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存储器的分类

1RAM

Random-Access-Memory，随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。

2PSRAM

Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。

3单双端口RAM

单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。

4ROM

Read-Only-Memory，只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。

5CACHE

高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。

6TCM

Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合（链接）的存储器，是指和处理器链接紧密，基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间（印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次），其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。

7EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。

8FLASH

闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH，一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。

对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。

9FRAM

铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它能在非常低的电能需求下快速地存储，在消费者的小型设备中得到广泛地应用；FRAM的特点是速度快，读写功耗极低并可以像非易失性存储器一样使用，因受铁电晶体的固有缺点访问次数是有限的，超出限度，将不再具有非易失性，但仍可象普通RAM一样使用。

10eMMC

embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF（trans-flash）卡一样的使用接口。

11硬盘

传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

编辑：lyn

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存储器

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原文标题：ST热销新品 M95M04 4MB串行EEPROM存储器

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