iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：
栅极电容和输出电容更低。
较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作，从而降低了传导损耗。
无需体二极管，因此反向恢复电荷(QRR)低或为零。
GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC电源：前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑依赖于图1所示的半桥和全桥电路。
如果将数字信号处理器(DSP)作为主控制器，并用GaN晶体管替换硅MOSFET，就需要一种新的隔离技术来处理更高的开关频率。这主要包括隔离式GaN驱动器。
典型隔离解决方案和要求
UART通信隔离
从以前的vwin 控制系统转变为DSP控制系统时，需要将脉宽 调制(PWM)信号与其他控制信号隔离开来。双通道ADuM121可用 于DSP之间的UART通信。为了尽量减小隔离所需系统的总体尺 寸，进行电路板组装时使用了环氧树脂密封胶。小尺寸和高 功率密度在AC/DC电源的发展过程中至关重要。市场需要小封 装隔离器产品。
PFC部分隔离
与使用MOS相比，使用GaN时，传输延迟/偏斜、负偏压/箝位和 ISO栅极驱动器尺寸非常重要。为了使用GaN驱动半桥或全桥晶体 管，PFC部分可使用单通道驱动器ADuM3123LLC部分则使用双通 道驱动器ADuM4223。
为隔离栅后的器件供电
ADI公司的isoPower®技术专为跨越隔离栅传输功率而设计， ADuM5020紧凑型芯片解决方案采用该技术，能够使GaN晶体管的 辅助电源与栅极的辅助电源相匹配。
隔离要求
为了充分利用GaN晶体管，要求隔离栅极驱动器最好具有以下 特性：
最大允许栅电压<7 VV
开关节点下dv/dt>100 kV/ms ，CMTI为100 kV/μs至200 kV/μs
对于650 V应用，高低开关延迟匹配≤50 ns
用于关断的负电压箝位(–3 V)
有几种解决方案可同时驱动半桥晶体管的高端和低端。关于传 统的电平转换高压驱动器有一个传说，就是最简单的单芯片方 案仅广泛用于硅基MOSFET。在一些高端产品（例如，服务器电 源）中，使用ADuM4223双通道隔离驱动器来驱动MOS，以实现紧 凑型设计。但是采用GaN时，电平转换解决方案存在一些缺点， 如传输延迟很大，共模瞬变抗扰度(CMTI)有限，用于高开关频率 的效果也不是很理想。与单通道驱动器相比，双通道隔离驱动 器缺少布局灵活性。同时，也很难配置负偏压。表1对这些方法 做了比较。
| 解决方案 | 技术 | 优点 | 挑战 | ADI产品 |
| 集成高端和低端驱动器 | 电平转换 | 最简单的单芯片解决方案 | 大延迟时间、有限的CMTI、 外部自举电路 | |
| 双通道隔离集成驱动器 | 磁性 | 单芯片解决方案 | 牺牲布局灵活性、 需要时间给自举电容充电 | ADuM4223 |
| 单通道隔离驱动器 | 磁性 | 易于布局、高CMTI、 低传输延迟/偏斜 | 需要外部辅助电源 | ADuM3123, ADuM4121 |
| 隔离器和isoPower | 磁性 | 布局灵活、负偏压配置简单、 无自举电路 | 成本高、EMI问题 | ADuM110+ ADuM5020 |
图2. 在isoPower器件中实现UART隔离和PFC部分隔离，需要采用iso技术及其要求。
对于GaN晶体管，可使用单通道驱动器。ADuM3123是典型的单通 道驱动器，可使用齐纳二极管和分立电路提供外部电源来提供 负偏压（可选），如图3所示。
图3. 用于GaN晶体管的单通道、隔离式isoCoupler驱动器。
新趋势：定制的隔离式GaN模块
目前，GaN器件通常与驱动器分开封装。这是因为GaN开关和隔 离驱动器的制造工艺不同。未来，将GaN晶体管和隔离栅驱动器 集成到同一封装中将会减少寄生电感，从而进一步增强开关性 能。一些主要的电信供应商计划自行封装GaN系统，构建单独的 定制模块。从长远来看，用于GaN系统的驱动器也许能够集成到 更小的隔离器模块中。如图4所示，ADuM110N(等微型单通道驱动 器（低传输延迟、高频率）和isoPower ADuM5020设计简单，可支 持这一应用趋势。
图4. iCouplerADuM110N和 isoPowerADuM5020非常适合Navitas GaN模块应用。
结论
与传统硅基MOSFET相比，GaN晶体管具有更小的器件尺寸、更低的导通电阻和更高的工作频率等诸多优点。采用GaN技术可缩小解决方案的总体尺寸，且不影响效率。GaN器件具有广阔的应用前景，特别是在中高电压电源应用中。采用ADI公司的iCoupler®技术驱动新兴GaN开关和晶体管能够带来出色的效益。
参考电路
Bismuth、Alain。"针对数据中心能源效率即将到来的硬件革命。"GaN Systems, Inc.，2020年4月。
"EiceDRIVER 1EDF5673K和1EDS5663H。"Infineon Technologies AG，2018年5月。
"GN001应用简报：如何驱动GaN增强模式HEMT。" GaN Systems, Inc.，2016年4月。
Oliver、Stephen。 "GaN功率IC：通过集成提升性能。." 慕尼黑Bodo功率会议。Navitas，2017年12月。
作者
Robbins Ren
Robbins Ren是中国深圳的一名现场应用工程师。Robbins于2010年加入ADI公司，负责为中国通信客户提供电源和iCoupler产品支持。他获得华南理工大学电力电子硕士学位。
审核编辑黄宇
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