季丰最新引进GK-HTRB-C16/CH8机台,新机台的能力完全满足大部分功率器件HTRB测试的要求,功率可靠性测试的产能将大幅提高,有需要的客户可以联系我们的销售。新引进的设备的适用范围,符合标准,技术特点如下:
适用范围
•系统能满足各种封装形式的Si/SiC/GaN 材料的 IGBT /DIODE /MOSFET /HEMT /BJT /SCR 等器件的HTRB 试验。
符合标准
•试验线路及试验方法满足JESD22-101、MIL-STD-750 Method 1038及AEC-Q101、GJB128A 等试验标准要求。
技术特点
•数据库加载导入,自动完成试验过程,方便操作使用;
•被试器件DUT老化电源采用分区统一供给,程控方式;
•实时监控每个器件的漏电流IR,可输出试验报表并描绘出 完整的变化曲线;
•系统具有数据自动备份功能,意外断电数据不会丢失;
•可根据用户的需求,定制各种老化板及测试程序
HTRB:设备能力
HTRB介绍:
HTRB是分立器件可靠性最重要的一个试验项目,其目的是暴露时间、应力相关的缺陷,这些缺陷通常是钝化层的可移动离子或温度驱动的杂质。半导体器件对杂质高度敏感,制造过程中有可能引入杂质。杂质在强电场作用下会呈现加速移动或扩散现象,最终杂质将扩散至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后,杂质可能迁移到晶片内部导致失效,HTRB试验可以使这些失效加速呈现,排查出异常器件。
基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃,高于一般测试标准的150℃。器件175℃的环境温箱里被施加80%的反压,会出现漏电现象。如果在1000小时内漏电参数未超出规格底线,且保持稳定不发生变化,说明器件设计和封装组合符合标准。
原文标题:季丰新增加HTRB机台了
文章出处:【微信公众号:上海季丰电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
审核编辑:汤梓红
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