季丰电子IC运营工程技术快问快答01-德赢Vwin官网网

一般塑封最小的die尺寸是多少呢？0.4mm*0.4mm这么小的可以封装吗？

可以做的。

PTC测试有谁了解吗？实验是否需要加压？

需要加电压，详细测试条件可以参考：JESD22-A105。

3.3V的IO如果不小心上了5V的电压去通信，对芯片可靠性上会不会有影响？主要是想评估下可靠性方面有没有风险？

先看看IO管脚耐压规范。如果ATE电流限流很小，可以认为不受影响。尤其复测3.3v的电流和漏电没什么变化，但是如果真的有变化，可以用HTOL来衡量。

DAF过期使用会有什么风险？大家是否有lesson learn？

下图是签核的蓝膜过期风险函，可以参考下。

做hast用的电容一般选择哪类温度系数的呢，X7R可以吗？升压或储能要用到电容，贵又不好找，想看看大家的经验？

选X7R、X5R就可以，像C0G/NP0不同温度下电容值稳定性最好，缺点太贵，Z5U/Y5V系列就不要选了，不同温度下，电容值差异太大；X7R、X5R性价比比较高，可以满足对大部分商业用途。

若是温度有限制，可以选择X8R。X表示最低温度-55， 8表示150℃，详情可参考下图，可以在红框中选择，容值大小要考虑极限值是否满足你的需求，比如，130℃容值降低10%，误差15%，都要考虑在内。

车规主要五大指标是什么？

（1） Long Lifetime 》=15 years ， Reliability test follow AEC_Q100；

（2） Low Defect rate： Zero defect；

（3） Strict Operation Environment Grade0~3 （-40℃~85/105/125/150℃）

（4） Function Safety ISO26262；

（5） Quality Control IATF16949/PPAP/APQP。

55℃/ 92%RH 16hr是什么测试？

从55℃的温度看，不是标准IC的rel测试条件，应该是模组或者其他成品的高温高湿测试，比如有不耐更高温度的塑料件。只含标准IC和基于PCB的模组可靠性实验可以参考下图。

从图片上来看，像是类似模组产品出货前的HASS测试（High Accelareted Stress Screen高加速应力筛选）；产品上有对某种环境应力敏感的缺陷，出货前全部筛选测试一遍。HASS测试条件要根据之前对产品上该缺陷的HALT测试的结果来具体定义（High Accelarated Limit Test高加速极限测试）。

打ESD 的时候一般怎么选择机型，是根据测试项目区分是吗？比如MK2 for HBM/LU等，CDMfor Orion2 HR等。还有一款是Thermo Keytek Zapmaster7/4，这个和MK2/MK4有什么区别吗？

Zap master 是90年代的机台了，对于现在的高阶的制程测试ESD是有Bug，也就是尾波trailing pulse，会打死芯片。目前主流还是MK2/MK4，而MK2 和MK4测试项目能力上都是一样的，HBM 都是可以到8000V，只不过MK4通道的数量上更多，可以提供的Power supply 更多，不超过768 Pin的IC 都是可以直接选MK2即可。

IC因为测试过压导致有轻微损伤，具体表现是OS测试值比正常批次相比存在偏差，正常批次测OS电流为100uA，测到电压0.5V左右，异常IC会在0.54V左右，但FT功能测试正常。对于这类暗伤对IC寿命的影响，有没有一些数据或者经验。另外，是否可通过可靠性实验验证，具体做什么可靠性的验证？

最好取边缘值芯片做一下HTOL1000，或者拿直接失效芯片做一下物理分析，查明失效位置。那么出货芯片同样位置预期会出现类似问题。批次比较大的话直接做ELFR评估，把ppm先估算出来。

估算好ppm，客户端出问题的话能不能接受这个ppm的失效。如果给客户许诺的不良率能包的住，问题不大。

如果这个芯片正常3.0v～3.6v都能工作。受损的芯片有可能工作范围缩小，比如要3.2v才能工作。这个已经不是可靠性问题，可能性能已经不满足datasheet承诺的spec。从测试现象上看，OS测试电压都偏高，二极管如果正向导通电压不变，但测得的整体电压高了，可能主要是path上电阻增加了。比如说原来是0欧姆的，烧过后变成400欧姆，那抽100uA是就会压降偏高0.04v。FT只是GoNoGo的测试，test coverage有限，特别是对这种异常情况，不能用来判断芯片是好还是坏，要完整的判断，需要去做char。

Q10

有个摄像头模组的玻璃镜片，需要检测连接玻璃的胶水，胶水是环氧树脂的，用X-RAY，照照不出来？

要看胶水的厚度，胶水薄了，需要高解析度的高频探头。10微米的厚度可能还可以抓出来，再薄就比较难了。

另外，也要看玻璃的厚度。如果玻璃太厚了，高频探头穿透能力会弱。

Q11

哪位帮忙解答下上面的加速因子怎么取值？

简单的方法：你的芯片是在哪家foundry生产的，找对应的CE去要；复杂一点的，可以自己设计一个实验来测试。foundry通常也是通过device TDDB测试的结果做weibull分析得到电压加速常数。

Q12

基板的芯片和框架的芯片做HAST环境会做区别吗？

HAST就两个标准。如果基板上的芯片如果是BGA封装的话，hast选用的测试条件应该只能是110摄氏度，85%RH，264h吧。这个在jesd47标准中有提到。

Q13

有用“半导体制冷”的小型设备给芯片做高低温实验的设备吗？QFN 6×6 到 10 ×10的芯片，温度可以到-40℃吗？