PSRAM完全解读
PSRAM完全解读
一. PSRAM概述
PSRAM即伪静态RAM,要讲到PSRAM首先得从SRAM和DRAM讲起。
SRAM和DRAM都代表易失性的存储形式，当电源掉电时内容丢失。SRAM使用六晶体管存储单元存储数据，速度更快，效率更高(比dram需要更少的功率)，允许数据残留，并且通常更昂贵，接口简单, 驱动简单。
相比之下，DRAM通过结合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和金属氧化物半导体(MOS)电容器来实现数据存储，DRAM芯片更便宜，但需要从外部源不断刷新以保留其电容器上的数据，接口复杂，驱动复杂。
那么有没有一种RAM能结合SRAM和DRAM的优点，即容量大,又接口驱动简单呢,有,因为有以上需求于是PSRAM应运而生，PSRAM接口和SRAM一样简单，驱动简单；而存储形式则和DRAM一样，容量远大于SRAM，介于SRAM和DRAM之间,现在一般是最大64MB。
美光科技联合华邦电子 （Winbond Electronics）、GigaDevice Semiconductor 和 AP Memory Technology 创立了Xccela 联盟, 其中 Xccela Bus 接口即PSRAM使用的接口。
二. PSRAM厂家
PSRAM厂家也有很多,以AP用的最多。
华邦
64Mb
W956D6KBK 1.8V/1.8V 133MHz -40℃~85℃ 4Mb x16 CRAM-ADM - P
256Mb
W968D6DAG 1.8V/1.8V 133MHz -40℃~85℃ 16Mb x16 CRAM - P
W968D6DAG 1.8V/1.8V 133MHz -40℃~85℃ 16Mb x16 CRAM - P
有多种接口,容量可选最大64MB
Apmemory
PSRAM的老大哥,最大到64MB
三.PSRAM详解
以APS256XXN-OBRx DDR Octal SPI PSRAM 为例进行详解。
2.1特征
电源
单电源供电,VDD和VDDQ内部连接,电源范围1.62到 1.98V。
接口
Octal SPI接口支持DDR,即双边沿传输。
支持x8模式(默认)和x16模式,可以通过配置寄存器选择
X8模式,一个CLK传输2个字节数据,x16模式一个CLK传输4个字节数据,因为是双边沿传输。
默认x8模式，可以通过寄存器MR8[6]=1改为x16模式。
性能
时钟最大200MHz,所以最大速度是x8模式400MB/s,x16模式800MB/s。
组织
256Mb X8 模式
一个PAGE大小2048字节 总容量32M x 8bits即32MB
行地址AX[13:0],列地址AY[10:0]
256Mb X16 模式
一个PAGE大小2048字节 总容量16M x 16bits即32MB
行地址AX[13:0],列地址AY[9:0] 一个列地址对应16bits即2字节,所以地址范围是[9:0].
不管什么模式页总是2KB，x16模式页地址只需要CA[9:0]因为单位是2B了。
刷新
自刷新,无需发送命令。
操作温度范围
TOPER = -40°C to +85°C 标准范围
TOPER = -40°C to +105°C 扩展范围
典型待机电流
Halfsleep模式,数据保持,@ 25°C时40µA
最大待机电流
1100µA @ 105°C
680µA @ 85°C
可以看到温度对待机电流影响较大。
低功耗特征
分区自刷新PASR,
自动温度补偿自刷新（ATCSR）,内部自带温度传感器，根据温度控制刷新率,温度越高刷新率越高
软件复位
支持软件命令方式实现上电复位效果
引脚复位
不是所有封装都有
输出驱动能力
LVCMOS输出,驱动能力可以通过寄存器配置
DM/DQS
写操作支持DM
读操作支持DQS,DM,DQS共用引脚。
读写延迟
可通过寄存器配置读写延迟时间
写Burst长度
最大X8模式2048 x8bits ,X16模式1024x16bits
最小X8模式2x8bits ,X16模式2x16bits
即最大一个PAGE的大小,最小时一个总线宽度的呃倍，因为是DDR双边沿传输。
Wrap & hybrid burst
X8模式16/32/64/128/2K 单位Bytes
X16模式16/32/64/128/1K 单位Words(2B)
线性Burst命令
该命令即Burst固定为最大2KB
列地址自动递增
可以通过寄存器配置使能RBX
即读操作时到了页边界,页地址自动递增,而不需要重新发送页地址。
2.2 引脚信号
重点需要理解DQS/DM0和DQS/DM1这两个引脚信号。
DQS和DM复用
DM由主机驱动，表示写时数据是否MASK掉的，为1表示MASK掉即不需要写
DQS由设备驱动，表示数据是否有效的，DQS=1表示数据有效。
可以这样理解，DQS和DM都是谁发数据由谁驱动，告诉接收方对应的字节数据是否有效。
DQS是和DQ数据同时更新的。
| 引脚 | 类型 | 描述 | 说明 |
|---|---|---|---|
| VDD | 电源 | Core 和IO 电源1.8V | VDDQ 内部连接到VDD |
| VSS | 地 | Core和IO 电源地 | |
| A/DQ[7:0] | IO | 地址/数据总线[7:0]注意发送地址始终是用的[7:0],不会用高16位。 | X8 和X16模式使用 |
| DQ[15:8] | IO | 数据总线[15:8] | 只X16 模式使用 |
| DQS/DM<0> | IO | 读数据时DQ[7:0]的DQS信号,设备端驱动,为1表示数据有效。写数据时DQ[7:0]的DM信号,主机端驱动,高有效,DM=1表示MASK掉DQ[7:0]即不写。 | X8 和X16模式使用DQS和DM共用一个引脚 |
| DQS/DM<1> | IO | 读数据时DQ[15:8]的DQS信号,设备端驱动,为1表示数据有效。写数据时DQ[15:8]的DM信号,主机端驱动,高有效,DM=1表示MASK掉DQ[15:8]即不写。 | 只X16 模式使用DQS和DM共用一个引脚 |
| CE# | I | 芯片选择,低有效. CE#=1,芯片进入standby 状态. CE拉低是一次传输的开始。 | |
| CLK | I | 输入时钟 | |
| RESET# | Input | 复位信号,低有效. 可选的内部连接固定电平。 | 不是所有封装都有 |
2.3 框图
可以看到VDD会进入到内部的电源调节器,可以进行电源状态控制,比如PDP和Halfsleep的管理。
PSRAM控制逻辑和IO控制部分会产生行地址,进行列地址计数，分别进行行列地址解码，输入到存储阵列，选择对一个存储单元，通过Data I/O进行数据的写入和读出。
命令地址，模式寄存器，输入到控制逻辑序列，决定上面PSRAM控制逻辑和IO控制部分的逻辑。命令和地址,寄存器的读写不经过Data I/O。
重点是时钟的控制,CLK_int进入时钟缓冲和产生模块,输出CLK_IO给Data I/O用，输出CLK_ctrl给控制逻辑用。
外部接口通过输入输出缓存和内部交互，分别到Data I/O或者到控制逻辑部分，或者到CLK_int
2.4 上电复位初始化时序
上电复位有两种方式,一种是通过RESET#引脚复位(有些封装该引脚未引出),直接电源的上电也是这种方式;还有一种是发送Global Reset命令。两种方式复位的效果一致。
上电复位的效果是所有寄存器恢复到默认状态,RAM中的内容不保证状态。
有几个时间点需要注意
1.复位完成后即可进入SDR模式,既可以进行单速率读。
然后即可进行正常的所有操作（如果是VDD刚上电则需要满足后面相应的条件才能进行PDP和Halfsleep操作)。
2.VDD达到VDDmin至少要≥500uS才能进行所有正常操作,除了Halfsleep之外。
3.VDD达到VDDmin至少要≥1mS才能进行所有正常操作。
2.4.1 RESET#引脚复位
VDD/VDDQ必须达到VDDmin稳定之后,才进入初始化流程。
VDD稳定后进入初始化的阶段1,该阶段必须保持CE#为高,且VDD保持稳定，该阶段至少要保持tPU≥150uS。
阶段1之后的任意时候,在CE#为高时,都可以进行RESET#的拉低来进行复位,拉低时间需要tRP≥1uS
然后释放RESET#,释放时间要≥2uS。所有RESET#引脚复位至少需要3uS，复位过程对应阶段2。
2.4.2 Global Reset命令复位方式
在阶段1之后,任意时间,可以发送0xFF指令进行上电复位，即上图的阶段2部分。
CE#拉低tCSP之后CLK的第一个边沿和第二个边沿发送INST,即A/DQ[7:0]=0xFF,此时DQS/DM
不关心。注意A/DQ[7:0]的建立时间至少要tSP,即CLK上升沿tSP之前数据就要准备好,数据保持时间需要tHD以上,即CLK下降沿之后数据至少还要保持该时间。发完INST之后,CLK再发送3个CLK,最后一个CLk的下降沿tCHP之后CE#开始拉高释放,此时开始真正的复位。
CE#释放拉高之后的tCSP2时间后,CLK不再关心可有可无。tRST时间后复位完成。
即必需tRST时间之后,CE#才能再次拉低，进行后续操作。
相关时序参数值如下:
2.5 接口描述
2.5.1 地址空间
读写数据，地址必须是偶数对齐,即地址的A[0]必须为0, 所以x8模式是2B对齐,x16模式是4B对齐。读写寄存器无该要求,可以指定任意对应可读写的寄存器。
2.5.2 Burst类型和长度
读写默认是Hybrid Wrap 32 模式,可通过寄存器配置为x8模式的16B，32B，64B，2KB，x16模式的16words，32words，64words，1Kwords。
Bursts长度写最少要是x8模式2B，x16模式4B，读无最小限制。
读写的最大Burst长度不受限制,但是一次传输不能超过tCEM的时间。
2.5.3 命令地址发送
CE#拉低之后,指令在第一个CLK的上升沿和下降沿被设备锁存。从第二个CLK开始的2个CLK共4个边沿发送4个字节的地址，都是边沿设备锁存数据。
所以3个CLK共6个边沿发送命令+地址。命令实际只有一个字节，在上下沿保持不变发送的是同样的内容，地址4个字节。
2.5.4 命令表
指令和地址总是只使用A/DQ[7:0]不管是x8还是x16模式。
x16模式 列地址不需要CA10，CA[9:0]足够，因为单位是2字节了。
Linear Burst 命令0x20,0xA0，Burst固定,不受MR8[2:0]的配置影响
只有Linear Burst读支持RBX，即自动页地址递增。
如下图
其中x表示关心可以任意值
A3 = 7'bx, RA[13] {未使用位保留}
A2 = RA[12:5]
A1 = RA[4:0],CA[10:8] { CA[10] 只在 X8 模式有}
A0 = CA[7:0] 注意CA[0]始终是0
MA = 模式寄存器地址
其中Sync Read和Sync WriteBurst的Burst由MR[8:0]配置
Linear Burst Read和Linear Burst Write固定为Linear Burst即页大小，不受MR[8:0]影响，该模式支持RBX(需要寄存器配置使能)。
Mode Register Read和Mode Register Write支持从任意寄存器开始读写(和寄存器的读写属性要对应)。
2.5.5 读操作
CE#拉低后的开始3个CLK发送完命令和地址, 设备从第三个CLK的上升沿即发送A1时开始拉低DQS/DM。
延迟LC时间后,A/DQ[7:0]输出数据,由于内部刷新机制,延迟时间可能是LC~LCx2之间。
第一个DQS/DM的上升沿表示设备输出的数据有效。
不管是x8模式还是x16模式,命令和地址都只使用A/DQ[7:0]，如果是x16模式则返回数据时A/DQ[7:0]输出和A/DQ[7:0]完全一样。
同步读模式
( Synchronous Read )
1.CE#拉低表示一次传输开始,tCSP之后CLK开始拉高发送命令INST
2.在CLK的上升沿之前tSP数据就要准备好,即数据的建立时间
3.CLK下降沿之后tHD之后,数据还需要保持,即数据的保持时间
4.第4个CLK上升沿之后tCQLZ开始拉低,表示PSRAM收到指令了正在准备数据,此时主机还不能去读数据，数据还未就绪。
5.A1对应的上升沿之后的LC时间(默认是5个CLK)，之后设备才会输出数据，这里是读延迟时间。
6.LC之后的第一个上升沿之后的tDQCLK时间后,DQS/DM才会拉高,表示PSRAM输出数据有效 DQS/DM是和DQ数据同步更新的。
7.主机在LC延迟之后,等待DQS的上升沿，捕获到DQS的上升沿后需要延时一段时间才能采样，因为DQS的上升沿DQ也才同步更新，需要一个建立时间之后才能采样数据，后面会讲这个参数。
8.CLK的下降沿tCHD之后,CE#才能拉高。
9.CE#拉高之后tHZ时间后,数据线变为高阻态。
10.CE#拉高必须至少tCPH时间.
11.一次传输至少需要tRC时间
12.一次传输CE#拉低的时间最长tCEM
线性Burst读使能RBX
( Linear Burst Read with RBX (Starting address 0xFE in X8 mode and 0x3FE in X16 mode)
和Synchronous Read一样,如果使能RBX,即(MR8[3]为1则在列地址跨页边界时,会由tRBXWait的时间延迟,然后页地址自动递增继续读。
自刷新导致的读延迟增加
( **Variable Read Latency Refresh Pushout ** )
上图上面部分没有自刷新,延迟时间是3个CLK,下面部分有自刷新,所以延迟时间最大可达2x3=6CLK。
读延迟和tDQSCK
( **Read Latency & tDQSCK ** )
以上可以看到tDQSCKmin和tDQSCKMmax差异可能导致,DQS/DM第一个数据出来的时间差半个CLK,即CLK下降沿锁存数据变为上升沿锁存数据。
tDQSCK最小2nS,最大6.5nS。
**读时DQS/DM 和 DQ **时序
( Read DQS/DM & DQ timing )
1.DQS和DQ是同步更新的。
2.DQS上升沿之后的tDQSQ时间之后,数据才有效，因为需要数据建立时间。所以读数据需要在DQS上升沿之后至少等待tDQSQ才能采样。
3.读数据是以DQS边沿为准而不是以CLK边沿为准了。
2.5.6 写操作
同步写操作
( Synchronous Write followed by any Operation )
1.tCSP,tSP,tHD,tCHD,tCPH,tRC等含义和读一样.
2.写操作x8模式最少需要写2字节,x16模式至少需要写4字节。
3.单字节的写可以通过DQS/DM的MASK来实现,DM=1表示对应字节不写。
4.指令地址总是只使用DQ[7:0], x16模式数据阶段才会使用DQ[15:8].
5.数据阶段DQ[15:8]和DQ[7:0]分别用DM[1]和DM[0]确认是否MASK掉,为1则MASK掉不写对应对应的字节。
写时DQS/DM & DQ的时序
( **Write DQS/DM & DQ Timing ** )
1.CLK上升沿和下降沿建立时间tDS之前准备数据,数据保持时间tDH。即在CLK边沿前的tDS数据就要准备好,tDS后数据才能释放。
3.DM和DQ同步变化。
2.5.7 控制寄存器
寄存器读
寄存器读写始终只使用A/DQ[7:0]
( Register Read )
1.tCSP,tSP,tHD,tRC,tCQLZ,tDQSCK,tCHD,tHZ,tCPH等参数和读数据时含义一样。
2.寄存器6只写,所以上述表格没有MA6
3.读寄存器可指定任意可读寄存器开始, 连续读则D0,D1即开始寄存器和后一个寄存器重复返回,PSRAM驱动DQS会指定只有D0有效,所以主机会重复读到D0,丢弃D1.
4.寄存器读的延迟和读数据的延迟一样,MR0[4:2]决定。
寄存器写
( **Register Write ** )
注意寄存器写没有延迟,即MA之后CLK的下一个边沿即发送MR,也不需要DM。
寄存器内容
寄存器如下，MA6只写，MA1，2，3只读，其他的可读写。
MR0[5] 读延迟类型
延迟类型1表示固定的,0表示可变的。
这里的可变是因为有刷新所以加上刷新时间可能是LC~2xLC之间任意值,
固定就是干脆就直接固定为最大值2xLC，固定的话有时候可以,方便控制器端程序。
MR0[5:2] 读延迟时间设置
延迟时间设置，不同的频率需要设置不同的延迟时间,频率大延迟时间大。
各种操作的延时
写寄存器无延迟或者说延迟是1
读寄存器是LC
写数据延时为WLC
读数据根据FL的设定可能是LC~2LC之间可变或者固定为2LC。
MR0[1:0] 驱动能力
MR1[7] 支持Halfsleep能力
只读，表示是否支持超低功耗
MR1[4:0] 厂商ID
只读，厂商ID
MR2[7:5] 测试状态
只读，表示是否测试OK,默认的Die没有测试时是FAIL状态,测试OK之后设置为PASS
MR2[4:3] 设备ID
只读，设备ID，确认是第几代产品
MR2[2:0] 容量
只读，确认容量大小
**MR3[7] **RBX模式能力
只读，确认是否支持地址自动跨页，如果支持则通过MR8[3]使能
MR3[5:4] 自刷新标志
只读，当前刷新率，由MR4[4:3]和温度决定
MR4[7:5] 写延迟设置
写延迟时间设置
MR4[4:3] 刷新频率设置
刷新频率设置
MR4[2:0] 分区刷新
16位模式只需要10位CA[9:0]既可以表示2K,1024x2B，所以不需要CA10
分区刷新可以减少待机功耗。
** MR6[7:0]**** Halfsleep设置**
MR8 [6] ** x8/x16模式选择**
MR8[2] Burst类型 MR8[1:0] Burst长度
线性Burst命令自动页大下Wrap，同步读命令则根据MR8[1:0]设定 Wrap
不支持RBX，即不支持自动地址递增的，一次只能最多读一页，超过绕回。
**MR8[3] **RBX读使能
需要支持RBX的才能配置，MR3[7]可以确认是不是支持RBX
2.5.8 Halfsleep模式
(Halfsleep **Entry Write (latency same as Register Writes, WL1) ** )
Halfsleep模式下数据保持,
写寄存器MR6为0xF0进入低功耗，写完释放CE后tHS时间后才真正进入低功耗
(Halfsleep **Exit (Read Operation shown as example) ** )
CE拉低触发退出低功耗，但是必须满足拉低时间超过tXPHS再释放，释放时间超过tCSP，tXHS为CE拉低后退出低功耗需要的时间，此时CLK可有可无。
2.5.9 DPD模式 深度休眠模式
深度休眠进入和退出和Halfsleep类似，命令不同，还有就是寄存器内容和存储内容不保存，需要重新初始化。
( **Deep Power Down Entry ** )
( Deep Power Down Exit (Read Operation shown as example) )
2.6 典型参数
主要关注时序参数,其他参数可以参考手册
需要注意的是Halfsleep平均电流很小小于100uA,但是峰值电流可达25mA,持续几十毫秒。
所以最好防止4.7uF到10uF的储能电容到VDD和VSS之间。
直流特性参数
主要注意高电平要大于0.8VDDQ
低电平要小于0.2VDDQ
时序参数
需要注意满足各个参数的最小值
四. 总结
PSRAM有类似SRAM简单的接口,软件驱动简单,而又有DRAM高容量高性价比，所以在IOT领域应用广泛。很多SOC，MCU，MPU都内部封装了PSRAM，用户低成本即可使用大的RAM存储。
PSRAM的时序比较简单,主要根据各个时序图理解每个时序阶段,及其参数。重点要理解DQS/DM是谁驱动的,代表什么意思, 数据采样的时间即DQS上升沿延迟数据建立时间之后采样。
不同PSRAM芯片时序基本一致，了解一个即可。
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