离子注入工艺原理介绍
四十五所作为国内最大的湿化学设备供应商之一，其设备涵盖了半导体制造几乎所有的湿化学制程，包括：金属刻蚀、深硅刻蚀、二氧化硅刻蚀、RCA清洗、酸洗、有机清洗、去胶、显影、去蜡、制绒、高温侧腐、电镀等。设备操作模式包括全自动、半自动和手动，能根据客户的产能要求、自动化程度、工艺需求等定制最佳的配置方案。
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原文标题：PPT | 离子注入工艺原理介绍
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华瑞微电子科技荣获离子注入机专利
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凯世通交付首台面向CIS的大束流离子注入机
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隧道效应，又称沟道效应，对晶圆进行离子注入时，当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的碰撞，而是将沿沟道（原子之间的缝隙）运动并且很少受到原子核的碰撞
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