1 干货 | 第三代半导体器件可靠性检测知多少?-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

干货 | 第三代半导体器件可靠性检测知多少?

广电计量 2022-06-20 15:33 次阅读

第三代半导体作为一种理想的半导体材料,在新一代信息技术、新基建等领域得到了愈发广泛的应用。根据CASA(第三代半导体产业技术创新战略联盟) Research数据显示,2020年,我国第三代半导体产业整体总产值约7100亿元,其中约7000亿是LED相关产业,市场相对成熟;而SiC、GaN电力电子和GaN微波射频产值加起来约100 亿元,但同比增长分别达到54%和80.3%。截至2020年底,国内从事第三代半导体电力电子和微波射频的企业超过170家,虽然整体产业规模和市场份额还较小,但是增长空间巨大,极具应用潜力,政策也在加码扶持。

对于国内企业而言,要获取市场信任,检测是证明第三代半导体质量与可靠性的可行手段,同时也是提高其质量可靠性的重要保障。为了更好地为行业解读第三代半导体检测需求,本文特邀广电计量元器件筛选与失效分析中心总监李汝冠博士分享其对第三代半导体的认识。

李汝冠 广电计量元器件筛选与失效分析中心总监

电子科技大学博士,高级工程师,半导体相关领域近10年工作经验,曾获工信部“国防科技进步二等奖”,广东省人社厅“2020年度广东省百名博士博士后创新人物”,主持省部级科研项目三项、参与重大课题研究六项,授权国家发明专利7件、实用新型专利1件,发表学术论文二十余篇,其中SCI收录15篇。

①第三代半导体是什么?

目前国内将半导体划分为第一代、第二代和第三代。

第一代半导体指的是硅(Si)和锗(Ge)元素半导体,以Si为主。目前世界上Si占半导体器件的95%以上,99%的集成电路都是由Si材料制作的。

第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体为主,GaAs技术相对成熟已广泛应用于信息通信产业,但由于原材料昂贵且具有毒性所以具有一定的局限性。InP主要用于光纤通讯技术和毫米波通讯,但是高质量的InP 单晶的制备更加困难,InP比GaAs更加昂贵。

第三代半导体也就是宽禁带半导体,包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、氧化钾(Ga2O3)、金刚石等。Ga2O3又被称为超宽禁带半导体,金刚石被成为“终极半导体”; 最具代表性、目前最具发展潜力的第三代半导体是GaN和SiC;第三代半导体虽是一种很理想的半导体材料,但存在着生长困难、大尺寸技术未成熟、良率低、成本高等问题。

②第三代半导体和第一代、第二代半导体的关系是什么?

需要指出的是,第三代并不是要完全替代第一代、第二代的意思。因第三代半导体是在一些场合中具有比Si器件明显的优势,而成为新一代信息技术产业和新基建的七大领域不可或缺的半导体材料。

图:各种半导体禁带宽度示意图

上图体现了第一代、第二代、第三代半导体之间禁带宽度的差异--第三代半导体的禁带宽度几乎是前面两者的3倍。这为第三代半导体带来许多优势,简单来讲就是第三代半导体器件有“三高”:高频率、高功率、高耐温。同时第三代半导体在应用上能够降低能耗、减小体积、减小重量,简单来说是有三低:能耗低、体积小、重量轻。

③第三代半导体的应用领域及优势

第三代半导体在新基建七大领域都有其广泛的应用前景。在5G基站领域, GaN PA(即氮化镓功率放大器)是5G基站的最优选择,预计在2025年前,我国 5G 宏基站预计将建设超过500万站,而5G宏基站、微基站、及毫米波基站带来的GaN PA 市场规模将超过1000亿元,而特高压、高铁和轨交、充电桩、大数据中心等高压大功率领域都将是SiC的天下。

同时第三代半导体对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。

④第三代半导体检测需求

未来 5 年将是第三代半导体产业发展的关键期。然而,产业的发展与前进通常是在曲折中探索,其中一个需要解决的就是信任问题。第三代半导体及器件为新材料、新器件、新技术,如何证明其质量与可靠性已具备使用条件?而这背后的实质,则是缺乏长期、大规模应用的历史数据。产业技术的发展尤为依赖大量检测数据支撑(性能测试、可靠性评估试验、分析表征等)。

目前第三代半导体的检测需求包含性能测试、可靠性评估试验、分析表征等一般性测试,同时由于第三代半导体的特点,目前国内外也提出了一些针对与第三代半导体的特殊检测需求。

大分类

项目

简称(涉及到的相关内容)

性能参数测试

静态参数测试

BVDSS/VGS(th)/IDSS/IGSS/RDS(on)/gfs/Cies/Coes/Cres……

动态参数测试

td(on) / td(off) / Tr / tf / Eon / Eoff / QG / Trr / Qrr……

极限能力测试

IFRM、IFSM、UIS

微波参数测试

RL / IL / Gain / Pout / Efficiency……

ESD测试

HBM/CDM/TLP

专用测试

/

可靠性评估

湿热试验

TH/UHAST/Autoclave

高温高湿反偏试验

H3TRB/HAST/AC-HTC

温度循环试验

TC

功率循环试验

PC/IOL

高温工作寿命试验

HTRB/HTGB/HTOL/RF-HTOL

高低温贮存试验

HTSL/LTSL

低压试验

LPT

超长时间连续试验

/

分析仪器

无损分析

X-Ray/SAT

热分析

Electrical method/ Infrared radiation/ Raman scattering/ Thermoreflectance imaging

元素成分分析

EDS/XPS/SIMS

结构分析

XRD/Raman

材料形貌分析

SEM/TEM/AFM

缺陷定位分析

EMMI/OBIRCH

微区定点制样

DB-FIB

第三代半导体特殊检测需求,主要包括电流崩塌、动态参数、栅氧缺陷的参数分离、高压H3TRB及高压HAST、动态H3TRB、超高温的温度循环、超高温的高温工作、超长时间连续试验、热分析技术、SiC MOS体二极管双极性退化、SiC MOS偏压温度不稳定性等等。

l电流崩塌 :GaN HEMT特有的电流崩塌现象,需要准确评估 。

l动态参数测试:SiC及GaN FET有更快的开关速度及边缘速率,在动态参数测试设备开发上面临新的挑战,如何确保测试结果的可重复性及可靠性是急需攻克的难题

l栅氧缺陷的参数分离 :SiC MOS栅氧缺陷的参数分离分析系统,由于栅氧界面附近缺陷的作用,相比于Si器件,SiC MOSFET器件的性能不稳定问题是一个突出的新问题。栅氧界面缺陷及性能不稳定性是SiC MOSFET器件性能评测的重要参数,开发其测试技术和测试装备不但对于器件性能评测,而且对于指导优化制造工艺具有非常重要的作用和实际意义。

⑤广电计量解决方案

第三代半导体具有广泛的应用,已成为战略物资,被美国列入301管制清单。检测是提高半导体器件质量与可靠性的重要保障,广电计量作为国有检测机构,在我国第三代半导体发展过程中,秉承国企担当,为光电子、电力电子、微波射频等第三代半导体三大应用领域构筑了较为全面的能力。目前,广电计量在光电子检测领域合作客户数十家,涉及型号近百个;在电力电子领域,覆盖了现行所有可靠性测试标准,单在SiC领域合作客户十余家,涉及产品型号超过30个;在微波射频领域,助力完成国内第一个车规标准的微波射频的测试,并向更高频率、更高功率领域布局。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27286

    浏览量

    218028
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    第三代半导体产业高速发展

    当前,第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业高速发展。其中,新能源汽车市场的快速发展是第三代半导体技术推进的重要动力之一
    的头像 发表于 12-16 14:19 196次阅读

    第三代宽禁带半导体:碳化硅和氮化镓介绍

    ,被称为第三代宽禁带半导体。 优势 高温、高频、高耐压:相比第一(Si、Ge)和第二(GaAs、InSb、InP)半导体材料,
    的头像 发表于 12-05 09:37 271次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b>宽禁带<b class='flag-5'>半导体</b>:碳化硅和氮化镓介绍

    第三代半导体氮化镓(GaN)基础知识

    第三代半导体氮化镓(GaN)。它以其卓越的性能和广泛的应用领域,在科技界掀起了一阵热潮。   今天我要和你们聊一聊半导体领域的一颗“新星”——第三代
    的头像 发表于 11-27 16:06 376次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>氮化镓(GaN)基础知识

    第三代半导体的优势和应用

    随着科技的发展,半导体技术经历了多次变革,而第三代半导体材料的出现,正在深刻改变我们的日常生活和工业应用。
    的头像 发表于 10-30 11:24 505次阅读

    万年芯荣获2024第三代半导体制造最佳新锐企业奖

    芯微电子有限公司携“碳化硅模块器件共性问题及产业协同解决思路”出席,并荣获2024第三代半导体制造最佳新锐企业奖。本次大会核心围绕着第三代半导体
    的头像 发表于 10-28 11:46 334次阅读
    万年芯荣获2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>制造最佳新锐企业奖

    万年芯荣获2024第三代半导体制造最佳新锐企业奖

    芯微电子有限公司携“碳化硅模块器件共性问题及产业协同解决思路”出席,并荣获2024第三代半导体制造最佳新锐企业奖。本次大会核心围绕着第三代半导体
    的头像 发表于 10-25 15:20 57次阅读
    万年芯荣获2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>制造最佳新锐企业奖

    第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统

    扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广,系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富,在保证系统稳定运行的同时,可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。 系统优势 高温高压高精度:dv/dt>
    发表于 10-17 17:09

    第三代半导体半导体区别

    半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的电学性质,是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展,半导体材料经历了从第一
    的头像 发表于 10-17 15:26 1016次阅读

    瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
    的头像 发表于 06-24 09:13 793次阅读
    瞻芯电子<b class='flag-5'>第三代</b>1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级<b class='flag-5'>可靠性</b>测试认证

    2024北京(国际)第三代半导体创新发展论坛即将召开

    第三代半导体是全球半导体技术研究和新的产业竞争焦点,具有战略和市场双重特征,是推动移动通信、新能源汽车、高速列车、智能电网、新型显示、通
    的头像 发表于 05-20 10:15 803次阅读
    2024北京(国际)<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>创新发展论坛即将召开

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统介绍

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统KC-3105。该系统凭借高效精准、可灵活定制、实时保存测试结果并生成报告、安全防护等优秀性能。严格遵循《AQG 324机动车辆电力电子转换器单元用功率模块
    发表于 04-23 14:37 4次下载

    一、二、三代半导体的区别

    在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下,第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求,碳化硅和氮化镓等第三代
    发表于 04-18 10:18 3021次阅读
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的区别

    2023年第三代半导体融资超62起,碳化硅器件及材料成投资焦点

    德赢Vwin官网 网报道(文/刘静)在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域的需求带动下,第三代半导体市场近几年高速增长。尽管今年半导体经济不景气,机构投资整体更理性下,第三代
    的头像 发表于 01-09 09:14 2287次阅读
    2023年<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>融资超62起,碳化硅<b class='flag-5'>器件</b>及材料成投资焦点

    第三代半导体龙头涌现,全链布局从国产化发展到加速出海

    第三代半导体以此特有的性能优势,在半导体照明、新能源汽车、新一移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。2020年9月,第三代
    的头像 发表于 01-04 16:13 1244次阅读

    第三代半导体的发展机遇与挑战

    芯联集成已全力挺进第三代半导体市场,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设。短短两年间,芯联集成便已成功实现技术创新的次重大飞跃,器件性能与国际顶
    的头像 发表于 12-26 10:02 978次阅读