HMC415LP3E功率放大器特性介绍
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC功率放大器。放大器封装在低成本、无引线表面安装封装中，具有暴露的底座，以提高RF和热性能。
在具有最小外部组件的情况下，放大器从+3V电源电压提供20dB的增益、+26dBm的饱和功率和34%的PAE。Vpd可以用于全功率下降或RF输出功率/电流控制。对于+15 dBm OFDM输出功率（64 QAM，54 Mbps），HMC415LP3和HMC415LP3E实现了3.7%的误差矢量幅度（EVM），满足802.11a线性要求
HMC415LP3E典型应用
这个放大器是用作电源的选择用于4.9-5.9 GHz应用的放大器：
802.11a无线局域网
HiperLAN无线局域网
接入点
UNII和ISM无线电
编辑：黄飞
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原文标题：HMC415LP3E功率放大器
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