使用DIC技术测量碳化硅SiC纤维束丝的力学性能—测试过程详解-德赢Vwin官网网

碳化硅（SiC）纤维束丝是一种高性能、高温材料，具有优异的力学性能和高温稳定性，在航空航天、能源、化工等领域有广泛的应用前景。为了更好地研究SiC纤维束丝的力学性能，需要进行拉伸测试，以获取其拉伸性能参数，如弹性模量、屈服强度和断裂强度等。

然而，传统的拉伸测试方法对SiC纤维束丝的破坏和损伤较大，难以准确测量其力学性能参数。近年来，随着数字图像相关技术的发展，数字图像相关（DIC）技术被广泛应用于材料力学性能测试中，特别是在纤维材料力学性能测试中，DIC技术可以准确测量材料表面的形变和位移，实现非接触、无损伤的力学性能测试。

因此，本文科准测控小编将介绍DIC技术在SiC纤维束丝拉伸测试中的应用。通过DIC技术对SiC纤维束丝进行非接触式力学性能测试，可以准确测量其拉伸性能参数，并对SiC纤维束丝的微观变形和破坏行为进行分析，为进一步优化其力学性能提供理论依据。

一、测试目的

1、利用电子万能试验机对碳化硅纤维(SiC)束丝进行拉伸测试，获取拉伸强度，弹性模量与断裂点行程应变。

2、利用 DIC 实验技术方法测试 SiC 纤维丝材料样件在单轴拉伸测试中的弹性模量。

二、测试相关标准

本文参考了《GB/T 34520.3-2017 连续碳化硅纤维测试方法第3 部分: 线密度和密度》中关于《GBT1446-2005 纤维增强塑料性能试验方法总则》的要求

二、测试仪器（碳化硅SiC 纤维束丝拉伸测试）

1、仪器和夹具

A、万能试验机

B、气动夹具

C、VIC-2D Gauge 视频引伸计

VIC-2D Gauge 系统的测试过程主要分为四个步骤:

散斑制作:在实验开始前，需要在被测的纤维丝样件表面制作黑白分明的散斑;硬件设置:合理架设、并调整好相机系统，;

软件设置:设置系统采集参数，包括采样帧率、曝光时间、图像分辨率，Gauge 点的添加，引伸计的添加;

数据计算:试验机与视频引伸计同步测量，并计算输出实验结果。

2、试验条件

A、试验温度:室温20°C左右

B、载荷传感器:5KN (0.5 级)

C、试验夹具:1KN气动夹具

D、试验速率:5mm/min

3、样品前准备

试样为已制备完成的碳化硅(Si) 束丝拉伸试样，截面积为 0.12 mm2，标距 150 mm，束丝截面积为0.12mm2，无需后续处理。

夹具选用1KN 气动双推夹具，上下夹具分别夹住碳化硅纤维束丝的保护片部位，随后开始试验。

三、测试流程

1、根据《GB/T 34520.3-2017 连续碳化硅纤维测试方法第3 部分: 线密度和密度》中关于《GB/T 1446-2005纤维增强塑料性能试验方法总则》中测试要求，设定预加载为 10 N，随后开始以5 mm/min 速度加载直到碳化硅束丝试样拉断，测试结束，记录测得的弹性模量，断裂点载荷与最大应力。

2、本次试验使用 VIC-2D Gauge 模块对纤维丝样件拉伸过程进行分析，实时查看样件应变趋势曲线;

3、试验过程试验机位移控制，单向拉伸样件直至样件断裂，并记录拉伸过程应力数据。8um 直径纤维测试两次，11um 直径纤维丝测试两次;

【小总结：综上所述，使用电子万能试验机，配合使用1KN气动拉伸夹具和VIC-2D Gauge 视频引伸计能够对应碳化硅(SiC)纤维束丝拉伸测试的要求，获取应力·应变曲线和所需的弹性模量，拉伸强度，断裂点行程应变等力学参数，应用在碳化硅材料的研究与发展中可以发挥重要作用。】

以上就是小编介绍的DIC技术对碳化硅SiC 纤维束丝拉伸测试内容，希望可以给大家带来帮助！如果您还想了解更多关于碳化硅SiC 纤维束丝的结构特点性能和用途、制备方法和束丝sic纤维增强铝复合材料界面tem研究等问题，欢迎您关注我们，也可以给我们私信和留言，科准测控技术团队为您免费解答！

审核编辑黄宇

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

测试

测试

+关注

关注
8

文章
5269

浏览量
126595
SiC

SiC

+关注

关注
29

文章
2804

浏览量
62601
试验机

试验机

+关注

关注
0

文章
1105

浏览量
16449
dic

dic

+关注

关注
0

文章
7

浏览量
989

碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术

在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势，正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件的技术挑战尽管SiC器件性能优越，但其单晶和外延材料价格较高，工艺不成熟，

发表于 12-06 17:25 •276次阅读

<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET栅极氧化层缺陷的检测<b class='flag-5'>技术</b>

碳化硅SiC在高温环境下的表现

碳化硅（SiC）在高温环境下的表现非常出色，这得益于其独特的物理和化学性质。以下是对碳化硅在高温环境下表现的分析：一、高温稳定性 碳化硅具有极高的熔点，其熔点远高于硅等传统半导体材料

发表于 11-25 16:37 •406次阅读

碳化硅SiC制造工艺详解碳化硅SiC与传统半导体对比

碳化硅SiC制造工艺详解 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，其制造工艺涉及多个复杂步骤

发表于 11-25 16:32 •999次阅读

碳化硅SiC在电子器件中的应用

随着科技的不断进步，电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅（Si）材料在某些应用中已经接近其物理极限，尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅（SiC）作为一种宽带隙（WBG）半导体材料，因其卓越的电学

发表于 11-25 16:30 •516次阅读

碳化硅SiC材料应用碳化硅SiC的优势与性能

碳化硅SiC材料应用 1. 半导体领域 碳化硅是制造高性能半导体器件的理想材料，尤其是在高频、高温、高压和高功率的应用中。SiC基半导体器件

发表于 11-25 16:28 •460次阅读

1200V碳化硅sic功率器件测试及建模

随着电力电力电子技术逐渐向高压大电流方向发展，传统的 Si 基器件由于损耗大、开关速度慢、耐压低等缺点逐渐被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件应用最为广泛，小

发表于 10-17 13:44 •0次下载

sic器件，碳化硅二极管在光伏系统中的成本高吗# #SiC碳化硅 #华燊泰 #光伏

碳化硅

秦仲弘

发布于 :2024年09月25日 17:50:41

碳化硅功率器件的优点和应用

碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能

发表于 09-11 10:44 •494次阅读

碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如双极结晶体管(BJT)、结型场效

发表于 05-30 11:23 •713次阅读

碳化硅模块（SiC模块/MODULE）大电流下的驱动器研究

由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度引起的驱动

发表于 05-14 09:57

SIC 碳化硅认识

1：什么是碳化硅 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学

发表于 04-01 10:09 •1007次阅读

碳化硅芯片设计：创新引领电子技术的未来

随着现代电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，以其优异的物理和化学性能，在功率电子器件领域展现出巨大的应用潜力。碳化硅

发表于 03-27 09:23 •1147次阅读

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌（ZnO）压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻关于EAK碳化硅压敏

发表于 03-08 08:37

SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

发表于 01-20 17:18 •1071次阅读

碳化硅的特性、应用及动态测试

SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。

发表于 01-09 09:41 •1016次阅读