晶体管 BJT 和MOSFET 都适用于放大和开关应用。然而,它们具有显着不同的特征。
双极结型晶体管 (BJT)双极结型晶体管,通常称为 BJT,从结构上看,就像两个背靠背连接的 pn 结二极管。BJT由三个端子组成,即发射极(Emitter,E)、基极(Base,B)和集电极(Collector,C)。双极结型晶体管根据结构,双极结型晶体管分为 NPN 和 PNP 晶体管。在 NPN 晶体管中,薄薄的一层 p 型半导体夹在两个 n 型半导体之间,而在 PNP 晶体管中,薄薄的一层 n 型半导体夹在两个 p 型半导体之间。PNP 和 NPN的电荷载流子不同,NPN以空穴为主要载流子,而PNP以电子为主要载流子。但两者的工作原理实际上是相同的,唯一的区别在于偏置,以及每种类型的电源极性。BJT符号BJT是一个电流控制装置,集电极或发射极输出是基极电流的函数。比如,通过调基极和发射极之间电压,可以控制集电极的电流,如下图所示。BJT工作电压的变化会影响基极的电流,而该电流又会影响晶体管的输出电流。由此可见,在BJT里,是输入电流控制着输出电流。许多人更喜欢 BJT 用于低电流应用,例如用于开关,因为它们更便宜。BJT被广泛用作放大器、开关或振荡器等应用。双极结型晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )金属氧化物半导体场效应晶体管,俗称MOSFET,是一种主要由硅半导体材料制成的场效应晶体管,是最常用的晶体管类型。MOSFET具有三个端子:源极、栅极和漏极。它的顶部有金属端子,端子下方有氧化硅层,而半导体材料形成底层——由此形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET结构 与 BJT 不同,MOSFET不存在基极电流。MOSFET是一种电压控制器件,氧化物绝缘栅电极上的电压可以生成用于在其他触点“源极和漏极”之间传导的通道,进而控制漏极电流。即MOSFET栅极上的电压会产生一个电场,允许电流在源极和漏极之间流动,但该电流可能被栅极上的电压夹断或打开。根据工作原理,MOSFET分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。增强型 MOSFET 在正常情况下保持关闭状态,需要栅极电压才能将其打开,而耗尽型 MOSFET 在正常情况下保持打开状态,需要栅极电压才能将其关闭。MOSFET分类 MOSFET 的优点在于它们可以更有效地处理功率,功耗更低。如今,MOSFET 是数字和vwin 电路中最常用的晶体管,取代了当时非常流行的 BJT。BJT和MOSFET都有广泛的应用。在选择合适的器件时,需要考虑开关速度、控制方法、功耗、负载类型、效率和成本等几个因素。现在限时300名免费送大家看《驱动电路设计—精选篇》,总共20个章节。对大家感兴趣的BJT,MOSJFET其开关电路的拓扑结构进行详细分析讲解,视频课程每天一个小章节,轻松搞懂电路设计。免费观看时间:5月19日-6月7日,快来进群领取吧!
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原文标题:【技术分享】设计驱动电路该使用MOS管还是三极管?(文末领BJT 和MOSFET对比资料)
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