6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》-德赢Vwin官网网

6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.3 p型区的离子注入

6.1 离子注入

第６章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

SiC

SiC

+关注

关注
29

文章
2804

浏览量
62604

SiC的离子注入工艺及其注意事项

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本

发表于 11-09 11:09 •311次阅读

源漏离子注入工艺的制造流程

与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器

发表于 11-09 10:04 •294次阅读

碳化硅功率器件在能源转换中的应用

碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的

发表于 10-30 15:04 •203次阅读

碳化硅功率器件的工作原理和应用

碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本

发表于 09-13 11:00 •533次阅读

碳化硅功率器件的优点和应用

碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率

发表于 09-11 10:44 •496次阅读

SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅

发表于 04-29 11:49 •1200次阅读

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌（ZnO）压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻关于EAK碳化硅压敏

发表于 03-08 08:37

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用

发表于 02-29 14:23 •1635次阅读

什么是离子注入？离子注入的应用介绍

离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。

发表于 02-21 10:23 •5055次阅读

简单认识碳化硅功率器件

随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介

发表于 02-21 09:27 •1146次阅读

碳化硅产业链图谱

共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电

发表于 01-17 17:55 •634次阅读

碳化硅特色工艺模块简介

材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面：注入掺杂在碳化硅

发表于 01-11 17:33 •850次阅读

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子

发表于 01-09 09:26 •2835次阅读

碳化硅器件领域，中外的现况如何？

导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到

发表于 12-27 10:08 •441次阅读

碳化硅离子注入和退火工艺介绍

统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度

发表于 12-22 09:41 •3001次阅读