产品教程｜Nanodcal 材料学与化学（生成能02）

Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于vwin 器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。

迄今为止，Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中，并将逐步推广到更广阔的电子输运性质研究的领域。

本期将给大家介绍Nanodcal材料学与化学 5.4.3-5.4.3.1的内容。

5.4.3. GaAs中Ga空缺形成能计算

5.4.3.1. 模型搭建

将在5.3.2中搭建的GaAs中的Ga原子删除，得到空缺Ga的GaAs晶体结构：

图 5-17：

5.4.3.2. 自洽计算

（1）同2.2节，准备好输入文件scf.input，As_LDA_DZP¬.nad

（2）开始计算，步骤同2.2节（2）。

5.4.3.3. 形成能计算

（1）准备输入文件TotalEnergy.input，计算Ga空缺的GaAs的总能：

（2）计算形成能：

5.4.4. MgO（100）表面O缺陷的形成能计算

5.4.4.1. 模型搭建

（1）从数据库中搜索导入MgO，如下：

File→Import→Import Local，找到文件夹metal_xides→MgO.hzw，点击打开；

（2）点击Build-Surface/Slab，对MgO做（100）方向的切面，并点击Build:

图 5-19：

（3）从数据库中搜索导入O，如下：

File→Import→Import Online，输入O，导入O的晶体结构，并点击Add，导入结构：

图 5-20：

5.4.4.2. 自洽计算

（1）以MgO为例，准备好输入文件scf.input，Mg_LDA_DZP¬.nad，O_LDA_DZP-.nad

（2）开始计算，步骤同2.2节（2）。

5.4.4.3. 形成能计算

（1）准备输入文件TotalEnergy.input，计算O空缺的MgO的总能；