萨科微slkor技术总监、清华大学李健雄介绍IGBT系列产品
萨科微slkor半导体技术总监、清华大学李健雄介绍说，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型晶体管)和 MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）相结合的电压驱动式功率半导体器件。既有功率 MOSFET 输入阻抗高，控制功率小，易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有双极晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。IGBT 的工作原理是在栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET 导通，这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间呈低阻状态而使得晶体管导通。
若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为 0V，则 MOS 截止，切断 PNP 晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT 与 MOSFET 一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几 V 的直流电压，只有在 uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。根据不同的封装类型，IGBT 产品可分为分立 IGBT 器件和 IGBT 模组两种。清华大学李健雄补充道，萨科微slkor的IGBT系列产品，分立 IGBT 器件就是把单个 IGBT 芯片或单个 IGBT+FRD 进行封装，形成具有特定功能的器件；IGBT 模组是一种比较复杂的封装模式，是将一个分立 IGBT 芯片作为一个单元，然后把这样的 1 个、2 个、4 个，6 个或 7 个单元封装成一个整体模块。萨科微slkor的产品广泛应用于新能源汽车、太阳能光伏、工业产品等上面。
审核编辑黄宇
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