碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法-德赢Vwin官网网

摘要

本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和大约200V之间或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外，碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团，然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。

技术领域

本文的第一方面通常涉及在衬底表面上沉积碳化硅层或薄膜的方法。在第一方面的特定实施例中，本文涉及利用有机硅烷前体化合物的原子层沉积工艺。本文的第二方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中，该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体，并通过第二组通道输送前体和其他气体。在第三方面，形成碳化硅层的方法可以在根据第二方面描述的设备中执行。

实验

一般来说，将含有Si、C、H的种子膜暴露于含N的等离子体中对生成膜是有效的。如果被处理的薄膜中含有很少的H，也可以在等离子体混合物中添加少量的氢，以促进产生更多的N-H键合。可以根据等离子体功率、暴露时间和温度对膜中硅与碳的比例进行调整。通过利用含有较高初始比值的前驱体，可以增加C与硅的比值。一般来说，在两个硅原子之间的桥接位置上含有碳的碳硅烷前体可以被溶剂化成碳化物型陶瓷，并有效地保留碳。另一方面，在前体不包含桥接碳原子的情况下，碳没有保留的程度。例如，基于甲基硅烷的前体发生碳损失。

设备和方法

本文的一方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中，该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体，并通过第二组通道输送前体和其他气体。所描述的设备和方法本发明的又一方面涉及一种工艺顺序，该工艺顺序包括在循环沉积或原子层沉积工艺期间在向衬底输送等离子体和向衬底表面输送前体之间交替进行。前驱脉冲和等离子体之间的切换使用快速切换过程来执行G在一个或多个实施例中，ALD工艺用于制造金属、金属氧化物、氮化物、碳化物、氟化物或其它层薄膜。在具体的实施例中，快速切换过程可用于在基质上形成碳化硅层，这可以通过从等离子体激活步骤开始，诱导提取氢以产生表面不饱和来完成。

总结

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

本文的一个实施例涉及在基底表面上形成碳化硅的方法，包括将具有反应性表面的基底暴露在汽相碳硅烷前体上以在基底表面上形成碳化硅层，其中所述碳硅烷前体包含至少一个桥接至少两个硅原子的碳原子。因此，本文的一个方面指向在衬底表面上形成层的方法，该方法包括提供衬底，将基底表面暴露于包含至少一个碳原子桥接至少两个硅原子的碳原子的碳硅烷前驱体，将汽相碳硅烷前驱体暴露于低功率能量源以在衬底表面提供碳硅烷、使碳硅烷通道密度化并将碳硅烷表面暴露于氮源。在这方面的一个实施例中，使碳硅烷致密包括将衬底表面暴露到包含一个或多个He、Ar和H2的等离子体上。

审核编辑：汤梓红

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

面板

面板

+关注

关注
13

文章
1675

浏览量
53831
设备

设备

+关注

关注
2

文章
4502

浏览量
70598
碳化硅

碳化硅

+关注

关注
25

文章
2748

浏览量
49014
氮化硅

氮化硅

+关注

关注
0

文章
73

浏览量
287

氮化硅薄膜的特性及制备方法

小、化学稳定性好以及介电常数高等一系列优点。本文将主要介绍了氮化硅薄膜的制备方法、特性及其在半导体器件制造中的具体应用，重点对比低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子体增强化学气相

发表于 11-29 10:44 •200次阅读

<b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b>的特性及制备<b class='flag-5'>方法</b>

氮化硅薄膜制备方法及用途

一、氮化硅薄膜制备方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶态绝缘体，氮化硅

发表于 11-24 09:33 •214次阅读

sic器件，碳化硅二极管在光伏系统中的成本高吗# #SiC碳化硅 #华燊泰 #光伏

碳化硅

秦仲弘
发布于 :2024年09月25日 17:50:41

碳化硅 （SiC）与氮化镓（GaN）应用 | 氮化硼高导热绝缘片

SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG设备显示出以下优点：1.宽带隙半导体氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2eV

发表于 09-16 08:02 •651次阅读

碳化硅功率器件的工作原理和应用

碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本文将探讨碳化硅功率器件的原理、优势、应用及其

发表于 09-13 11:00 •533次阅读

碳化硅功率器件的优点和应用

碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的基本原理、优点、应用领域及其发展

发表于 09-11 10:44 •496次阅读

碳化硅与氮化镓哪种材料更好

引言 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质，被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环境下的电子器件

发表于 09-02 11:19 •968次阅读

了解用于碳化硅MOSFET的短路保护方法

德赢Vwin官网网站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保护方法.pdf》资料免费下载

发表于 09-02 09:10 •0次下载

碳化硅MOS在直流充电桩上的应用

MOS碳化硅

瑞森半导体
发布于 :2024年04月19日 13:59:52

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌（ZnO）压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻关于EAK碳化硅压敏

发表于 03-08 08:37

碳化硅产业链图谱

、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；半绝缘型衬底可用于生长氮化镓外延片，制成耐高温、耐高频的HEMT 等微波射频器件，主要应用于5G 通讯、卫星、雷达等领域。 碳化硅产

发表于 01-17 17:55 •634次阅读

碳化硅特色工艺模块简介

材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面：注入掺杂在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩

发表于 01-11 17:33 •850次阅读

碳化硅逆变器是什么功能介绍

碳化硅逆变器是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的功率电子设备，主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度

发表于 01-10 13:55 •1574次阅读

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括

发表于 01-09 09:26 •2835次阅读

氮化镓半导体和碳化硅半导体的区别

氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。一、物理特性：

发表于 12-27 14:54 •1808次阅读