1 MOS管开关电路设计详解(图文+案例)-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOS管开关电路设计详解(图文+案例)

pecron 来源:电路一点通 作者:电路一点通 2022-11-16 09:21 次阅读

mos管的工作区域

从之前的文章中可以知道,mos管有三个工作区域:

截止区域

线性(欧姆)区域

饱和区域

当 VGS < VTH时,mos管工作在截止区域。在该区域中,mos管处于关断状态,因为在漏极和源极之间没有感应沟道。

对于要感应的沟道和mos管在线性或饱和区工作,VGS > VTH。

栅极 - 漏极偏置电压 VGD将决定mos管是处于线性区还是饱和区。在这两个区域中,mos管处于导通状态,但差异在线性区域,沟道是连续的,漏极电流与沟道电阻成正比。进入饱和区,当 VDS > VGS – VTH时,通道夹断,即它变宽导致恒定的漏极电流。

电子开关

半导体开关是电子电路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作,即它们要么处于 ON 状态,要么处于 OFF 状态。

理想的开关特性

对于像mos管这样的半导体器件,要充当理想的开关,它必须具有以下特性:

在 ON 状态下,它可以承载的电流量不应有任何限制。

在关闭状态下,阻断电压不应有任何限制。

当器件处于 ON 状态时,应有零压降。

关态电阻应该是无限大的。

设备的运行速度没有限制。

2b187a5e-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

理想的开关特性图

实用开关特性

但半导体开关并不是我们想的那么理想。在实际情况中,像mos管这样的半导体器件具有以下特性。

在开启状态期间,功率处理能力是有限的,即有限的传导电流。关断状态期间的阻断电压也受到限制。

有限的开启和关闭时间,这限制了开关速度。最大工作频率也受到限制。

当器件开启时,将存在一个有限的导通状态电阻,从而导致正向压降。还会有一个有限的关闭状态电阻,这会导致反向漏电流。

实际的开关在开启状态、关闭状态以及过渡状态(从开启到关闭或从关闭到开启)期间都会经历断电。

2b52382a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

实用开关特性图

mos开关电路实例1

在下图所示的电路中,增强型 N 沟道mos管用于切换简单的灯“ON”和“OFF”(也可以是 LED)。

栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件,因此灯负载要么“打开”,(V GS = +ve),要么处于将器件“关闭”的零电压电平,(V GS = 0V)。

如果灯的电阻负载要由电感负载(如线圈、螺线管或继电器)代替,则需要与负载并联一个“续流二极管”,以保护mos管免受任何自生反电动势的影响。

2b70409a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos开关电路

上面显示了一个非常简单的电路,用于切换电阻负载,例如灯或 LED。但是,当使用功率mos管切换感性或容性负载时,需要某种形式的保护来防止mos管器件受损。驱动感性负载与驱动容性负载的效果相反。

例如,没有电荷的电容是短路的,导致高“涌入”电流,当我们从感性负载上移除电压时,随着磁场崩溃,我们会产生很大的反向电压,从而导致感应绕组中的感应反电动势。

mos开关电路功耗计算

我们假设灯的额定电压为 6v、24W 并且完全“开启”,标准mos管的通道导通电阻 ( R DS(on) ) 值为 0.1ohms。计算mos管开关器件的功耗。

流过灯的电流计算如下:

2ba57cd8-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos开关电路电流计算公式

那么mos管中消耗的功率将为:

2bc27e96-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos管开关电路功耗计算公式

P沟道mos管开关电路实例

在上图我们将 N 沟道 mos管视为开关,mos管放置在负载和地之间。这也允许 mos管的栅极驱动或开关信号以地为参考(低侧开关)。但在某些应用中,如果负载直接接地,我们需要使用 P 沟道增强型 mos管。如下图所示。

2bdf2c9e-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

P沟道mos管开关电路

在这种情况下,mos管开关连接在负载和正电源轨(高端开关)之间,就像我们使用 PNP 晶体管一样。

在 P 沟道器件中,漏极电流的常规流动方向为负方向,因此施加负栅源电压以将晶体管“导通”。

这是因为 P 沟道mos管是“倒置”的,其源极端子连接到正电源+V DD。然后,当开关变为低电平时,mos管变为“ON”,当开关变为高电平时,mos管变为“OFF”。

P 沟道增强型mos管开关的这种倒置连接允许我们将其与 N 沟道增强型 mos管串联连接,以产生互补或 CMOS 开关器件,如上图所示为跨双电源。

mos开关电路实例2

了解 了mos管的工作原理及其工作区域,就很容易知道mos管是如何作为开关工作的。通过考虑一个简单的示例电路,将了解 mos管作为开关的操作。

2bf60a4a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos开关电路图

这是一个简单的电路,其中 N 沟道增强模式mos管将打开或关闭灯。为了将mos管用作开关,它必须工作在截止和线性(或三极管)区域。

假设设备最初是关闭的。栅极和源极之间的电压,即 V GS适当地设为正值(从技术上讲,V GS > V TH),MOSFET 进入线性区域并且开关导通。这使灯打开。

如果输入栅极电压为 0V(或技术上 < V TH),则mos管进入截止状态并关闭。这反过来会使灯关闭。

mos开关电路实例3

考虑一种情况,如果你想使用微控制器对 12W LED (12V @ 1A) 进行数字控制。当你按下连接到微控制器的按钮时,LED 应打开。当你再次按下相同的按钮时,LED 应熄灭。

很明显,你不能在微控制器的帮助下直接控制 LED。这个时候你就需要一种设备来弥合微控制器和 LED 之间的差距。

该设备应从微控制器接收控制信号(通常该信号的电压在微控制器的工作电压范围内,例如 5V)并为 LED 供电,在这种情况下来自 12V 电源。

而这个设备是mos管,上述场景的设置如下电路所示。

2c19be4a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.png

mos开关电路图

当逻辑 1(假设为 5V 微控制器,逻辑 1 为 5V,逻辑 0 为 0V)提供给mos管的栅极时,它打开并允许漏极电流流动。结果,LED 亮起。

类似地,当 mos管的栅极为逻辑 0 时,它会关闭,进而关闭 LED。

因此,你可以通过微控制器和mos管的组合对大功率设备进行数字控制。

mos管开关电路需要注意的因素---mos管的功耗

需要考虑的一个重要因素是mos管的功耗。考虑一个漏源电阻为 0.1Ω 的mos管。在上述情况下,即由 12V 电源驱动的 12W LED 将导致 1A 的漏极电流。

因此,mos管消耗的功率为 P = I 2 * R = 1 * 0.1 = 0.1W。

这看起来是一个比较低的值,但如果你使用相同的 mos管驱动电机,情况会略有不同。电机的启动电流(也称为浪涌电流)会非常高。

2c45b36a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos管驱动电路

因此,即使 RDS 为 0.1Ω,电机启动期间消耗的功率仍会非常高,这可能会导致热过载。因此,RDS将是你的应用选择 mos管的关键参数

此外,在驱动电机时,反电动势是设计电路时必须考虑的重要因素。

使用mos管驱动电机的主要优点之一是输入 PWM 信号可用于平滑控制电机的速度。

mos开关电路实例4

下图显示了一个使用 n 沟道增强型mos管作为开关的简单电路。此处,mos管的漏极端子 (D)通过漏极电阻RD连接到电源电压 V S ,而其源极端子 (S) 接地。此外,它在其栅极端子 (G) 处施加输入电压Vi ,而输出 Vo从其漏极汲取。

2c64a8ba-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

mos开关电路图

现在考虑施加的 Vi为 0V 的情况,这意味着mos管的栅极端子未偏置。因此,mos管将关闭并在其截止区域中工作,在该区域中,它为电流提供了一个高阻抗路径,这使得 IDS几乎等于零。

结果,即使R D上的电压降也将变为零,因此输出电压V o将变得几乎等于V S。接下来,考虑施加的输入电压V i大于器件的阈值电压V T的情况。在这种情况下,mos管将开始导通.

如果 V提供的S大于器件的夹断电压 VP(通常会如此),则mos管开始在其饱和区工作。这进一步意味着该器件将为恒定 IDS的流动提供低电阻路径,几乎就像短路一样。结果,输出电压将被拉向低电压电平,理想情况下为零。

从上面的分析可以看出,输出电压在 VS和零之间变化,这取决于所提供的输入分别是小于还是大于 V T。因此,可以得出结论,当使mos管s在截止和饱和工作区域之间工作时,可以使mos管起电子开关的作用。

n 沟道耗尽型 mos管开关电路

与 n 沟道增强型mos管的情况类似,n 沟道耗尽型 mos管也可用于执行开关动作,如下图所示。这种电路的行为与上面的解释几乎相同,除了事实上,对于截止,栅极电压 VG需要设为负值,并且应小于 -V。

2c7f921a-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

n 沟道耗尽型 mos管开关电路图

p 沟道增强型mos管开关电路

下图显示了将 p 沟道增强型mos管用作开关的情况。这里可以看出,电源电压 VS施加在其源极端子 (S) 上,栅极端子提供输入电压 V i,而漏极端子通过电阻RD接地。

2c98396e-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

p 沟道增强型mos管开关电路图

此外,从mos管的漏极端子通过RD获得电路V o的输出。在 p 型器件的情况下,传导电流将来自空穴,因此会从源极流向漏极 ISD,而不是从漏极流向源极(IDS) 与 n 型器件一样。

现在,让我们假设只有mos管的栅极电压 VG的输入电压变低。这会导致mos管开启并为电流提供低(几乎可以忽略不计)电阻路径。

结果,大电流流过器件,导致电阻 RD上的电压降很大。这反过来导致输出几乎等于电源电压V S。接下来,考虑V i变高的情况,即当Vi 将大于器件的阈值电压(这些器件的 V T将为负值)。在这种情况下mos管将关闭并为电流提供高阻抗路径。这导致几乎为零的电流导致输出端子处的电压几乎为零。

p 沟道耗尽型mos管开关电路

与此类似, p 沟道耗尽型mos管也可用于执行开关动作,如下图所示。该电路的工作原理与上述电路几乎相似,只是此处的截止区域为仅当 Vi = VG为正且超过器件的阈值电压时才会出现。

2cb772f2-653f-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

p 沟道耗尽型mos管开关电路图

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关电路
    +关注

    关注

    58

    文章

    553

    浏览量

    66393
  • 电路设计
    +关注

    关注

    6673

    文章

    2451

    浏览量

    204127
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2410

    浏览量

    66755

原文标题:MOS管开关电路设计详解(图文+案例)

文章出处:【微信号:电路一点通,微信公众号:电路一点通】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOS晶体开关电路设计与理论知识

    晶体开关电路(工作在饱和状态)在现代电路设计应用中很常见。经典的74LS、74ALS和其他集成电路内部使用晶体
    发表于 11-28 11:00 3328次阅读

    晶体开关电路设计讲解

    晶体开关电路在现在电路设计中十分常见。经典的74LS、74ALS等集成电路内部采用晶体开关电路
    发表于 02-15 09:12 1763次阅读
    晶体<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路设计</b>讲解

    MOS开关电路原理图

    晶体开关电路在现在电路设计中十分常见。三极开关电路分为两大类,一类是经典的TTL三极
    发表于 06-20 09:14 3365次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>原理图

    MOS开关电路原理图解

    对于MOS,我们在电路设计中都会遇到,那么应该如何设计一个MOS开关电路呢?
    发表于 06-27 09:20 3609次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>原理图解

    MOS开关电路MOS开关电路设计

    在设计MOS开关电路时,就要充分了解MOS的工作原理。下面咱们来详细说明。
    发表于 07-20 09:40 2314次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>图 <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路设计</b>

    MOS开关电路的定义

    MOS开关电路的定义MOS开关电路是利用MOS
    发表于 10-29 06:54

    MOSFET开关电路设计

    MOSFET开关电路设计MOSFET开关电路设计
    发表于 12-23 15:03 217次下载

    MOS开关电路是什么?详解MOS开关电路

    MOS开关电路是利用MOS栅极(g)控制MOS
    发表于 05-17 08:30 13w次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>是什么?<b class='flag-5'>详解</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>

    mos开关电路_pwm驱动mos开关电路图分享

    MOS开关电路是利用一种电路,是利用MOS栅极(g)控制
    发表于 01-04 13:41 5.9w次阅读
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>_pwm驱动<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>图分享

    五款9011三级开关电路设计原理图详解

    五款9011三级开关电路设计原理图详解
    发表于 02-28 14:25 33次下载
    五款9011三级<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路设计</b>原理图<b class='flag-5'>详解</b>

    mos开关电路图大全(八款mos开关电路设计原理图详解

    本文主要介绍了mos开关电路图大全(八款mos开关电路设计原理图
    发表于 03-06 11:16 36.8w次阅读
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>图大全(八款<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路设计</b>原理图<b class='flag-5'>详解</b>)

    MOS开关电路

    MOS开关电路是利用MOS栅极(g)控制MOS
    发表于 10-22 16:21 36次下载
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>

    MOS开关电路

    MOS开关电路的定义        MOS开关电路是利用
    发表于 10-22 19:51 134次下载
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>开关电路</b>

    电路设计基础之MOSFET开关电路

    对于MOS,我们在电路设计中都会遇到,那么应该如何设计一个MOS开关电路呢?
    的头像 发表于 12-08 09:54 2695次阅读

    MOS场效应电源开关电路

    MOS开关电路是利用MOS栅极(g)控制MOS
    发表于 05-16 15:08 1596次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b>场效应<b class='flag-5'>管</b>电源<b class='flag-5'>开关电路</b>