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ROHM100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻

近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下，ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品，如果替换掉两枚单MOSFET（仅内置1枚芯片的TO-252封装），可以减少77%的安装面积。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个（样品价格550日元/个，不含税）的规模投入量产。

目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

产品阵容

Nch+Nch 双MOSFET

Nch+Pch 双MOSFET

*预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

应用示例

✔ 通信基站用风扇电机

✔FA设备等工业设备用风扇电机

✔数据中心等服务器用风扇电机

通过与预驱动器 IC相结合,

为电机驱动提供更出色的解决方案

ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的（找元器件现货上唯样商城）单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

与100V耐压双MOSFET相结合的示例

HT8KE5（Nch+Nch 双MOSFET）和

BM64070MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）

HP8KE6（Nch+Nch 双MOSFET）和

BM64300MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）等

电机用新产品的规格书数据下载页面

从ROHM官网可以下载包括新产品在内的低耐压、中等耐压和高耐压MOSFET的规格书。

术语解说

*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构，被用作开关器件。

*2）Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏极与源极之间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

*3）导通电阻（Ron）

使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。

审核编辑黄宇

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