6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

无线充电 技术作为近年来快速发展的电力传输方式，其 基本原理和应用范围广泛，为人们的生活带来了极大的便利。以下将详细阐述无线充电 技术的 基本原理、主要类型、

碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

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随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子 技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。 碳化硅（SiC）功率 器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介

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碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺 生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的 碳化硅 器件均在外延材料上实现，高质量的

无功补偿装置的 基本原理及作用

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无功补偿的意义及 基本原理

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