LTspice：简单理想化二极管-德赢Vwin官网网

LTspice半导体二极管模型对于仿真至关重要，尤其是当您希望看到包括击穿行为和复合电流在内的结果时。然而，尽管LTspice中的半导体二极管模型是完整的，但有时您需要一个简单的“理想化二极管”模型来快速仿真，例如，有源负载、电流源或限流二极管。为了提供帮助，LTspice提供了理想化二极管模型的表示。

要在LTspice中使用这种理想化模型，请为具有唯一名称的二极管（D）插入.model语句，并定义以下一个或多个参数：Ron，Roff，Vfwd，Vrev或Rrev。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2）

LTspice中的理想化二极管模型具有三个线性导通区域：开通、关断和反向击穿。正向导通和反向击穿可以使用电流限制参数Ilimit和revIlimit进一步指定。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1

此外，为了平滑关闭和导通状态之间的切换，还可以定义 epsilon 和 revepsilon 参数。

.model MyIdealDiode D（Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1 Epsilon=1 RevEpsilon=1）

poYBAGO1IdKAAtDdAADzW3_n9ME527.png?la=en&h=300&imgver=1

在关断和导通状态之间也使用二次函数，使得理想化的二极管IV曲线在值和斜率上是连续的，因此在epsilon和revepsilon值指定的电压上发生跃迁。

在原理图中插入 .model 语句后，可以在元件属性中编辑二极管符号的值（Ctrl + 右键单击），以匹配您在语句中指定的名称。有关LTspice二极管型号的更多信息，请参阅帮助主题（F1）。

pYYBAGO1IdWAKph1AAB2UMG5rVM720.png?la=en&h=300&imgver=1

为了好玩，在下面的电路示例中，理想化二极管模型用于vwin MOSFET在其他非同步降压控制器中的RDS（ON）。通过使用理想化的二极管模型代替传统的肖特基二极管，可以轻松比较同步整流的导通损耗。

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审核编辑：郭婷

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