Nexperia为MOSFET器件推出全新增强型电热模型
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此前需要确保他们的设计可以在(不太可能的)最坏情况下工作，而现在能够在特定温度范围内对设计进行仿真。
Nexperia与一家一级OEM合作开发了这些模型，目前仅有Nexperia能够满足其要求。Nexperia应用工程师Andy Berry表示：“这些全新的先进电热模型旨在为设计人员提供最高可信度的电路仿真结果。”“在双脉冲测试中，模型对真实器件行为做出了精确预测，证明其具有出色的高精度。我们的合作伙伴在初步反馈中表示，这些模型是他们所见过最为精确的模型。”
继Nexperia广受欢迎的交互式应用笔记发布之后，这些先进的电热模型是由我们的工程师团队专为广大工程师朋友设计的一系列支持工具中的最新一款，计划在未来几个月内发布。此种可支持外部活动的新工具旨在尽可能为Nexperia的客户提供无缝的器件设计。
审核编辑：汤梓红
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