10月10日,包头市人民政府与北京世纪金光半导体有限公司在包头市正式签署“年产70万片6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。
据科创包头透露,该计划将在包头、北京科创基地合作引进计划落地包头市青山区装备制造产业园区总投资34.57亿韩元。建设总事业建设周期将在3年正式启动时,每年要投入能够同时容纳70万6-8英寸单晶衬底生产线的碳化硅芯片和研磨加工和检查等。
北京世纪金色半导体有限公司是宽3代禁止携带半导体功能材料和功率器件开发和生产的企业,创新的解决了高纯碳化硅粉末材料提纯技术,6英寸碳化硅制造技术,高压低导通电阻碳化硅sbd mosfet结构和工艺设计技术等。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
455文章
50711浏览量
423104 -
单晶
+关注
关注
1文章
61浏览量
14095 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2748浏览量
49014
发布评论请先 登录
相关推荐
晶升股份研发出可视化8英寸电阻法SiC单晶炉
10月26日,晶升股份凭借其在碳化硅领域的创新技术引起了市场关注。据“证券时报”报道,晶升股份已成功研发出可视化的8英寸电阻法SiC单晶炉,该设备能将碳化硅晶体的生长过程变得透明化,
合盛新材料8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
合盛硅业旗下宁波合盛新材料有限公司近日传来振奋人心的消息,其8英寸导电型4H-SiC(碳化硅)衬底项目已圆满实现全线贯通,标志着公司在第三代
全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级
随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加大投入,积极布局这一新兴产业。
国内8英寸SiC工程片下线!降本节奏加速
制造等产线扩张;另一部分是源自过去十多年时间里,SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸,加上良率的提升。 更大的
捷捷微电8英寸功率器件项目签约
近日,捷捷微电宣布其8英寸功率半导体器件芯片项目正式签约,落户苏锡通科技产业园区。作为功率(电力)半导体器件的领军制造商和品牌运营商,捷捷微电集研发、制造、封测、销售与服务为一体,展现
杭州士兰与厦门半导体等联手投资8英寸SiC功率器件项目
本次合作四方预计将在位于厦门市海沧区的厦门士兰集宏半导体有限公司进行合资运营,主要目的是建造一座每月能生产6万片以SiC-MOSEFET为主导产品的8英寸
合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单,产能将大幅提升
据了解,世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破,成功开发出可重复生长出4H晶型、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体的
新质生产力赋能高质量发展,青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备!
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合
Wolfspeed 8英寸SiC衬底产线一期工程!总投资超350亿
美国时间3月26日,Wolfspeed在官网宣布,他们的第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式,Wolfspeed总裁兼首席执行官 Gregg Lowe、参议员Tho
8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个
河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉!
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
评论