FLASH和EEPROM之间的差异，使用闪存与EEPROM有什么优缺点？-德赢Vwin官网网

在嵌入式系统中，FLASH和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。单片机开发工程师介绍，在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括FLASH和EEPROM。

在本文中，单片机开发工程师将FLASH和EEPROM两者之间的关系以及背景进行了比较。

一、FLASH和EEPROM之间的差异

SPI闪存和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。

尽管FLASH和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面，FLASH是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中擦除数据，并且可以在字节级别读取或写入数据。

二、使用闪存与EEPROM有什么优缺点？

使用闪存或EEPROM设备有很多优点和缺点：

单片机开发工程师介绍，由于EEPROM以字节为单位运行其擦除功能，因此这增加了清除和编辑设备所花费的时间，但允许开发人员在需要时编辑特定部分。闪存能够擦除大量数据，从而大大提高了擦除速度，并使设备可以更紧凑地存储信息。但是，由于这个原因，它也失去了编辑某些字节的能力，从而迫使开发人员在进行任何更改时都重写整个数据块。

在存储设备上执行多个擦除和写入周期将导致其最终随着时间的推移而降级。使用EEPROM的优点之一是使用寿命更长。EEPROM在其生命周期内最多可以执行1000000个擦除/重写周期。根据闪存的类型，闪存的使用寿命会缩短，大多数闪存产品在磨损开始恶化存储完整性之前，能够承受大约10000至1000000次擦除/写入循环。另外，就大小和成本而言，闪存具有比EEPROM更小的存储单元尺寸，并且实现成本更低。

三、EEPROM和FLASH的类型

EEPROM和FLASH有不同类型。EEPROM支持串行和并行访问，串行EEPROM通过I2C或SPI等串行协议进行接口。因此，它包括数量有限的引脚，并且能够在最少数量的线路上进行操作-通常为2至4条。

并行EEPROM通过使用8位总线的并行通信进行接口，并且需要额外的引脚才能运行-通常最多28到32。尽管并行EEPROM的运行速度比串行EEPROM要快，但由于其简单性，因此首选串行EEPROM，包括SPI和I2C EEPROM。I2C和SPI在众多芯片中被广泛使用。

单片机工程师介绍，闪存也有多种类型，其中最常见的是NAND和NOR闪存。NOR和NAND闪存为某些应用提供不同的优势。NOR闪存提供更快的读取速度和随机访问功能，而NAND闪存更适合于快速写入和擦除数据。与NOR闪存相比，NAND闪存更常用，因为它针对高密度存储进行了优化，并且由于不具有随机访问功能，因此能够实现更小的芯片尺寸和单位成本。

四、FLASH与EEPROM应用

SPI闪存已在嵌入式行业中被广泛使用，通常用于便携式设备中的存储和数据传输。常见设备包括电话、平板电脑和媒体播放器，以及工业设备，如安全系统和医疗产品。闪存对于静态数据应用（例如USB闪存驱动器）有大作用。而EEPROM在嵌入式应用中也很常见，并且经常用于在计算机、电子系统和设备中存储最少的数据量。

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