麒麟710是华为首款中端芯片,在麒麟810横空出世之前,一直被用在华为/荣耀中端产品。麒麟710最早于2018年发布,首款产品使用台积电代工,采用12nm工艺制程。该芯片采用4个2.2GHz A73大核+4个1.7GHz A55小核架构,在当年是一款不错的中端处理器。
联发科G80同样是基于台积电12nm工艺制程、CPU采用8核心设计,两颗主频2GHz的Cortex A75大核心+六颗主频1.8GHz的Cortex A55小核心。
龙芯基于完全自主指令集架构LoongArch的龙芯3A5000处理器,采用12nm工艺制程。采用四核心构架,基础主频2.5GHz,已经和高通中端芯片相媲美。
综合爱我测评整合
审核编辑:郭婷
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
19259浏览量
229647 -
芯片
+关注
关注
455文章
50714浏览量
423119
发布评论请先 登录
相关推荐
联发科携手台积电、新思科技迈向2nm芯片时代
近日,联发科在AI相关领域的持续发力引起了业界的广泛关注。据悉,联发科正采用新思科技以AI驱动的电子设计自动化(EDA)流程,用于2nm制程上的先进芯片设计,这一举措标志着联发科正朝着2nm芯
联发科将发布安卓阵营首颗3nm芯片
联发科正式宣告,将于10月9日盛大揭幕其新一代MediaTek天玑旗舰芯片发布会,届时将震撼推出天玑9400移动平台。这款芯片不仅是联发科迄今为止最为强大的手机处理器,更标志着安卓阵营正式迈入3nm工艺时代,成为业界首颗采用台积
4nm!小米 SoC芯片曝光!
SoC芯片解决方案,据说该芯片的性能与高通骁龙8 Gen1相当,同时采用台积电4nm“N4P”工艺。 爆料人士@heyitsyogesh 没有提供该定制芯片的名称,但他提到了小米内部S
传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前,该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%,仅达到五成左右。为了应对这一局面,三星已在上月成立了专门的工作组,致力于迅速提升良率。
联电携手英特尔开发12nm制程平台,预计2026年完成,2027年量产
今年初,联电与英特尔宣布将携手打造12nm FinFET制程平台,以满足移动设备、通信基础设施及网络市场的高速增长需求。
存内计算——助力实现28nm等效7nm功效
可重构芯片尝试在芯片内布设可编程的计算资源,根据计算任务的数据流特点,动态构造出最适合的计算架构,国内团队设计并在12nm工艺下制造的CGRA芯片,已经在标准测试集上实现了和7
联华电子联手英特尔抢占12nm芯片全球市场
联电副董事长蒋先进在加州举办的英特尔活动中明确表达对此次合作的期待,称:“这无疑为我们拓展更为广阔的市场潜力,大大加速了我们的产品研发进程,”同时补充道,这样的战略伙伴关系有利于提升我们进入欧美市场的竞争力。
2024年全球与中国7nm智能座舱芯片行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名
11: 2023年7nm智能座舱芯片主要企业在国际市场排名(按收入)
表 12:近三年全球市场主要企业7nm智能座舱芯片销售收入(2021
发表于 03-16 14:52
台积电日本设厂Q4量产,助力半导体产业复苏
据悉,TSMC与日本知名企业索尼、电装株式会社以及丰田汽车共同投资了JASM在熊本的项目。其中,熊本一厂将提供12nm、16nm、22nm及28nm制程工艺支持;而熊本二厂预计于202
2024年日本半导体制造商将新建晶圆制造工厂
在熊本县菊阳町,台积电、索尼和日本电装联合开发了一个12英寸晶圆加工基地,该基地应用12nm、16nm和22nm至28nm技术,预计月底建成
台积电日本晶圆厂开幕在即:预计2月24日举行,量产时间确定
目前,台积电已完成与日本的一项联合建设晶圆厂协议,预计在今年2月24日举行投产庆典。日本的这处晶圆厂使用12nm、16nm、22nm及28nm等先进制程工艺,自启动以来进展顺利,引来业
英特尔联手联华电子,创新12nm制程平台
联电共同总经理王石指出,联电与英特尔在美国全资本开支的12nmFinFET制程合作,是公司探寻具备成本效益的产能扩张以及先进工艺节点升级的关键举措。这个行动也预示着我们坚持对客户的郑重承诺。
晶圆代工12nm市场开始出现变局
更先进的技术自然会带来更高的利润,这是台积电无与伦比的优势,7nm及更先进的制程占比越高,也就意味着台积电的营收会越高,毛利率会越高,其他从业者与台积电的差距也会被拉大。
发表于 01-09 14:16
•800次阅读
评论