纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt！-德赢Vwin官网网

NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

可广泛应用于

•光伏、储能等新能源领域

•空调压缩机、工业电机驱动

•高效高密度工业、通信、服务器电源

•半桥、全桥、LLC电源拓扑

如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装形式。

NSD1624功能框图

NSD1624简化应用电路

解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt的痛点

图一：半桥驱动IC典型应用电路图示

图二：Q1、Q2管子开关过程中，SW产生震荡和负压

上图一所示是半桥驱动IC非常典型的应用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动IC SW pin 耐负压能力比较低，就会导致IC损坏。

SW pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。

SW 的电压 Usw=-Lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在SW上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即Lss 值越大，则SW产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动IC。

此外，开关频率越大，SW产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动IC dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动IC内部逻辑错误，可能会使得驱动IC的HO 和 LO同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。

纳芯微创新地将隔离技术方案应用于NSD1624 高压半桥IC中，很好解决了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得NSD1624 SW pin 电压能够承受高达±1200V，可以承受非常高的负压；同时dV/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 NSD1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。

产品特性

•高压侧电压范围：1200V (SOP14封装)；700V (SOP8 / LGA10 封装)

•SW pin耐压：±1200V (SOP14封装)；±700V (SOP8 / LGA10 封装)

•高压侧dV/dt抗干扰能力：100kv/us

•驱动电流能力：+4/-6A

•VDD最大耐压值：24V

•两通道都具备欠压保护

•典型传播延时：22ns

•最大延时匹配：7ns

•工作环境温度：-40℃ ~ 125℃

•符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8/SOP14/LGA10

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

驱动芯片

驱动芯片

+关注

关注
13

文章
1277

浏览量
54586

纳芯微CTO盛云:打开纳芯微研发体系

协议，基于大陆下一代全球平台进行芯片产品的联合开发。纳芯微德国慕展首秀这个项目令纳芯

发表于 12-19 11:09 •108次阅读

强电流能力，高瞬态负压、高引脚耐压 600V高压半桥驱动 TMI87162

TOLL新推出强电流能力，高瞬态负压、高引脚耐压，600V高压半桥驱动TMI87162，该产品

发表于 11-25 12:04 •159次阅读

强电流能力，<b class='flag-5'>高</b>瞬态<b class='flag-5'>负</b><b class='flag-5'>压</b>、<b class='flag-5'>高</b>引脚耐压 600V<b class='flag-5'>高压</b>半桥<b class='flag-5'>驱动</b> TMI87162

纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案

了更高的要求。按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型；按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用

发表于 11-14 09:22 •318次阅读

<b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b>提供全场景GaN<b class='flag-5'>驱动</b>IC解决方案

供应SW1108P集成氮化镓直驱的高频准谐振IC

概述 SW1108P 是一款针对离线式反激变换器的高性能高集成度准谐振电流模式 PWM 控制器。 SW1108P 内置 6V 的驱动电压，可直接用于

发表于 11-04 09:00

负压传感器芯片安装与使用指南

负压传感器芯片通常具有以下特性： - 高灵敏度：能够精确测量微小的负压变化。 - 宽测量范围：适合于多种应用场景。 - 快

发表于 10-23 13:45 •200次阅读

GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片

发表于 08-22 09:23 •402次阅读

AMEYA360：纳芯微高集成单芯片SoC如何高效智能控制车载步进电机？

随着现代汽车电子技术的快速发展，步进电机作为一种精确且可靠的执行元件，在汽车电子系统中的应用日益广泛。为了实现车载步进电机应用的精确控制，纳芯微

发表于 08-01 11:44 •1168次阅读

纳芯微GaN HEMT驱动芯片NSD2017在激光雷达中的优势

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片

发表于 07-01 10:42 •706次阅读

微步控制步进电机驱动NSD8381调试指南

本文将结合具体的案例，针对纳芯微全新发布的微步控制步进电机驱动NSD8381，在用于步进电机控制

发表于 05-29 14:10 •2658次阅读

Buck电路EMI高风险区域揭秘

标准的矩形波，电压波形跳变具有明显的激增和骤降，存在高dv/dt，高频分量饱和程度也是拉满。结合上节提到的寄生电容和分布电感，给共模噪声的产生做了巨大贡献。

发表于 03-26 11:46 •1181次阅读

纳芯微：8通道1Ω车载低边驱动全新发布！

针对汽车电气化与智能化涌现出越来越多的高压继电器、车身LED、单极性步进电机等负载，纳芯微推出全系列车规级低边驱动产品以满足不同通道电流，集

发表于 03-20 14:51 •589次阅读

纳芯微8通道1Ω车载低边驱动全新发布！支持负载开路诊断功能！

针对汽车电气化与智能化涌现出越来越多的高压继电器、车身LED、单极性步进电机等负载，纳芯微推出全系列车规级低边驱动产品以满足不同通道电流，集

发表于 03-20 13:39 •1074次阅读

纳芯微推出NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片

纳芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，这款产品具有出色的

发表于 01-15 15:14 •1946次阅读

纳芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片

纳芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，覆盖4/8路半桥

发表于 01-12 14:07 •1794次阅读

LTC1624 TG、SW波形异常产生的原因？

项目中使用LTC1624这个IC，用于24V to 5V@1A，原理图如下现在测试发现 TG 以及 SW引脚的波形异常，黄色为TG、紫色为SW。但是输出5V是正常的。请帮忙分析一下为何会产生该现象，谢谢~

发表于 01-08 07:49