1 MOSFET的失效机理-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOSFET的失效机理

罗姆半导体集团 来源:罗姆半导体集团 作者:罗姆半导体集团 2022-03-19 11:10 次阅读

MOSFET的失效机理

本文的关键要点

・SOA是“Safety Operation Area”的缩写,意为“安全工作区”。

・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品

・有五个SOA的制约要素,不满足其中任何一个要素的要求都有可能会造成失效。

什么是SOA(Safety Operation Area)?

SOA是“Safety Operation Area”的缩写,意为“安全工作区”。要想安全使用MOSFET,就需要在SOA范围内使用MOSFET,超过这个范围就有可能造成损坏。在SOA范围之外工作时造成的损坏称为“SOA失效”。例如,SJ MOSFET(Super Junction MOSFET)R6024KNX的SOA如下所示:

SJ MOSFET R6024KNX的SOA

SOA由纵轴上的漏极电流ID和横轴上的漏源电压VDS来表示。也就是说,VDS、ID及它们的乘积(功率损耗PD)、以及二次击穿区决定了MOSFET的安全工作范围。另外,施加功率的脉冲宽度PW也是决定SOA的重要因素。SOA划分为图中所示的(1)~(5)个区域。

SOA的区域划分、限制以及与失效之间的关系

下面介绍一下图中的区域(1)~(5)。

区域(1):漏极电流ID受MOSFET的导通电阻RDS(ON)限制的区域

是指即使施加的VDS小于绝对最大额定值,ID也会受到RDS(ON)限制的区域。根据欧姆定律I=V/R,ID只能流到红线位置。

※图中的区域是VGS=10V时的示例

区域(2):由施加脉冲时漏极电流的绝对最大额定值IDP决定的区域

(2)的绿线是规格书中规定的IDP的绝对最大额定值。当然,绝对最大额定值是绝对不能超过的,因此当IDP超过该值时是无法使用的。如果在超过该值的范围(电流值)使用,由于超出了保证的工作范围,因此可能会造成损坏。

区域(3):热限制区域

这是由MOSFET的容许损耗PD决定的区域。受施加功率的脉冲宽度PW和瞬态热阻的限制。只要在该范围内,Tj通常不会超过绝对最大额定值TjMAX,因此可以安全使用。但是请注意,该线会因环境温度、MOSFET的实际安装条件和散热条件等因素而异。此外,作为开关使用MOSFET时,可能会瞬间被施加高电压和大电流,因此即使在开关的瞬态状态下也必须注意不要超过区域(3)的限制。

区域(4):二次击穿区域

当在施加高电压的状态下流过电流时,元器件内部的局部可能会流过大电流并造成损坏,这称为“二次击穿”。这条线是用来防止造成二次击穿状态的限制线。与区域(3)的热限制区域一样,二次击穿区域也受环境温度等因素的影响。

区域(5):由MOSFET漏源电压的绝对最大额定值VDSS决定的区域

这是规格书中规定的受VDSS限制的区域,如果超过这个区域,就可能发生击穿并造成损坏。需要注意的是,由反激电压和寄生电感引起的电压变化,可能会瞬间超过该限制。

审核编辑:何安

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SOA
    SOA
    +关注

    关注

    1

    文章

    287

    浏览量

    27461

原文标题:R课堂 | 什么是SOA(Safety Operation Area)失效

文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    芯片的失效性分析与应对方法

    老化的内在机理,揭示芯片失效问题的复杂性,并提出针对性的应对策略,为提升芯片可靠性提供全面的分析与解决方案,助力相关行业在芯片应用中有效应对挑战,保障系统的高效稳定
    的头像 发表于 12-20 10:02 406次阅读
    芯片的<b class='flag-5'>失效</b>性分析与应对方法

    塑封器件绝缘失效分析

    塑封器件绝缘失效机理探究与改进策略塑封器件因其紧凑、轻便、经济及卓越的电学特性,在电子元件封装行业中占据着重要地位。但随着其在更严苛环境下的应用需求增加,传统工业级塑封材料和技术的局限性逐渐显现。金
    的头像 发表于 11-14 00:07 198次阅读
    塑封器件绝缘<b class='flag-5'>失效</b>分析

    真空回流焊炉/真空焊接炉——半导体激光器失效分析

    在光电子技术行业中应用广泛。可靠性是半导体激光器应用中的一个重要问题,本文将探讨半导体激光器的失效模式和机理,帮助感兴趣的朋友了解并能预防半导体激光器失效的问题。
    的头像 发表于 11-01 16:37 357次阅读
    真空回流焊炉/真空焊接炉——半导体激光器<b class='flag-5'>失效</b>分析

    预镀框架铜线键合的腐蚀失效分析与可靠性

    集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通过 2 000 h 高温存储试验和高温高湿存储试验,研究预镀框架铜线键合界面的湿腐蚀和干腐蚀
    的头像 发表于 11-01 11:08 1307次阅读
    预镀框架铜线键合的腐蚀<b class='flag-5'>失效</b>分析与可靠性

    真空回流焊炉/真空焊接炉——LED失效分析

    LED的失效模式有多种形式,本文将分析LED的几种主要失效模式的机理帮助大家了解,以便提前规避来提高LED的质量。
    的头像 发表于 10-22 10:42 326次阅读
    真空回流焊炉/真空焊接炉——LED<b class='flag-5'>失效</b>分析

    广电计量|功率场效应管过压失效机理及典型特征分析

    失效分析最常观察到的现象是EOS过电失效,分为过压失效及过流失效的两种失效模式。对于以功率器件为代表的EOS过电
    的头像 发表于 09-18 10:55 907次阅读
    广电计量|功率场效应管过压<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>机理</b>及典型特征分析

    晶闸管的失效模式与机理

    电路性能下降甚至系统瘫痪。因此,深入了解晶闸管的失效模式与机理,对于提高电路设计的可靠性具有重要意义。本文将从晶闸管的基本原理出发,详细探讨其失效模式与机理,并结合相关数字和信息进行说
    的头像 发表于 05-27 15:00 1210次阅读

    SiC MOSFET短路失效的两种典型现象

    短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用,其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。
    发表于 04-17 12:22 2061次阅读
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>短路<b class='flag-5'>失效</b>的两种典型现象

    雪崩失效的原因 雪崩能量的失效机理模式

    功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
    的头像 发表于 02-25 16:16 1953次阅读
    雪崩<b class='flag-5'>失效</b>的原因 雪崩能量的<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>机理</b>模式

    MOSFET雪崩击穿图解 MOSFET避免雪崩失效的方法

    当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后,芯片最终会损坏,然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
    的头像 发表于 02-25 15:48 4345次阅读
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>雪崩击穿图解 <b class='flag-5'>MOSFET</b>避免雪崩<b class='flag-5'>失效</b>的方法

    电解电容的失效原因和机理

    电解电容是一种常见的电子元件,用于存储电荷和能量。在电路中,电解电容起着重要的作用,但在使用过程中可能会出现失效的情况。本文将介绍电解电容的失效原因和机理。 一、失效原因 过电压:如果
    的头像 发表于 01-18 17:35 3480次阅读
    电解电容的<b class='flag-5'>失效</b>原因和<b class='flag-5'>机理</b>

    电阻器的失效模式有哪些

    电阻器是一种常见的电子元件,用于限制电流的流动。在电路中,电阻器起着重要的作用,但在使用过程中可能会出现失效的情况。本文将介绍电阻器的失效模式和机理。 一、失效模式 开路
    的头像 发表于 01-18 17:08 2985次阅读
    电阻器的<b class='flag-5'>失效</b>模式有哪些

    MOSFET常见的失效机理

    SOA是“Safety Operation Area”的缩写,意为“安全工作区”。要想安全使用MOSFET,就需要在SOA范围内使用MOSFET,超过这个范围就有可能造成损坏。
    发表于 01-06 11:31 521次阅读
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>常见的<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>机理</b>

    什么是宇宙射线?宇宙射线导致IGBT失效机理

    众所周知,IGBT失效是IGBT应用中的难题。大功率IGBT作为系统中主电路部分的开关器件,失效后将直接导致系统瘫痪。宇宙射线作为一个无法预知的因素,可能就是导致IGBT发生意外故障的关键。
    的头像 发表于 12-27 09:39 2089次阅读
    什么是宇宙射线?宇宙射线导致IGBT<b class='flag-5'>失效</b>的<b class='flag-5'>机理</b>

    IGBT模块失效机理的两大类分析

    变压器结电容相对于电压变化率过大,导致的耦合电流干扰问题。这个问题导致的后果是,输出逻辑错误,控制电路被干扰,电路失效等。
    发表于 12-22 09:43 677次阅读