Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片,传输速度可达6400 MT/s,标志着DDR5内存性能的飞跃。随着CPU频率和核心数量的增加,如果内存性能跟不上CPU的性能,就会迅速成为系统瓶颈,Rambus希望通过RCD来解决这个问题。
内存带宽大小在现代计算中非常重要,在数据中心等应用场景下尤为如此。在不久的将来,DDR5内存将提供比DDR4更大的改进,同时可以长期提高内存的理论最大性能。RCD在服务器级内存性能中起着至关重要的作用,使其成为DDR5发展过程中的一个重要里程碑。
为了更深入地了解最新RCD提供的具体益处,本文采访了Rambus数据中心产品工程副总裁John Eble,以了解这项技术对DDR5 DRAM系统设计的重要性。
我们需要一个更大的DIMM
随着人们对AI/ML和HPC应用兴趣的不断增加,数据中心现在比以往任何时候都更渴望高性能内存。用于计算机内存的DDR4标准正在接近其最大理论传输速度。因此,需要DDR5来实现内存的持续可扩展性。
考虑到CPU市场的趋势是指向更高数量的内核,而不是单纯提高时钟频率,因为后者会降低电源效率。特别是对于HPC应用而言,高性能RAM是确保最大计算效率的必要条件。
“随着核心数量的增加,整个芯片不仅需要更大的带宽,还需要更大的容量。因为每个核心所需的带宽和容量要么是平稳增长,要么是缓慢增长,而且核心数量也会增加。”
在服务器级应用中,需要在所有操作条件下保持一致的内存性能,这就是RCD可以提供明显优势的地方。RCD充当CPU和内存模块之间的中介,有助于确保在不同温度和计算负载下保持内存速度。
DDR5速度的持续创新
Rambus最新的RCD实际上是他们的第三代RCD芯片,比Gen1 DDR5设备性能提高了33%。除了6.4 GT/s的惊人内存速度外,RCD电压仅需1.1 V,有助于提高数据中心应用中的电源效率和热性能。更多信息可参阅DDR5 RCD 6400 MT/s产品简介。
6400 MT/s RCD可与Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在检测(SPD)集线器和温度传感器)一起使用,以实现“更智能”的内存。当讨论包含Rambus硬件的DDR5 DIMM时,Eble表示:“有了集线器和热传感器,底板管理控制器(BMC)或CPU可以读取温度,并根据温度做出改变风扇速度、节流或提高刷新率等决定。”
更好,更快,更有效的内存
纵观HPC的最新进展时,很容易被处理器的计算能力所吸引,而忽略了内存的影响。然而,内存性能会迅速削弱最强大处理器的速度,并最终使系统性能低于标准。正是出于这个原因,Eble相信DDR5内存将成为全球数据中心不可或缺的一部分。
用汽车工业来为例,内存和CPU的设计必须紧密结合在一起,Eble表示“最好提前几年进行规划”。
“这就像我们制造的部件是汽车发动机的核心部件一样,内存与CPU紧密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD,那么可以进行更多的独立工作,因为后面可以制作插件。但要让CPU真正发挥作用,它需要与内存紧密合作。”
通常情况下,内存模块的整体性能取决于各种因素,所以仅通过Rambus RCD并不能保证6.4 GT/s的性能。然而,Rambus的持续创新使DIMM制造商看到了能够稳步提高其产品性能的希望。
审核编辑 :李倩
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原文标题:Rambus利用RCD技术实现6.4GT/s DDR5!
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