三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片-德赢Vwin官网网

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

据《电子时报》报道，三星电子为了巩固在nand闪存市场上的领先地位，再次适用双线程技术，制造出300段以上的3d nand，试图在成本竞争上甩开竞争公司。

最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。

最近，sk海力士公布了到2025年批量生产321段3d nand的计划。对此，不仅是三星，就连业界专家也表示惊讶。sk海力士与三星的不同之处是使用了“三重stack”技术，即，将3个三维nand独立层堆砌成120段、110段、91段后，再制造成一个芯片。

去年10月举行的“三星techno day 2022”上公布了到2030年建设1000层的蓝图。当时业界专家预测说，三星在第9代3d nand之后的第10代430段产品上也将适用三重线程技术。

国内nand业界有关负责人一致表示：“如果不使用三重nand，要想积累400段以上3d nand是一个课题。”但是，triple stack技术和double stack技术在费用和效率方面存在相当大的差异。当然，如果使用双开关型工程，在原材料和生产费用方面都有优势。

据悉，三星在内部制定了在第10代3d nand上适用三重slagle工程的技术发展蓝图。另外，为加强成本竞争力，正在与东京电子（tel）等半导体设备企业进行密切合作。

业界相关人士表示：“由于存储器事业的严重停滞，危机感增大的三星最近的三维nand配置战略，可以看作是2024年存储器市场恢复的关键阶段。”

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

NAND

NAND

+关注

关注
16

文章
1681

浏览量
136117
存储器

存储器

+关注

关注
38

文章
7484

浏览量
163759
多线程技术

多线程技术

+关注

关注
0

文章
12

浏览量
8557
三星

三星

+关注

关注
1

文章
1521

浏览量
31203

预期提前，铠侠再次加速，3D NAND准备冲击1000层

德赢Vwin官网网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产

发表于 06-29 00:03 •4505次阅读

【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-

发表于 12-17 17:34

三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三

发表于 09-12 16:27 •567次阅读

三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

近日，据韩国媒体报道，全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存（HBM）的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年

发表于 06-19 14:35 •964次阅读

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上，三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑：三星已与其他公司合作，成功研发出16层

发表于 05-29 14:44 •791次阅读

3D NAND闪存来到290层，400层+不远了

德赢Vwin官网网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、

发表于 05-25 00:55 •3734次阅读

三星电子研发16层3D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

在今年的IEEE IMW 2024活动中，三星DRAM业务的资深副总裁Lee指出，已有多家科技巨头如三星成功制造出16层3D DRAM，其中

发表于 05-22 15:02 •851次阅读

三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，采用290层双重堆叠技术

作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代

发表于 04-28 10:08 •753次阅读

三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录

三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND

发表于 04-18 09:49 •668次阅读

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D

发表于 04-17 15:06 •599次阅读

三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

在Memcon 2024上，三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用，实现性能提升；

发表于 04-01 15:43 •586次阅读

三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12

发表于 03-27 09:30 •847次阅读

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。

发表于 02-01 10:35 •781次阅读

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子，全球领先的存储芯片制造商，近日宣布在美国设立新的研究实验室，专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA)，负责

发表于 01-30 10:48 •733次阅读

三星开发裸眼3D游戏显示器

在2024年的国际消费电子展（CES 2024）上，三星展示了一款令人惊艳的裸眼3D游戏显示器。这款显示器独特之处在于，用户无需佩戴任何可穿

发表于 01-09 15:36 •914次阅读

搜索历史

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

评论

预期提前，铠侠再次加速，3D NAND准备冲击1000层

【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

3D NAND闪存来到290层，400层+不远了

三星电子研发16层3D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，采用290层双重堆叠技术

三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录

三星即将量产290层V-NAND闪存

三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星开发裸眼3D游戏显示器