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同步整流MOSFET的选择,FHL300N1F2A场效应管更提升整流效率!

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2023-09-23 11:22 次阅读

同步整流MOSFET作为一种高效的整流器件,在电源适配器、直流稳压电源、电动汽车充电桩等场景均有应用。其对比二极管整流电路是更稳定、高效以及可控的。

既然同步整流MOSFET能够实现高效率的整流,提供稳定的直流输出。那选择一款优质可替代IPT020N10N5型号参数的国产化mos管应该是非常重要的。

既然效率这么好,在国内能有什么优质MOS管使用呢?除市场中的IPT020N10N5参数型号,我们还是选择飞虹半导体的FHL300N1F2A型号场效应管。

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为何?因为FHL300N1F2A型号场效应管具备以下特点:

1、低导通内阻:支持更小的阻抗和更大的峰值电流

2、100% EAS测试

3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)

4、100% Rg测试

5、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。

通过上述描述可知,这一款工业级的300A、100V电流、电压的FHL300N1F2A场效应管型号参数是很适合使用在同步整流电路中。

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当然在同步整流的应用中,我们电力工程师一定要了解这款优质FHL300N1F2A国产场效应管的详细参数:其具有300A、100V的电流、电压, RDS(on) = 2.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =1.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。

FHL300N1F2A是一款N沟道增强型场效应晶体管,FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有低封装内阻、小体积、低热阻、低寄生电感等特点。

FHL300N1F2A的具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):300A;BVdss(V):100V。

静态导通电阻(typ):1.6mΩ、最大脉冲漏极电流(IDM ):1200(A)、反向传输电容:328pF。

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如果您在考虑将传统的二极管整流电路调整成同步整流MOSFET形态的电路,又想在国产化优先考虑的话,建议可以选择优质的FHL300N1F2A场效应管代换IPT020N10N5参数型号用于同步整流电路。

100V、300A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于同步整流电路中,还可用于新能源电动车、音响功放、UPS等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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原文标题:同步整流MOSFET的选择,FHL300N1F2A场效应管更提升整流效率!

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