Toshiba推出小巧轻薄型共漏极MOSFET，具有极低导通电阻，适合快速充电设备-德赢Vwin官网网

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，这是一款额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET，用于锂离子(Li-ion)电池组（例如移动设备电池组）的电池保护电路中。今天开始发货。

锂离子电池组依靠高度稳健的保护电路来减少充电和放电时产生的热量并提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，需要能够提供低导通电阻的小巧轻薄型MOSFET。

SSM14N956L采用Toshiba的微工艺，已经发布的SSM10N954L也是如此。这就确保了低功率损耗（由于行业领先的[1]低导通电阻特性）和低待机功率（通过行业领先的[1]低栅源漏电流特性实现）。这些品质有助于延长电池的工作时间。新产品还采用了全新的小型薄型封装TCSPED-302701（2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.)）。

Toshiba将继续开发MOSFET产品，用于锂离子电池组供电设备中的保护电路。

应用

·使用锂离子电池组的消费类电子产品和办公及个人设备，包括智能手机、平板电脑、移动电源、可穿戴设备、游戏机、电动牙刷、小型数码相机、数码单反相机等。

特性

·行业领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

·行业领先的[1]低栅源漏电流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

·小巧轻薄型TCSPED-302701封装：2.74mm x 3.0mm，t=0.085mm (typ.)

·共漏极结构，可轻松用于电池保护电路中

注意：
[1]：在具有相同评级的产品中。截至2023年5月的数据，基于Toshiba的调查结果。

主要规格

（除非另有说明，Ta=25°C）
部件编号	SSM14N956L	SSM10N954L[2]
配置	N沟道共漏极
绝对最大额定值	源极电压VSSS(V)	12
栅极电压VGSS(V)	±8
拉电流（直流）IS(A)	20.0	13.5
电气特性	栅极漏电流IGSS max (μA)	@VGS＝ ±8V	±1
源极导通电阻RSS(ON) typ. (mΩ)	@VGS＝4.5V	1.00	2.1
@VGS＝3.8V	1.10	2.2
@VGS＝3.1V	1.25	2.4
@VGS＝2.5V	1.60	3.1
封装	名称	TCSPED-302701	TCSPAC-153001
典型尺寸(mm)	2.74x3， t=0.085	1.49x2.98， t=0.11
抽样检查和供货情况	在线购买	在线购买

注意：
[2]已发布产品。

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的信息（包括产品价格和规格、服务内容和联系信息）在发布之日是最新的。但如有更改，恕不另行通知。

审核编辑：汤梓红

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