1 PFS122检测VDD及IO口的AD电压方法-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

PFS122检测VDD及IO口的AD电压方法

应广单片机 来源:应广单片机 作者:信而善 2022-11-29 09:20 次阅读

PFS122是应广推出的一颗,可以多次烧录的2K程序空间的带数字12位AD转换的单片机。目前以高性价比重新获得用户的喜爱,其价格优势明显,比九齐的062E的价格,可能还更具有优势。

PFS122的AD转换相对于PMS132等来说,显得比较劣势,主要是因为IC不能接外部参考电压,也不提供内部的2V,3V, 4V等参考电压。这样在处理VDD处于变化的应用环境,比如锂电池应用,就显得没有那么方便。

在处理VDD方面,也就是获取锂电池电压的时候,还有个别工程师的设计是使用两个电阻分压,再利用一个IO口去采集分压点来处理。这样处理用是能用,但是显得很不经济,也浪费IO口,甚至还浪费静态功耗。PFS122内部提供的参考电压1.2V,就是专门用来获取VDD电压的。也就是说1.2V相对来说是稳定的,那么不同的VDD电压,采集到稳定1.2V时,所得到的AD转换结果是不一样的,但是遵循比例:VDD/1.2V=4096/Nbg.

由上面的比例可以得到VDD =4096*1.2V/Nbg=4096*12000mV/Nbg

=4915200mV/Nbg=((4b0000)hex)mV/Nbg,(1)

Nbg:是使用VDD做AD转换的参考电压,采用内部特殊通道1.2的标准电压所得的数值。

在获取IO的电压时,我们可以同样利用比列来计算,计算的基础是

;Vbg/VDD=Nbg/4096------------------(2)

;Vin/VDD=Nin/Nvdd=Nin/4096------- (3)

两个比列相除,可以消掉VDD和4096,得到Vin=(Nin/Nbg)*Vbg

;VIN=(Nin/Nbg)*Vbg=(Nin/Nbg)*1200=Nin*1200/Nbg=0x4b0*Nin/Nbg(4)

因此,只要有Nin和 Nbg的AD转换数值,就可以得到IO口的实际输入电压是多少。由公式(1)和公式(4),可以看出要得到VDD和Vin的实际电压,需要用到运算方式,三字节除以2字节,两字节乘以两字节的运算。对于习惯了MINI-C开发的用户来说,这些运算处理方式可以在“程序助手”中的/进阶实例/数据运算中获取。

EWORDdiv_src3;//被除数(商)
WORDdiv_val2, div_res2;//除数,余数

voidEWord_Div_Word (void)
{//div_src3[E] / div_val2[W]=div_src3[E] * div_val2[W] + div_res2[W]
BYTEdiv_cnt, div_tmp;
div_cnt=8;
div_res2=0;

do
{
div_src3<<=        1;
div_res2<<<=    1;
div_tmp<<<=    1;
div_cnt++;
A=(div_res2 - div_val2) >> 8;

if (div_tmp.0 || ! CF)
{
div_res2$1=A;
div_res2$0-=div_val2$0;
div_src3.0=1;
}
} while (! div_cnt.5);
}

//--------------------------------------------------------------------------------//
//程序说明:
//一个16位变量(范围0~65535)与一个定值(500,范围0~65535)相乘
//两个乘数可以为定值,也可为变量
//同为定值时可直接用“*”运算符
//注意事项:
//1.案例为PMS154C,其他芯片可直接使用
//********************************************************************************//
#include"extern.h"

DWORDmul_t4;
WORDmul_x2;
WORDmul_y2;

voidWord_Mul_Word (void)
{//mul_t4[D]=mul_x2[W] * mul_y2[W]
mul_t4$3=0;
mul_t4$2=0;

BYTEcnt;
cnt=16;

do
{
mul_x2>>=1;
if (CF)
{
mul_t4+=(mul_y2 << 16);
}
mul_t4>>>=1;
} while (--cnt);
}

但是对于一些不熟悉MINI-C的工程师朋友来说,用汇编弄起来就可能有点难度了。那也没有关系,你打赏我吧,我花了一些时间,整理了一些汇编的参考程序, 哈哈(~0~)。

fef948ee-6f1c-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

汇编写起来比较累人,参考一下,16进制转10进制的汇编吧。

;-------HEX to BCD subroutine-------------------------

; Name:hex2bcd

; Input:temp0(H), temp1(L)

; Output:temp3(H), temp4(M),temp5(L)

; Stack level:2

; Function:16-bit-hex to 5-bit-dec

; Temp reg:temp2(counter register),temp6,fpp0_index

; Argument:

;--------------------------------------------

hex2bcd:

clear hb@fpp0_index

mov a, 0x10

mov temp2, a

clear temp3

clear temp4

clear temp5

set0 flag_c

shift:

slc temp1

slc temp0

slc temp5

slc temp4

slc temp3

dzsn temp2

goto adjdec

ret

adjdec:

mov a, la@temp5

mov lb@fpp0_index, a

call adjbcd

mov a, la@temp4

mov lb@fpp0_index, a

call adjbcd

mov a, la@temp3

mov lb@fpp0_index, a

call adjbcd

goto shift

adjbcd:

;---------------------------------

; mov a, 0x22

;idxm fpp0_index, a

;---------------------------------

idxm a, fpp0_index

add a, 0x03

mov temp6, a

t0sn temp6.3

idxm fpp0_index, a

idxm a, fpp0_index

add a, 0x30

mov temp6, a

t0sn temp6.7

idxm fpp0_index, a

ret 0x00

;-------------the end of hex2bcd---------------------

;-----------------------------------------------

;

;-------unsigned (eword)eint Div unsigned int-------------------

; Name:ueint_div_uint

; Input: temp2(D1H),temp3(D1M);temp4(D1L),temp5(D2H),temp6(D2L)

; Output: temp11(QH)temp12(QL),temp13(),

; temp7(remainer H),temp8(remainer L)

; Stack level:1

; Temp reg:temp0(bit count),temp1(bit0:flow flag),temp8(h),temp9(l)

; Function:unsigned eint div unsignedd int;D1/D2,

; Argument:

;--------------------------------------------

ueint_div_uint:

mov a, 0x18

mov temp0, a

clear temp9

clear temp7

clear temp8

ediv_loop:

sl temp4

slc temp3

slc temp2

slc temp8

slc temp7

slc temp9

t0sn temp9.0

goto evalid_bit

mov a, temp8

sub a, temp6

mov a, temp7

subc a, temp5

t0sn flag_c

goto einvalid_bit

evalid_bit:

mov a, temp6

sub temp8, a

mov a, temp5

subc temp7, a

set1 flag_c

goto eshift_result

einvalid_bit:

set0 flag_c

eshift_result:

slc temp13

slc temp12

slc temp11

dzsn temp0

goto ediv_loop

ret

;-----------------------------------------------

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 单片机
    +关注

    关注

    6035

    文章

    44554

    浏览量

    634577
  • AD
    AD
    +关注

    关注

    27

    文章

    868

    浏览量

    150264
  • VDD
    VDD
    +关注

    关注

    1

    文章

    311

    浏览量

    33184

原文标题:PFS122 检测VDD及IO口的AD电压方法

文章出处:【微信号:应广单片机,微信公众号:应广单片机】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    PFS122 AD调试心得-小电流检测方法分享

    最近调试122检测小电流,有一种遇到鬼打墙的状态,就是看到寄存器的值在数据转移时改动了。
    的头像 发表于 09-06 18:21 2196次阅读
    <b class='flag-5'>PFS122</b> AD调试心得-小电流<b class='flag-5'>检测</b><b class='flag-5'>方法</b>分享

    如何烧录PFS122-MSOP10的封装

    应广有好几个型号都封装了MSOP10的封装形式,比如PMS132B,PFS122-MSOP10等。MSOP10的官方封装引脚,用烧录座在烧录器上无法直接烧录,需要转接。
    的头像 发表于 12-07 11:43 3632次阅读
    如何烧录<b class='flag-5'>PFS122</b>-MSOP10的封装

    请问PFS122B是如何利用内部参考电压反推VDD的?

    在一些电池产品设计中,往往需要单片机去检测电池电压的使用情况。
    的头像 发表于 01-04 09:58 1934次阅读
    请问<b class='flag-5'>PFS122</b>B是如何利用内部参考<b class='flag-5'>电压</b>反推<b class='flag-5'>VDD</b>的?

    请问单片机IO漏水怎么检测

    ,现在有没有什么方法可以减少IO的使用实现8个位置的漏水检测。有没有那种累死74HC类的输入型的芯片,检测到自己哪个脚电平拉低后汇报给单片
    发表于 09-17 23:36

    如何使用IO检测电源电压的转换逻辑

    使用IO检测电源电压主要是用于大功耗产品,电池电压会随着功耗的增大而变化,这个时候就要使用IO
    发表于 12-31 06:47

    stm32f1的io作为输出的使用方法

    前言stm32 io简介硬件设计软件设计proteus仿真前言在流水灯试验中,介绍了stm32f1的io作为输出的使用方法。在本次试验中
    发表于 01-12 06:32

    单片机检测IO电平状态的方法

    单片机检测IO高电平、低电平、悬空三种状态。步骤1:设置IO为输入上拉模式,读取IO
    发表于 02-18 06:42

    相同的IO域VDDPST和VDD电压输入是一样的吗

    相同的IO域VDDPST和VDD电压输入是一样的吗?RK3399中的IO电压该怎样去选择呢?
    发表于 03-07 07:10

    空前绝后的“IO扫键”法 电子设计必备良方

    用3个IO作行扫描,2个IO作列检测(为方便描述,我们约定:设置某一IO输出为“0”――称其
    的头像 发表于 03-10 09:38 6800次阅读
    空前绝后的“<b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b>扫键”法 电子设计必备良方

    STM32的IO保护以及FT兼容IO

    可能有些初学者看到IO结构图时直接去找钳位二极管的作用了,忽视了一些地方,以下总结。1、IO口上都有两个钳位二极管作保护。2、非FT兼容IO
    发表于 12-09 13:51 44次下载
    STM32的<b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b>保护以及FT兼容<b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b>

    单片机检测IO高电平、低电平、悬空三种状态。

    单片机检测IO高电平、低电平、悬空三种状态。步骤1:设置IO为输入上拉模式,读取IO
    发表于 12-23 19:16 42次下载
    单片机<b class='flag-5'>检测</b><b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b>高电平、低电平、悬空三种状态。

    使用IO检测电源电压的转换逻辑

    使用IO检测电源电压主要是用于大功耗产品,电池电压会随着功耗的增大而变化,这个时候就要使用IO
    发表于 01-10 14:57 6次下载
    使用<b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b><b class='flag-5'>检测</b>电源<b class='flag-5'>电压</b>的转换逻辑

    用最少的IO,扫最多的键?

    对,大部分技术参考书都这么做,我们也经常这样做:用3个IO作行扫描,2个IO作列检测(为方便描述,我们约定:设置某一IO
    的头像 发表于 05-10 10:22 2132次阅读

    PFS122检测VDDIO的AD电压方法

    PFS122是应广推出的一颗,可以多次烧录的2K程序空间的带数字12位AD转换的单片机。目前以高性价比重新获得用户的喜爱,其价格优势明显,比九齐的062E的价格,可能还更具有优势。
    发表于 05-19 10:09 3387次阅读
    <b class='flag-5'>PFS122</b><b class='flag-5'>检测</b><b class='flag-5'>VDD</b>及<b class='flag-5'>IO</b><b class='flag-5'>口</b>的AD<b class='flag-5'>电压</b><b class='flag-5'>方法</b>

    PFS122B和PFS122 MCU的主要区别

    PFS122只能由VDD做参考更改为还可以用内部其他的参考电压来做AD转换的参考。有了这样的设计后,使得在没有LDO的情况下,也更方便的可以做IO
    的头像 发表于 12-22 10:03 1847次阅读
    <b class='flag-5'>PFS122</b>B和<b class='flag-5'>PFS122</b> MCU的主要区别