国芯思辰|2.4GHz频段GC1103可用于RFID标签芯片模拟射频前端设计
射频识别(RFID)是在数据的存储装置与读写器之间的一种非接触式数据接收与传输的技术。是以无线通信理论和大规模半导体集成电路技术为基础，利用电磁波的空间耦合来提供电子标签芯片工作所需要的能量，从而驱动芯片向阅读器发射其内部存储的唯一编码信息或者是将新的信息写入芯片的存储器中。
与传统的识别技术比起来，射频识别具有操作简单方便，整个过程不用人为的干涉、可在很短时间内读取多个标签信息、可工作在较差的环境中等众多优点，现在己经在交通运输管理和控制、商品和货物的流通、特定场所的安全性控制等方面起到了非常重要的作用。不仅如此，当射频识别技术在与互联网和通讯技术互相结合后将会在很大的程度上扩展该技术的功能。
不过针对不同领域的RFID应用，芯片的功能会有一定程度上的差异，但整个标签芯片的大体结构主要还是由四个部分组成（如上图所示），分别是天线、射频前端、vwin 前端、数字基带处理器、存储器等，其射频前端芯片推荐使用地芯科技GC1103，该芯片可用于BT/ZIGBEE等2.4GHz频段的发射接收。
GC1103是采用CMOS工艺实现的单芯片器件，其内部集成了射频功率放 大器（PA），低噪声放大器（LNA），带通滤波器以及芯片收发开关控制电路。常规应用主要包括工业控制自动化，智能家居和符合RF4CE协议的射频系统中，由于该芯片有非常优越的性能，高灵敏度和效率，低噪声，小尺寸以及低成本，使得GC1103对于扩展范围跟带宽的应用而言是一种完美的解决方案。
射频前端GC1103芯片特性：
•2.4GHz高功率单芯片射频前端集成芯片；
•输入输出端口匹配到 50-Ohm；
•集成+22dBm 输出功率功率放大器(PA)；
•集成 3dB 噪声系数低噪声放大器(LNA) ；
•集成带通滤波器为节能发射或低接收增益的应用；
•发射/接收开关切换电路；
•所有端口的 ESD 保护电路；
•封装采用QFN-16(3x3x0.75mm)；
在设计系统方案时GC1103的CMOS功能控制逻辑电路非常简单，功耗低，仅用少量的外围器件就可以非常方便系统的进行整体集成设计，可见GC1103非常适用于RFID标签芯片，国芯思辰还可提供相关的技术支持。
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