三星计划2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术-德赢Vwin官网网

etnews报道说，三星电子将把改变半导体结构模式的“BSPDN”技术商用化。背面电源（back-power）是在晶片背面向半导体供电的革新技术，但目前还没有在世界范围内实施。

据业界透露，三星电子最近将配电技术的商用日程具体化。三星电子代工部门最高技术负责人Gitae Jeong最近在研讨会上表示：“计划到2027年在1.4纳米工程中也适用BSPDN。”

据悉，三星电子目前正在开发BSPDN，但具体的商用时期和适用对象尚属首次。该公司解释说，技术开发取得了相当大的进展，而且从半导体委托生产的特性上看，随着与发包方就设置BSPDN的讨论取得进展，日程也逐渐具体化。

背光是一项前所未有的创新技术。要想驱动半导体，就需要电力，因此过去是将电源线放在晶片上，在上面画电路。

但是随着电路的小型化，将电路和电源线刻在一边变得困难了。另外，如果电路间隔变窄，就会产生干涉，对半导体性能产生不良影响。背面电源供应克服了这一局限性，因为将电源线放置在晶片背面，将电路和电源空间分离。由于可以同时提高能源效率和半导体性能，因此，不仅是三星电子，台湾半导体、英特尔等晶圆企业也在摸索攻击性的技术开发。日本的东京电子公司（tel）和奥地利的ev group （evg）提供bspdn实现装置。

三星电子的后台办公适用时间和目标是2027年适用1.4纳米工程，但根据市场需求，日程可能会有所推迟。三星计划在确保需求后，将bspdn应用到2nm工程中。

三星电子有关负责人表示：“今后电力半导体的量产时间可能会根据顾客的日程发生变化。”三星电子的目标是，到2025年批量生产比1.4纳米领先的2纳米工程。据悉，三星电子目前正在对背面电源技术的应用进行顾客需求调查。

随着三星电子公开双面电力调配计划，预计转包企业的技术力领先竞争将愈演愈烈。目前三家公司占支配地位。被选为白波技术的领先者的英特尔计划在2024年以英特尔20a（2纳米级）工程批量生产应用该技术的半导体。英特尔还制造了自己的技术品牌powerbia，强调了背面电源供应技术的优秀性。台积电计划到2026年为止，在2纳米以下的工程上也适用该技术。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

半导体

半导体

+关注

关注
334

文章
27286

浏览量
218028
三星电子

三星电子

+关注

关注
34

文章
15859

浏览量
180979
晶圆

晶圆

+关注

关注
52

文章
4890

浏览量
127929

2nm突围，背面供电技术的首个战场

高端芯片下一轮实现PPA全面提升的关键。目前绝大多数晶圆厂已经确定了GAA这一晶体管架构上改变，然而在背面供电何时投入应用上，头部三大晶圆厂却没那么坚定。

发表于 06-14 00:11 •3647次阅读

2<b class='flag-5'>nm</b>突围，<b class='flag-5'>背面</b><b class='flag-5'>供电</b><b class='flag-5'>技术</b>的首个战场

Rapidus计划建设1.4nm工艺第二晶圆厂

近日，日本先进芯片制造商Rapidus的社长小池淳义透露了一项重要计划。据日媒报道，小池淳义在陪同日本经济产业大臣武藤容治视察Rapidus正在北海道千岁市建设的2nm晶圆厂IIM-1时表示，若2nm制程的量产进展顺利，Rapi

发表于 10-28 17:17 •294次阅读

三星电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

相变存储器（ePCM）。在FD-SOI领域，三星已经深耕多年，其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI

发表于 10-23 11:53 •267次阅读

<b class='flag-5'>三星</b>电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要<b class='flag-5'>工艺</b>

Rapidus计划2027年量产2nm芯片

Rapidus，一家致力于半导体制造的先锋企业，正紧锣密鼓地推进其2027年量产2nm芯片的计划。然而，这一雄心勃勃的目标背后，是高达5万亿日元（约合336亿美元）的资金需求。

发表于 10-14 16:11 •319次阅读

三星加速2nm及1.4nm制程投资

三星正加速其在先进制程领域的投资步伐，计划于明年第一季度在平泽一厂的“S3”代工线建成一条月产能达7000片晶圆的2nm生产线。此举标志着三星在推进其

发表于 10-11 16:09 •312次阅读

三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm

三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露，三星计划在2024年率先推出基于1c

发表于 09-09 17:45 •601次阅读

三星BSPDN技术引领芯片创新：尺寸缩减17%，能效提升15%

在近日举行的西门子EDA论坛2024首尔站上，三星电子晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁Lee Sun-Jae向业界展示了其革命性的背面供电网络（BSPDN）

发表于 08-26 09:46 •819次阅读

台积电正积极研发并推广背面供电网络(BSPDN)方案

7月4日最新报道指出，台积电正积极研发并推广其创新的背面供电网络（BSPDN）方案，尽管该方案在实施复杂度和成本上均面临挑战，但预计将于2026年实现量产。当前，台积电的核心竞争力之一

发表于 07-05 11:50 •607次阅读

三星展望2027年：1.4nm工艺与先进供电技术登场

在半导体技术的竞技场上，三星正全力冲刺，准备在2027年推出一系列令人瞩目的创新。近日，三星晶圆代工部门在

发表于 06-21 09:30 •393次阅读

三星与新思科技携手，备战2nm工艺量产

在全球半导体行业迈向更高精度和更小尺寸的征途上，三星与新思科技近日宣布了一项重要的合作。这一合作旨在确保三星的2nm制造工艺能够顺利实现量产，并在市场中占据领先地位。

发表于 06-20 09:22 •490次阅读

三星公布最新工艺路线图

： 1. **新节点和技术进展**：三星宣布了两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一种2nm工艺，采用背面电源输送网络（

发表于 06-17 15:33 •381次阅读

三星SDI计划在2027年量产全固态电池

三星SDI近日宣布，他们计划于2027年实现全固态电池的量产，以适应电动汽车市场日益增长的需求。这一雄心勃勃的目标表明，该公司正积极投身于下一代电池

发表于 03-06 11:19 •911次阅读

英特尔发力18A工艺节点，力图超越三星跃升全球第二大晶圆代工厂

该美大型芯片厂商正在积极推广旗下Intel 18A（1.8nm级）工艺节点，并出示多种惠及客户的策略；近期，英特尔进一步发布新的Intel 14A（1.4nm级）工艺节点，宣布采用该节

发表于 02-26 14:40 •930次阅读

三星携手高通共探2nm工艺新纪元，为芯片技术树立新标杆

三星与高通的合作正在不断深化。高通计划采纳三星代工工厂的尖端全栅极（GAA）工艺技术，以优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。

发表于 02-25 15:31 •875次阅读

三星与Arm携手，运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能

三星继续推进工艺技术的进步，近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA

发表于 02-22 09:36 •655次阅读

搜索历史

三星计划2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术

评论

2nm突围，背面供电技术的首个战场

Rapidus计划建设1.4nm工艺第二晶圆厂

三星电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

Rapidus计划2027年量产2nm芯片

三星加速2nm及1.4nm制程投资

三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm

三星BSPDN技术引领芯片创新：尺寸缩减17%，能效提升15%

台积电正积极研发并推广背面供电网络(BSPDN)方案

三星展望2027年：1.4nm工艺与先进供电技术登场

三星与新思科技携手，备战2nm工艺量产

三星公布最新工艺路线图

三星SDI计划在2027年量产全固态电池

英特尔发力18A工艺节点，力图超越三星跃升全球第二大晶圆代工厂

三星携手高通共探2nm工艺新纪元，为芯片技术树立新标杆

三星与Arm携手，运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能