关于高数值孔径EUV和曲线光掩模等灯具的讨论-德赢Vwin官网网

半导体芯科技编译

来源：Silicon Semiconductor

eBeam Initiative已完成第12届年度eBeam Initiative杰出人物调查。

来自半导体生态系统（包括光掩模、电子设计自动化（EDA）、芯片设计、设备、材料、制造和研究）的47家公司的行业知名人士参与了今年的调查。

80%的受访者认为，到2028年，将有多家公司在大批量制造（HVM）中广泛采用高数值孔径EUV光刻技术，与去年调查中报告的比例相同。此外，与去年的调查相比，对前沿掩模商能够处理曲线掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人预测前沿掩模至少可以处理有限数量的曲线掩模。

今年的杰出人物调查中增加了新问题，评估人们对EUV和非EUV前沿掩模和图案的看法。70%的人表示曲线逆光刻技术（ILT）对于非EUV前沿节点非常有用，而75%的人同意2纳米、0.33 NA EUV需要该技术。预计通过光化测试检查EUV掩模的百分比将在三年内翻一番，从2023年的加权平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模写入机来写入EUV掩模。

近日，专家小组在与加州蒙特雷SPIE光掩模技术 + EUV光刻会议联合举办的eBeam Initiative活动中讨论灯具调查的完整结果。

杰出人物调查（2023年7月进行）的其他亮点

• 83%的受访者预测，2023年掩模收入将增加或保持不变，尽管SEMI预测掩模市场将收缩3%

• 82%的人预测，到2027年，高数值孔径EUV将首先用于HVM

• 71%的人认为，高数值孔径EUV的最小掩模尺寸将为20 nm或以下

• 大多数受访者预测，未来三年用于多光束掩模写入机（77%）和掩模检测（63%）的仅193i设备采购量将会增加

• 83%的受访者认为，“非EUV前沿”（193i光刻达到经济可行性实际极限的节点）在>5 nm 至14 nm范围内

eBeam Initiative的管理公司赞助商D2S首席执行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物调查的参与者是一群独特的半导体内部人士，他们对塑造该行业的市场和技术趋势有着敏锐的洞察力。在过去几年中，调查指出曲线ILT的使用增加是EUV和193i的主要趋势。今年的调查结果表明，人们对曲线掩模（包括非EUV 前沿节点）仍然充满信心，并且存在在更关键层使用ILT的趋势。得益于多光束掩模写入和GPU加速，现在可以实现曲线掩模。曲线掩模展示了诸如工艺窗口增加高达100%等优势，表明它们可以成为将当前光刻技术扩展到更先进节点的解决方案的一部分。”

审核编辑黄宇

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