本应用笔记提供了使用DS2152和DS2154的现有应用开始使用较新的DS21552、DS21352、DS21554和DS21354单芯片收发器(SCT)的要求。包括对最新器件的附加功能、JTAG IEEE 1149.1边界扫描和交错PCM总线操作的讨论。
下一代DS2152/54将采用3.3V和5V引脚兼容的T1和E1芯片组,并带有新的引脚排列。然而,T1和E1单芯片收发器都可以插入现有的DS2152/54插座,无需更改硬件或软件(不使用新功能)。确保将 00hex 写入现有但未使用的寄存器位置。未使用的寄存器位置可用于新功能。表1列出了DS2152/54和DS21352/354/552/554 SCT及相关特性。
表 1.达拉斯半导体 100 引脚 LQFP 单芯片收发器
特征 | DS2152L/LN | DS21352L/LN | DS21552L/LN | DS2154L/LN | DS21354L/LN | DS21554L/LN |
T1 | X | X | X | |||
E1 | X | X | X | |||
3.3V | X | X | ||||
5V | X | X | X | X | ||
吉泰格 | X | X | X | X | ||
交错式 PCM 总线 | X | X | X | X | ||
高密度液晶控制器 | X1 | X | X | X | X | |
中药 | X | X | X | X |
注:
1. DS2152具有专用于FDL应用的HDLC控制器。
JTAG,IEEE 1149.1边界扫描架构 新的DS21352/354/552/554 SCT将采用JTAG的边界扫描架构
(IEEE 1149.1)。成帧器模式选择(FMS)引脚具有一个内部10k上拉电阻,可将新的SCT置于DS2152/54传统模式。在传统模式下,所有JTAG引脚都可以保持未连接状态。要使用JTAG功能,需要更改硬件以集成5个JTAG引脚,并且FMS引脚需要连接为低电平。FMS和JTRST引脚将影响TCR2寄存器中的TESTZ引脚(所有4个DS21x5y)以及TEST1和TEST0位(均为DS21x52)。有关JTRST和FMS条件,请参见表2。表3列出了DS215y上3.3V I/O的新引脚描述和DS21352/354/552/554 SCT上新功能的新引脚描述。 表1总结了100引脚LQFP封装中的所有SCT。
表 2.JTRST和FMS条件
杰特斯特 | 柔性制造系统 | 结果 |
X | 1 | DS21x52的TCR2中的TESTZ引脚、TEST1位和TEST0位已启用。 |
0 | 0 | DS21x52 的 TCR2 中的 TEST1 位和 TEST0 位已启用。 |
1 | 0 | 禁用 0 个 TESTZ,禁用 DS21x52 TCR2 中的 TEST1 和 TEST0 位。 |
表 3.DS2152/54和DS21352/354/552/554 SCT的新引脚定义(DS2152/54仅适用于引脚61和83)
针 |
上一个 符号 |
新 符号 |
类型 | 描述 |
76 | 数控 | FMS |
I |
成帧器模式选择[FMS]。选择 DS2152/54 模式(高电平)或 DS21x52/x54 低电平时的模式。如果为“高”,则 JTRST 位于内部 拉低。如果为低,则 JTRST 具有正常的 JTAG 功能性。该引脚具有一个 10k 上拉电阻。 |
5 | 数控 | JTRST |
I |
IEEE 1149.1 测试重置 [JTRST]。使用此信号 异步重置测试访问端口控制器。 上电时,JTRST 必须从低电平切换到 高。此操作会将设备设置为 设备 ID 模式允许设备正常运行。 该引脚具有一个 10k 上拉电阻。当FMS=1时,这 引脚内部连接为低电平。如果 JTAG 并列 JTRST 低 未使用,且成帧器处于DS21x5y模式(FMS 低)。 |
2 | 数控 | JTMS |
I |
IEEE 1149.1 测试模式选择 [JTMS]。此引脚是 在JTCLK的上升沿采样,用于 将测试访问端口放入各种定义的 IEEE 中 1149.1 状态。该引脚具有一个 10k 上拉电阻。 |
4 | 数控 | JTCLK |
I |
IEEE 1149.1 测试时钟信号 [JTCLK]。这 信号用于将数据转移到上升沿的 JTDI 中 并脱离JTDO的下降边缘。 |
7 | 数控 | JTDI |
I |
IEEE 1149.1 [JTDO]。测试指令和数据是 在JTCLK的上升边缘打入这个引脚。这 PIN 具有一个 10K 上拉电阻。 |
10 | 数控 |
JTDO |
O | IEEE 1149.1 [JTDO]。测试指令和数据是 从JTCLK下降沿的这个引脚中跳出。 如果不使用,则应保持此引脚未连接。 |
36 | 数控 | CI |
I |
携带 [CI]。输入。此引脚上的上升沿导致 RSER 和 RSIG 从高 Z 状态出来,并且 TSER和TSIG将在下一次上升时开始采样 RSYSCLK/TSYSCLIK 的边缘开始 I/O 8 位或 256 位数据的序列。 |
54 | 数控 | CO | O | 执行 [CO]。在以下情况下设置为高电平的输出 8 或 256 IBO 输出序列的最后一位具有 发生在RSER和RSIG上。 |
交错式PCM总线操作(IBO)
新型DS21352/354/552/554 SCT具有允许多个SCT共享PCM总线进行数据或信令传输的功能。这可以通过在内部对 RSYSCLK 和 TSYSCLK 输入进行选通来实现 SCTs。启用此功能后,2 个或 4 个 SCT 可以分别共享 4.096 MHz 或 8.192 MHz 总线。有 4 个寄存器位和两个硬件引脚用于控制交错总线操作 (IBO)。使用 IBO,用户必须首先将 IBOEN 位设置为逻辑 1。然后通过 INTSEL 位选择字节或帧交错模式。MSEL1 和 MSEL2 共同确定该特定 SCT 的从模式或主模式,以及多路复用的 SCT 数量。两个器件需要 4.096 MHz 时钟才能应用于 RSYSCLK 和 TSYSCLK,而四个器件需要 8.192 MHz 时钟。弹性存储需要启用并设置为 2.048 MHz 模式。图 1 显示了相应的硬件连接。
图1.IBO的硬件连接。
主 SCT 不会使用 CI 引脚,而是使用 RSYNC/TSSYNC 引脚。主SCT的CI引脚应接低电平。每个帧或多帧 SYNC/TSSYNC 输入信号将重置每个 SCT 的 IBO 计数器,并使主 SCT 的 I/O 能够根据字节或帧交错移动 8 位或 256 位。在 8千或 256千位,主 CO 引脚将变为高电平。该信号可用于下一个SCT的CI引脚。如果在任何时候有新的帧或多帧RSYNC/TSSYNC输入信号与现有帧或多帧边界异步,则主SCT和每个从站上的IBO计数器将被复位。当 SCT 未主动输出数据时,RSER 和 RSIG 引脚将处于高 Z 状态。有关时序约束,请参见图2,有关CI和CO的建立和延迟时间,请参见表6。
图2.IBO时间。
RSIG仅在每个时隙的最后四个时钟期间输出数据。
B1 是 MSB。Bn是LSB。n=8 表示字节交错。n=256 表示帧交错。
表 4.用于IBO操作的寄存器位
寄存器位 | 描述 | 逻辑 '0' | 逻辑 '1' |
IBOEN | 交错总线操作启用 | 禁用 IBO |
IBO禁用了IBO启用。在这种模式下, 必须 连接 TSYSCLK 和 RSYSCLK 必须一起启用弹性存储 2.048 MHz 模式。 |
英特尔 | 交错选择 | 字节交错 | 帧交错。 |
MSEL1 | 主选择位 1 | 见表5 | 见表5 |
MSEL2 | 主选择位 2 | 见表5 | 见表5 |
表 5.MSEL1 和 MSEL2 位函数
MSEL1 | MSWL2 | 功能 |
0 | 0 | 从设备 |
1 | 0 | 带 1 个从设备的主器件(4.096 MHz 时钟) |
0 | 1 | 带 3 个从设备的主设备(8.192 MHz 时钟) |
x | x | x |
表 6.IBO操作的交流特性
参数 | 象征 | 最小值 | 典型值 | Max | 单位 |
CI 的设置时间 | T1 | 20 | ns | ||
在 SYSCLK/TSYCLK 上出现上升沿后的延迟时间。 CO 将在整个 RSYSCLK/TSYCLK 期间保持高电平。 |
T2 | 50 | ns |
HDLC控制器 DS21352/354/552/554 SCT将包含一个基于现有HDLC的增强型
HDLC控制器
DS2152中的控制器。每个控制器将具有以下功能:
用于 TX 和 RX 的 64 字节缓冲区
选择要通过 HDLC 控制器传递的任何时隙或多个时隙(甚至是不连续的时隙)
选择单个DS0中的任何位或多个DS0中的相同位
DS21x52 SCT中的HDLC控制器将与现有的HDLC控制器完全向后兼容。 DS2152中的HDLC控制器。DS2152中的面向位码(BOC)控制器也将在 DS21x52器件。此功能仅对扩展中的设施数据链路应用程序是必需的 超帧格式(ESF),因此在DS21x54器件中省略。
发送时钟多路复用器控制
DS2152和DS2154在TCR1和TCR1中具有丢失时钟多路复用控制(LOTCMC)位,并且 分别是CCR2控制寄存器。启用这些位允许TCLK连接到RCLKO 内部,如果在 TCLK 没有发生转换。新的TCMC位使TCLK能够连接到RCLKO 内部与 TCLK 引脚上的条件无关。
审核编辑:郭婷
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