只有13．5nm，EUV光刻即以其作为光源。

EUV耗电量高的原因主要有几个方面：

一，要激光高功率的极紫外光，需要通过功耗极大的激光器，这个过程会产生大量热量，因此也需要优秀且完备的冷却、散热系统来保证设备正常工作，而激发极紫外光和冷却散热都需要消耗大量电力。

二、光前进到晶圆的过程中，需要经过十几次反射镜修正光路方向，而每经过一次反射，会有约30％的损耗，最终大约只有不到2％的光线到达晶圆。过程中损耗的能量，也大量会转化成热量，这又带来大量的散热工作，又转化成电力消耗。

三，晶圆厂产能很多时候吃紧，为提高产能，晶圆厂会进一步提升光源功率，从而提升曝光的节奏，这又带来更多的用电。

综合而言，EUV光刻机的耗电问题，本质是从光源激发到晶圆生产过程中极低的能源转换率。

责任编辑：xj

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

晶圆

晶圆

+关注

关注
52

文章
4890

浏览量
127930
光刻机

光刻机

+关注

关注
31

文章
1150

浏览量
47377
EUV

EUV

+关注

关注
8

文章
605

浏览量
86004

光刻机巨头ASML业绩暴雷，芯片迎来新一轮“寒流”？

德赢Vwin官网网报道（文/黄山明）作为芯片制造过程中的核心设备，光刻机决定着芯片工艺的制程。尤其是EUV光刻机已经成为高端芯片（7nm及以下）芯片量产的关键，但目前EUV

发表于 10-17 00:13 •2742次阅读

纳米压印光刻技术应用在即，能否掀起芯片制造革命？

德赢Vwin官网网报道（文/李宁远）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻机和光刻技术。而众所周知，EUV光刻机产能有限而且成本高昂，业界一直都在探索不完全依赖于

发表于 03-09 00:15 •4149次阅读

纳米压印<b class='flag-5'>光刻</b>技术应用在即，能否掀起芯片制造革命？

日本首台EUV光刻机就位

据日经亚洲 12 月 19 日报道，Rapidus 成为日本首家获得极紫外 (EUV) 光刻设备的半导体公司，已经开始在北海道芯片制造厂内安装极紫外光刻系统。它将分四个阶段进行安装，设备安装预计在

发表于 12-20 13:48 •39次阅读

日本首台<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻机</b>就位

用来提高光刻机分辨率的浸润式光刻技术介绍

本文介绍了用来提高光刻机分辨率的浸润式光刻技术。芯片制造：光刻技术的演进过去半个多世纪，摩尔定律一直推动着半导体技术的发展，但当光刻机的光源波长卡在193nm，芯片制程缩小至6

发表于 11-24 11:04 •433次阅读

用来提高<b class='flag-5'>光刻机</b>分辨率的浸润式<b class='flag-5'>光刻</b>技术介绍

光刻机的工作原理和分类

本文介绍了光刻机在芯片制造中的角色和地位，并介绍了光刻机的工作原理和分类。 光刻机：芯片制造的关键角色 光刻机在芯片制造中占据着至关重要的地位，被誉为芯片制

发表于 11-24 09:16 •945次阅读

今日看点丨 2011亿元!比亚迪单季营收首次超过特斯拉；三星将于2025年初引进High NA EUV光刻机

1. 三星将于2025 年初引进High NA EUV 光刻机，加快开发1nm 芯片据报道，三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这标

发表于 10-31 10:56 •807次阅读

日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术

近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）发布了一项重大研究报告，宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外（EUV）光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体制造业的标准界限，其设计的光刻设备能够采用更小巧的

发表于 08-03 12:45 •978次阅读

Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意，未采用高NA EUV光刻机

在全球四大先进制程代工巨头（包括台积电、三星电子、英特尔以及Rapidus）中，只有英特尔明确表示将使用High NA EUV光刻机进行大规模生产。

发表于 05-27 14:37 •634次阅读

ASML考虑推出通用EUV光刻平台

范登布林克指出，更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说，Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，避免因使用 High NA 光刻机进行双重图案化导致的额外步骤及风险。

发表于 05-23 09:51 •440次阅读

台积电A16制程采用EUV光刻机，2026年下半年量产

据台湾业内人士透露，台积电并未为A16制程配备高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下，英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-N

发表于 05-17 17:21 •973次阅读

ASML发货第二台High NA EUV光刻机，已成功印刷10nm线宽图案

ASML公司近日宣布发货了第二台High NA EUV光刻机，并且已成功印刷出10纳米线宽图案，这一重大突破标志着半导体制造领域的技术革新向前迈进了一大步。

发表于 04-29 10:44 •803次阅读

英特尔突破技术壁垒：首台商用High NA EUV光刻机成功组装

英特尔的研发团队正致力于对这台先进的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻机进行细致的校准工作，以确保其能够顺利融入未来的生产线。

发表于 04-22 15:52 •909次阅读

光刻机的发展历程及工艺流程

光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次从接触接近式光刻机

发表于 03-21 11:31 •6212次阅读

ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装

3 月 13 日消息，光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装，新机型将带来更高的生产效率。 ▲ ASML 在 X 平台上的相关动态

发表于 03-14 08:42 •543次阅读

光刻胶和光刻机的区别

光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。

发表于 03-04 17:19 •4692次阅读

搜索历史

为何EUV光刻机会这么耗电呢

评论