1 国芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用,可替代C2M0080120D-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

国芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用,可替代C2M0080120D

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2022-11-17 15:18 次阅读

车载OBC又称车载交流充电机,安装于电动汽车上,通过插座和电缆与交流插座连接,以三相或者单相交流电源向汽车提供电源;车载OBC的优点是不管车载电池在任何时候,任何地方需要充电,只要有充电机额定电压的交流插座,就可以对电动汽车进行充电。本文简述了碳化硅MOS B1M080120HC在5-6KW车载OBC上的应用。

车载OBC的工作原理

交流电输入经过D1-D4的全桥整流后,进入交PFC拓扑电路,产生一个高效率的直流电,此时电路的 Q1\Q2开关频率为50KHZ左右,电路中的Q1\Q2选用SIC的MOSFET;然后直流电经过C1滤波到LLC电路,此时Q3\Q4\Q5\Q6的开关频率为100-300KHZ,Q3\Q4\Q5\Q6选用碳化硅MOS;最后整流经过C2对电池进行充电,整个主电路就是一个AC-DC-AC-DC的过程,整个工作的具体流程见下图:

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1117%2F4d36109ap00rlhbqk001mc000k0003tm.png&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

车载OBC主回路原理图

由上图设计一个功率5-6KW的车载OBC,Q1-Q6功率管选用基本半导体碳化硅MOS B1M080120HC。

碳化硅MOS B1M080120HC的相关特征:

基本半导体推出的高性能碳化硅MOS,符合RoHS标准、无铅、不含卤素,非常适用于车载OBC体积及发热要求较高的应用;B1M080120HC耐压1200V,最大通过电流44A(T=100℃),导通电阻80mΩ;

特点:

1. 专为高频、高效应用优化

2. 极低栅极电荷和输出电容

3. 低栅极电阻,适用于高频开关

4. 在各种温度条件下保持常闭状态

5. 超低导通电阻

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1117%2Fb262fa40j00rlhbqk0007c0009m009mm.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

B1M080120HC封装图

应用领域:

1. 车载OBC

2. 光伏能逆变器

3. 大功率储能系统

4. 开关模式电源设备和功率转换器

5. UPS系统

6. 电机驱动器

7. 大功率高压直流/直流转换器

8. 电池充电器和感应加热

9. 充电桩

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 基本半导体
    +关注

    关注

    2

    文章

    72

    浏览量

    10155
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统

    Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
    发表于 10-24 10:51 0次下载

    1200V碳化硅sic功率器件测试及建模

    随着电力电力电子技术逐渐向高压大电流方向发展,传统的 Si 基器件由于损耗大、开关速度慢、耐压低等缺点逐渐被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件应用最为广泛,小电流器件主要
    发表于 10-17 13:44 0次下载

    纳微正式发布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs产品系列

      具备行业领先的温控性能,全新650V1200V碳化硅MOSFETs低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。
    的头像 发表于 06-11 15:46 599次阅读

    单管20元,碳化硅车载OBC普及还有多远?

    简单替代传统的硅基器件为主,碳化硅性能优势并未能完全发挥出来。随着价格战不断升级,成本压力不断增加的情况下,降本或将成为整机乃至整车厂进一步挖掘碳化硅器件
    的头像 发表于 05-29 14:56 567次阅读

    Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其高功率半导体领域的又一重要突破。
    的头像 发表于 05-23 11:34 921次阅读

    先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品

    成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100
    的头像 发表于 05-09 14:25 594次阅读

    碳化硅MOS直流充电桩的应用

    MOS碳化硅
    瑞森半导体
    发布于 :2024年04月19日 13:59:52

    基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

    BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,
    的头像 发表于 04-11 09:22 988次阅读
    基本半导体推出一款<b class='flag-5'>1200V</b> 240<b class='flag-5'>A</b>大功率<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半桥模块

    碳化硅器件在车载充电机(OBC)中的性能优势

    碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%,OBC
    发表于 04-10 11:41 628次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件在<b class='flag-5'>车载</b>充电机(<b class='flag-5'>OBC</b>)中的<b class='flag-5'>性能</b>优势

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V
    的头像 发表于 03-28 10:01 1356次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET <b class='flag-5'>M</b>3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
    的头像 发表于 03-26 09:57 1608次阅读
    安森美发布了第二代<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET—<b class='flag-5'>M</b>3S

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。重复的非线性特性。耐高压。基本是无感的。
    发表于 03-08 08:37

    Qorvo发布1200V碳化硅模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站
    的头像 发表于 03-06 11:43 835次阅读

    Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
    的头像 发表于 03-03 16:02 905次阅读

    联集成与蔚来汽车签署碳化硅生产供货协议

    近日,联集成与蔚来汽车签署了碳化硅模块产品的生产供货协议。根据协议条款,联集成将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的独家生产供应商。
    的头像 发表于 01-31 10:29 457次阅读