做电子产品,不免要跟存储类产品打交道,也就是我们说的MEMORY。
MEMORY从类别上可以分两类:RAM和ROM。 目前消费类电子中的ROM几乎都是FLASH型的,主要有NAND和NOR两大类,还有极小一部分是EPROM或者EEPROM的FLASH。而RAM多是SDRAM或者DDRx SDRAM型的。
实际上还有一类MEMORY,也是手机产品通常采用的:MCP。 它实际上是把RAM和ROM包在一起了。而根据内部包的东西,可以分为NAND+SDRAM型、NOR+SDRAM型,eMMC+SDRAM型。这里边eMMC就是NAND型的一种,只不过它里边包了NAND、SDRAM和相应的NAND接口控制器。
具体分类见下图:
我们先来说FLASH。
通常,手机类嵌入式系统里的Flash相当于电脑的硬盘。用来做硬件启动、 软件数据存储和一些用户数据存储的。
NOR FLASH的特点是传输效率高、容量小、贵。 NOR FLASH实行的是芯片内执行,应用程序可以直接跑在NOR上面,而不用把代码取到RAM再读。由于它自身结构特点,很难把NOR FLASH做大,目前能做的最大的就是128MB的,做到这么大的巨贵无比。。。一般都是4MB、8MB以下的应用场景会使用NOR FLASH较多。基于它的特点,手机上已经看不见NOR FLASH了。
NAND FLASH的特点是高的写入和擦除速度、容量大、便宜。 一个8MB的NOR FLASH 比一个128MB的NAND FLASH便宜不了几毛钱,可想而知这个价格差距是有多大。但是NAND有自己的缺点:就是在使用过程中会产生坏块,并且容易产生位反转(NOR也会发生位反转,但概率不高)。这就要求NAND在使用时候CPU要有针对它相应的坏块管理和ECC校验位检测。
NAND还能往下分类,分为SLC、MLC和TLC的,它们是单层单元、多层单元和三层单元。 我说下大概原理。SLC一个晶圆根据它的电压储存一个位,内容为0或1两个数字。MLC一个晶圆能存两位,内容为00、01、10、11四个。TLC就是能存三位了,表示八个数字。可以发现相同晶圆的TLC要比SLC容量多了7倍。但是,MLC是根据电压来分成八位的,存在很多不稳定因素,可靠性极差,擦写次数也很少,大概寿命500次擦写左右,因此一般来讲很少会用MLC。相对来讲SLC的品质就很高,品质好的寿命可以达到上万次的擦写。我们通常使用的以SLC居多,MLC也有少量。
现在,由于工艺的提高,要求元器件尺寸越来越小,NAND和NOR的大尺寸不能满足生产需要,于是一种SPI NAND/NOR FLASH 应运而生。顾名思义,它的本质还是NAND/NOR,只不过接口改用了SPI接口。现在很多CPU都会兼容SPI NAND/NOR的FLASH,让选择可以更多一些。而SPI NAND FLASH由于做了接口处理,所以也有相应的坏块管理功能在里面,减少了CPU的内存资源。
多说一句,我们通常说的SPI FLASH默认指的是SPI NOR FLASH,如果你想要NAND的话一定要特别强调说出来是SPI NAND FLSH。
-
NAND
+关注
关注
16文章
1681浏览量
136117 -
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163759 -
SPI接口
+关注
关注
0文章
258浏览量
34370 -
SDRAM控制器
+关注
关注
0文章
28浏览量
8138
发布评论请先 登录
相关推荐
评论