季丰电子IC运营工程技术快问快答03-德赢Vwin官网网

产品客户在上板后测试功能异常2%，拆下的不良品开盖发现芯片表面皲裂，有可能是那个环节出了问题？严重的芯片背面也裂。

顶针工位导致的可能性最大，检查蓝膜上顶针痕迹，看看是不是顶偏了，存在开始痕迹不明显，应用过程加剧，回流焊应力可以加剧恶化，可以抽样去做回流，然后复测一下，如果回流焊一片都没有发现，那就继续切片看下不同裂纹的走向，以及排查装配过程是否单板大的硬件，以及是否离螺钉位的距离，总之既要从材料生产过程排查，又要从应用层面出发

总结：关于芯片Die裂开这个问题，大概有这几种可能：

1. 芯片内部有应力，过高温炉加大了应力，导致裂开。

2. 客户高温炉温度设定超标。

3. Wafer的设计或者生产工艺不合理。

4. 曲线设计不合理（如温升、温降、保持）

有没有可以使用INCAL老化板做LTOL的资源？

如果金手指要插到INCAL机器里，国内应该没有，第三方实验室只有季丰有INCAL老化炉

LFBGA产品，球径0.4，pitch0.8，FT时对不良品进行3次复测，然后将若干枚失效样品放入袋子里混装寄出。拿到样品后，发现袋子里有脱落的锡球。这个锡球脱落正常吗？结合力有这么脆弱吗？哪个标准是验证ball的结合力的？

放在袋子里混装寄出的操作不太规范。如果怀疑结合力弱，可以做锡球推拉力实验。

参考标准：JESD22-B115A，JESD22-B117B

请教一下可靠性方面的专家，请问HTOL实验的样品数量是依据什么确定的？

参考文献：LTPD，JESD47

一般大家客户要求的抽检不良率会要求到多少PPM（非汽车电子）

1000-3000PPM，这边需求的标准指的是会写在采购框架合同上的，实际上千分之1-3确实可能比较高了，但是肯定是想给自己留buffer的。工业级这个标准要求还可以。

一般来说，客户报告的不良率会比真实不良率高很多。一个原因是因为基数可能太少。另外一个原因是因为客户会拿 fail芯片除以本次测试的数量，导致整体DPPM偏高。

DPPM在设计端和coverage强相关，其中数字coverage比较好统计，vwin coverage有什么方法或工具可以统计吗？

数字部分存储部分模拟部分都要评估测试覆盖率，包括hard defect 还有soft defect（EFR need ATE DVS rescreen）

参考标准：J1752_3_201709

请教下相同测试项经过CP测试的，FT阶段出现很高比例的电性参数偏小失效，一般有什么可能情况？这个封装厂同期同封装其他型号无异常，而且此型号前期未出现此良率异常现象。有没有可能和wafer工艺或trim有关，此电压参数CP测试涉及trim。如果这个IC加热一段时间后，电压正常了，这一般是什么可能？

CP和FT数据不一致，主要原因是封装的电性影响和应力影响。至于具体原因还需要具体案例和数据才能分析，考虑下封装应力，取die出来再测下，当然还有其他因素。

如果是CP trim，然后FT在相同条件测试Post Trim结果，然后CP post trim 比FT post trim要小的话可以考虑看看是不是上面他们说的CP测试机台或者硬件问题导致CP测试结果实际上出现shift，但是从data 上看正常，结果到FT就反映出这个shift了。这个对比一下正常wafer和异常wafer批次的pre trim分布应该可以看出是否是这种情况。

建议CP测试完后bake 一下，模拟封装需要的bake，再来测试CP trim，验证是否是ft/CP测试差异。有遇到过fab 漏做一道工艺导致bandgap 电压trimming 后的电压ft 时发生变化

谁有了SRM转塔机测试如何防esd打坏芯片的规避方案吗。

ask handler vendor

请教下大家，relaxation effects指的是什么？

驰豫效应，简单点说就是从非平衡态恢复到平衡态的这个过程，内在计算挺复杂，参考半导体物理

Q10

请问 ‘Cosmetic package defects and degradation of lead finish’怎么理解？

这是HTSL JEDEC标准，外观缺陷和引脚电镀缺陷

Q11

请教一下关于EFUSE烧写fail的问题，在BI后我们在ATE测试的时候发现有3颗读EFUSE check的fail，分别fail在不同的block，都是0-1跳变。看了历史数据，测试过200K都没有这种fail，一般是什么原因？现在也没方向，到底是在老化阶段出现的误接触电源导致的二次烧写，还是ATE阶段被二次烧写？

嵌入式的EFUSE特别容易在ATPG等多个老化pattern运行及切换中发生变化。往往不是efuse问题。设计难以解释此现象，一般认为跟ATPG的随机现象相关。建议把其它pattern的老化和EFUSEpattern分开，做两次老化。也是一些公司的常用方法。

之前遇到一个一模一样的问题，解决方案可供参考：用的是UMC的EFUSE IP，做HTOL时发生EFUSE改写，最后分析出由scan pattern 引起的，你看看你的scan pattern 是不是电流较大，然后在BI过程中与其它电流较小的pattern是串在一起？这样切换时容易引起较大电流振荡，地上会不干净。另外，要研发看看scan pattern跑的过程中是不是会有一些逻辑电路有概率同时碰到EFUSE的power supply pin已经write enable pin。我们当时看过，约有40万分之一的概率会导致改写，所以如果不停跑scan pattern可能每隔150小时有机会出来一个fail。当然终极原因是UMC的IP的设计冗余不够。

Q12

有什么的好的方法，可以满足bHAST的正常试验，从外界材料上面？或者考虑电压周期性拉偏，应该怎么样去拉偏？

bHAST只是做直流拉偏，是在相邻管脚加上正负电压，以形成电势差。但是设计只允许拉高或拉低的管脚除外，比如电源和地等。不跑pattern。参考jedec规范的注解。

因为条件的问题，普通的FR4材料往往因为材料密度疏松，引起楼电，严格的公司固定bHAST不能用bHAST板材。这会增加PCB成本，但是真正的可靠性工程师应该包容这个成本。

编辑：jq

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