1 双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新

汽车电子技术 2023-03-02 16:04 次阅读

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机变频器开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是功率半导体器件,可以说是电动车的的核心技术之一,IGBT的好坏直接影响电动车功率的释放速度。特斯拉Model X使用132个IGBT管,其中后电机为96个,前电机为36个IGBT约占电机驱动系统成本的一半。

再比如在在充电桩的应用上,当220V交流市电给电池充电时,需要通过IGBT设计的电源转换电路将交流电转变成直流电给电池充电,同时要把220V电压转换成适当的电压以上才能给电池组充电。

而IGBT模块的封装结构的创新使得双面散热(double-sided cooling, DSC)功率模块比传统单面散热(single-sided cooling, SSC)功率模块具有更强的散热能力和更低的寄生参数。双面散热汽车IGBT器件在丰田(Denso)、通用(Delphi)、特斯拉(ST)等厂家的成功批量应用使得双面散热汽车IGBT器件热测试越加重视。

IGBT广泛运用在了高铁、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT的封装结构主要由IGBT芯片,DBC导热基板,封装材料,电连接端子等组成,芯片主要为Si,SiC,GaN等,DBC覆铜陶瓷导热基板的陶瓷材料主要有Si3N4,AL2O3,ALN等。随着功率电子器件正向高密度化,大功率,小型化发展,大规模运用电子器件给我们的生活带来便利的同时,越来越高功率使得电子器件的散热问题愈发严重。

传统的功率模块采用单面冷却结构,主要包括功率芯片、键合线、功率端子、外框、绝缘基板(DBC)、底板以及内部的灌封胶等,将底板固定在冷却器表面,功率芯片损耗产生的热量通过绝缘基板、底板单方向传导至散热器。但是对于一些小尺寸高功率的模块不能使用传统的单面冷却结构满足其散热需求,双面散热越加重要。

在这样的背景下双面散热汽车IGBT模块同时向正、反两面传导热量,其热测试评估方式需重新考量。很多的科研人员对双面散热功率模块的一维热传递模型进行了研究。

株洲中车时代半导体有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室的罗哲雄、周望君、陆金辉、董国忠,在2022年第12期《电气技术》发布论文,“双面散热汽车IGBT模块热测试方法研究”为双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新提供了非常好的参考。

该论文重点研究双面散热汽车IGBT模块热测试方法。首先提出一种新的双界面热测试思路,然后基于一款双面散热汽车X模块的封装结构设计开发热测试工装,并完成热界面材料的调研与选型,同时对模块不同压装方式进行对比研究,开发出一种适用于双面散热汽车IGBT模块的单面热阻抗测试方法,并成功实现X模块的双面与单面热阻测试,最后对比单面与双面热阻值、实测值与仿真值之间的差异,并讨论差异的产生原因与修正手段。

在论文中提出一种适用于双面散热汽车IGBT模块的双界面散热结构热测试方法,可实现单面热阻测试,对比单面与双面热阻值、实测值与仿真值之间的差异;详细的细节大家可以参考该论文。

综合整理自《电气技术》《电工技术学报》等

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1266

    文章

    3789

    浏览量

    248862
  • 散热
    +关注

    关注

    3

    文章

    507

    浏览量

    31787
  • 功率模块
    +关注

    关注

    10

    文章

    466

    浏览量

    45096
  • 热测试
    +关注

    关注

    0

    文章

    11

    浏览量

    12279
  • IGBT器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    15

    浏览量

    7878
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    AEC-Q102标准:汽车电子散热性能的测试指南

    (AutomotiveElectronicsCouncil)制定的一项重要测试标准,专注于评估汽车电子中使用的分立光电半导体元器件的可靠性和质量。这些元
    的头像 发表于 12-06 17:22 637次阅读
    AEC-Q102标准:<b class='flag-5'>汽车</b>电子<b class='flag-5'>散热</b>性能的<b class='flag-5'>热</b>阻<b class='flag-5'>测试</b>指南

    功率器件设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率
    的头像 发表于 11-05 08:02 1189次阅读
    功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(三)——功率半导体壳温和<b class='flag-5'>散热</b>器温度定义和<b class='flag-5'>测试</b>方法

    功率器件设计基础(一)——功率半导体的

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率
    的头像 发表于 10-22 08:01 1068次阅读
    功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(一)——功率半导体的<b class='flag-5'>热</b>阻

    IGBT主动散热和被动散热 | 氮化硼高导热绝缘片

    摘要:随着绝缘栅双极晶体管(IGBT)向高功率和高集成度方向发展,在结构和性能上有很大的改进,产生问题日益突出,对散热的要求越来越高,IGBT芯片是产生热量的核心功能
    的头像 发表于 09-15 08:03 694次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>主动<b class='flag-5'>散热</b>和被动<b class='flag-5'>散热</b> | 氮化硼高导热绝缘片

    igbt模块的散热方法有几种

    IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件,具有高电压、大电流、高频率等特点。然而,IGBT模块在工作过程中会产生大量的热量,如果散热不良,会导致
    的头像 发表于 08-07 17:15 995次阅读

    IGBT散热器的材料选择

    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率电子器件,广泛应用于电机驱动、电源转换、太阳能逆变器等领域。在这些应用中,IGBT需要承受高电压、大电流和高频率的工作环境,因此其散热问题尤为重要
    的头像 发表于 08-07 15:49 659次阅读

    IGBT散热器的进水出水口的区分方法

    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域,如变频器、电源、电动汽车等。IGBT在工作过程中会产生大量的热量,需要通过
    的头像 发表于 08-07 15:42 609次阅读

    散热第一步是导热

    ,如下图所示。 外壳结构设计 设计 关于整机系统初始散热方式、风量评估的过程,本篇就不再追溯,大家感兴趣的可以看之前的文章。(关于电子产品中风扇应用的基础知识) 本项目
    发表于 08-06 08:52

    影响IGBT功率模块散热的因素

    IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块作为电力电子系统中的核心部件,其散热问题直接影响到系统的稳定性、可靠性和效率。以下是对IGBT功率模块散热问题的详细分析,包括
    的头像 发表于 07-26 17:24 808次阅读

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率电子器件在工作中,由于自身的功率损耗,将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个,一是功率器件导通时,产生的通态
    的头像 发表于 07-19 11:21 786次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>功耗

    IGBT功率器件散热方式

    功率器件的正常运行在很大程度上依赖于散热。常用的散热方式有自冷、风冷、水冷和沸腾冷却四种。
    的头像 发表于 07-15 16:31 1082次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>方式</b>

    关于IGBT模块的散热设计

    由于IGBT模块自身有一定的功耗,IGBT模块本身会发热。在一定外壳散热条件下,功率器件存在一定的温升(即壳温与环境温度的差异)。
    的头像 发表于 03-22 09:58 1.3w次阅读
    关于<b class='flag-5'>IGBT</b>模块的<b class='flag-5'>散热</b>设计

    碳化硅模块使用烧结银双面散热DSC封装的优势与实现方法

    碳化硅模块使用烧结银双面散热DSC封装的优势与实现方法 新能源车的大多数最先进 (SOTA) 电动汽车的牵引逆变器体积功率密度范围从基于 SSC-IGBT 的逆变器的 当然,随着新能源
    的头像 发表于 02-19 14:51 819次阅读
    碳化硅模块使用烧结银<b class='flag-5'>双面</b><b class='flag-5'>散热</b>DSC封装的优势与实现方法

    AOS推出创新双面散热 DFN 5x6 封装

    一款 100V MOSFET—— AONA66916 ,该器件采用AOS创新双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一,帮
    发表于 01-25 15:18 1521次阅读
    AOS推出<b class='flag-5'>创新</b>型<b class='flag-5'>双面</b><b class='flag-5'>散热</b> DFN 5x6 封装

    最具优势的散热方式——界面材料的分类、市场应用及产业现状

    界面材料充分地填充了固体表面缺陷之间的界面间隙,有效地排除了空气,使得产器件散热器件之间的接触更加密切,大大降低了界面接触阻,建立
    的头像 发表于 01-03 15:45 1718次阅读
    最具优势的<b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>方式</b>——<b class='flag-5'>热</b>界面材料的分类、市场应用及产业现状