审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
- 电力电子
+关注
关注
27文章
534浏览量
48688 - SiC
+关注
关注
29文章
2617浏览量
61985 - 变流器
+关注
关注
7文章
262浏览量
32900
原文标题:基于SiC器件的电力电子变流器研究
文章出处:【微信号:芯长征科技,微信公众号:芯长征科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先登录
相关推荐
Sicmesfet工艺技术研究与器件研究
Sicmesfet工艺技术
研究与
器件
研究针对SiC 衬底缺陷密度相对较高的问题,
研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了
发表于10-06 09:48
现代电力电子器件的发展现状与发展趋势
。多个PEBB模块一起工作可以完成电压转换、能量的储存和转换、阴抗匹配等系统级功能。PEBB最重要的特点就是其通用性。 基于新型材料的
电力
电子器件
SiC(碳化硅)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,可制作
发表于05-25 14:10
报名 | 宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会
技术的机遇和挑战等方面,为从事宽禁带半导体材料、
电力
电子器件、封装和
电力
电子应用的专业人士和
研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的
发表于07-11 14:06
现代电力电子器件的发展现状与发展趋势
、阴抗匹配等系统级功能。PEBB最重要的特点就是其通用性。基于新型材料的
电力
电子器件
SiC(碳化硅)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,可制作出性能更加优异的高温(300℃~500℃)、高频、高功率
发表于11-07 11:11
SiC功率器件的封装技术研究
具有成本效益的大功率高温半导体
器件是应用于微
电子技术的基本元件。
SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,
SiC
发表于09-11 16:12
SiC功率元器件的开发背景和优点
/
电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下,削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说,必须将超过Si极限的物质应用于功率元
器件。例如,利用
SiC功率元
器件可以比IGB
发表于11-29 14:35
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】SiCMOSFET元器件性能研究
项目名称:
SiCMOSFET元
器件性能
研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
发表于04-24 18:09
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】微电网结构与控制研究
项目名称:微电网结构与控制
研究试用计划:本人从事
电力
电子开发与
研究已有10年,目前在进行微电网结构与其控制相关项目,我们拥有两电平和多电平并网逆变器,需要将逆变器功率
发表于04-29 18:26
SiCMOSFET的器件演变与技术优势
尽管自20世纪70年代以来,与
器件相关的
SiC材料
研究一直在进行,但是Baliga在1989年最正式地提出了
SiC用于功率
器件的前景。B
发表于02-27 13:48
三张图了解微电子所在SiCMOSFET器件研制方面取得重要进展
近日,中科院微
电子
研究所微波
器件与集成电路
研究室(四室)碳化硅
电力
电子器件
发表于04-20 11:33
•
2021次阅读
评论