LN8362 MOSFET栅极驱动芯片概述、应用及特点
■ 产品概述
LN8362 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8362 内部集成欠压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断 DRVH、DRVL 的输出。
LN8362 内建死区自适应功能，可以适应更多规格MOSFET，同时简化设计的繁琐。
LN8362 采用 SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。
■ 应用领域
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
■ 产品特点
电源 VCC 工作范围：4V~15V
SW 最高电压：60V
内置自举二极管
固定死区时间
兼容 3.3V/5V/15V 输入信号
UVLO 时 EN 端输出低电平
内建死区自适应功能来防止 FET 交叉导通
EN 端可同时关断上下两个 MOSFET
VCC，BST 欠压保护功能
绿色环保无卤，满足 ROHS 标准
■ 封装
SOP8/ESOP8
DFN2*2-8
DFN3*3-8
审核编辑：汤梓红
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