10.1.3 碰撞电离MOS器件∈《集成电路产业全书》-德赢Vwin官网网

10.1.3 碰撞电离MOS器件∈《集成电路产业全书》

Impact Ionization MOS

撰稿人：清华大学许军梁仁荣

https://www.tsinghua.edu.cn

审稿人：北京大学张兴蔡一茂

https://www.pku.edu.cn

10.1 非传统新结构器件

第10章集成电路基础研究与前沿技术发展

《集成电路产业全书》下册

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