有关DDR5设计的更多技术细节
对内存的关注更多集中在性能、容量，以最新的DDR5为例，其内存频率直接从2133MHz跨越式增长至4800MHz，未来会提升到6400MHz，频率的提升带来读写性能的提升，内存容量也由DDR4的单Die 16Gb提高到64Gb，这意味着DDR5会突破DDR4单条32GB容量天花板，使得单条32GB成为业界主流标准，甚至于后续单条64GB，乃至于单条128GB，都将成为可能。此外需要的注意的是DDR5内存工作电压低至1.1V，对比DDR4降低了 20%左右的，其On-die ECC纠错机制设计，能够更好满足企业级应用场景对稳定性;可靠性的需求。双32位寻址通道设计，从单通道变双通道也使得DDR5延迟更低、效率倍增。
Rambus 大中华区总经理 苏雷先生和Rambus内存互连芯片业务部门产品营销副总裁 John Eble先生日前接受记者采访，也进一步披露了有关DDR5设计的更多技术细节。
Rambus扩充了DDR5内存接口芯片组合，推出了Rambus串行检测集线器(SPD Hub)和温度传感器，为业界领先的Rambus 寄存器时钟驱动器(RCD)提供补充。
“SPD Hub的使用可以减少初始化时间并支持更高的轮询率和实时控制，同时内存DIMM I3C接口由I3C集线器管理，也可以减少了端点负载的数量。” John Eble先生介绍说。据了解，SPD Hub还包含串行检测集线器（NV DIMM配置信息，如P-Bank数量、电压、行地址/列地址数量、位宽、各种主要操作时序）和热传感器数据。
作为Rambus服务器和客户端DDR5内存接口芯片组的一部分，SPD Hub和温度传感器与RCD相结合，能够为DDR5计算系统提供高性能、大容量的内存解决方案。SPD Hub和温度传感器都是内存模块上的关键组件，可以感知并报告用于系统配置和热管理的重要数据。
SPD Hub可用于服务器和客户端模块，包括RDIMM(用于服务器)、UDIMM（用于PC机）和SODIMM（用于笔记本电脑），温度传感器则专为服务器RDIMM设计。
SPD Hub（SPD5118）的主要特性包括：
支持I2C和I3C总线串行接口
先进的可靠性功能
扩展的NVM空间，满足客户特定应用的需求
为最快的I3C总线速率提供低延迟
集成式温度传感器
符合或超过所有JEDEC DDR5 SPD Hub运行要求（JESD300-5A）
“而独立的温度传感器（TS）和I3C集线器中的温度传感器，则可以为每个DIMM提供三个空间数据点。服务器CPU能够使用该功能来管理风扇速度/噪声以及DRAM刷新率来提高性能或保留时间，也可以作为限制带宽的“最后一招”。”John Eble先生说。
温度传感器（TS5110）的主要特征包括：
精密的热感应
支持I2C和I3C总线串行接口
为最快的I3C总线速率提供低延迟
符合或超过所有JEDEC DDR5温度传感器的运行要求（JESD302-1.01）
为了帮助生态合作伙伴更好的使用相关产品和技术，Rambus通过已经通过了3家主要DRAM供应商的认证，提供了LabStation平台和缓冲区BIOS集成工具。
Rambus首席运营官范贤志表示：“DDR5内存新的性能水平对服务器和客户端DIMM的信号完整性和热管理提出了更高的要求。凭借30多年的内存子系统设计经验，Rambus能够提供理想的DDR5芯片组解决方案，为先进的计算系统带来突破性的带宽和容量。”
审核编辑 ：李倩
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原文标题：【媒体报道】Rambus披露DDR5内存多技术细节
文章出处：【微信号：Rambus 蓝铂世科技，微信公众号：Rambus 蓝铂世科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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