EMI502NF08VM-10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
ISSIIS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一种高速SRAM芯片，位宽256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的设备。当CE为高电平时，器件进入待机模式下的功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE可以轻松扩展内存。有效的低写入使能(WE)控制存储器的写入和读取。同时支持工业和汽车温度。完全静态操作,无需时钟或刷新。IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND采用JEDEC标准44引脚TSOP-II封装。
伟凌创芯国产SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位宽256K x 8高速静态随机存取SRAM芯片，使用(8)条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度快于读取周期的地址访问时间。而EMI502NF08VM-10C允许通过数据字节控制(UB,LB)访问上下字节。快速访问时间10ns，采用JEDEC标准44引脚TSOP-II封装。该器件采用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它是特别适用于高密度高速系统应用。此款EMI502NF08VM-10C国产SRAM芯片PIN2PIN替换IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND。代理商英尚微电子支持提供样品测试及产品技术解决方案。
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注国产SRAM芯片存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。深挖客户应用，依托强大的研发实力，融合世界前沿的技术理念快速响应客户的变化需求，为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
-
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163758 -
sram
+关注
关注
6文章
767浏览量
114671 -
ISSI
+关注
关注
1文章
32浏览量
22517
发布评论请先 登录
相关推荐
是否有可配置rs232和rs422输出的芯片？或者pin2pin兼容的转换芯片？
支持480M以上速率的，有和TUSB2046可以直接Pin to Pin替换的吗？
DAC8565和dac8555的管脚是pin对pin的，两者能直接相互替换吗？
TPA3128D2输入信号的耦合电容(PIN4/PIN10)着大小有什么区别不？
THS4131 Pin5和Pin6之间在上电瞬间会有火花，为什么？
【紫光同创盘古PGX-Nano教程】——（盘古PGX-Nano开发板/PG2L50H_MBG324第十章）SRAM 读写实验例程说明
AiP74AHC1G08和AiP74AHCT1G08是高速硅栅CMOS器件,它们具有2输入与门功能,PIN替换SN74AHC1G08DBV
sim卡pin码怎么设置 sim卡pin码怎么重置
国产交换机产品，裕太微解决方案（YT9215x、YT9218x）
工商网监
评论