工业仪表的变送器中广泛使用4_20mA电流环来传输测量信号,电流信号相比电压信号更不容易被干扰,最小值为4mA而不为0mA,主要是便于检测传输系统是否存在断线损害的故障,在4_20mA电流环信号上还可以叠加数字信号,就形成了工业Hart通信协议。
4-20mA系统的现成芯片现在很多,比如TI/ADI都有,我们现在研究其电路结构原理,主要是为了更好地体会电路设计的精髓和为特殊应用设计所用,除了4-20mA还有系统使用0-24mA,保不齐将来你会使用5-25mA,这类特殊应用可没有现成芯片可用了!
这类应用就是电压转电流的电路,电路结构很多,这里只列举两个经典设计,从中看看隐藏的电路设计秘籍
一、经典设计1
上图是原理性电路,电路中除了存在负反馈R1/R2外,还有 正反馈R3/R4/RS ,这个正反馈用在线性电路里可能是有些人没想到的,一般印象中正反馈都是在自激振荡中使用,其实正反馈在非自激振荡电路中一样可以使用,只有电路整体负反馈大于正反馈,电路就不会自激振荡,此电路参数选择比较关键,见以下分析。
对于输出端的电压负反馈,其可以降低输出阻抗为ro/(1+AF),当系统是正反馈且没有自激时,输出阻抗为ro/(1-AF),不自激振荡意味着输出阻抗不为负阻抗还是正阻抗,即1-AF>=0,由于AF为正,可见1-AF应该是个小数,则意味着ro/(1-AF)>>ro,即正反馈引入后,只要参数设计合适不自激振荡,对于输出端的电压反馈会导致输出阻抗增加,最极端的情况就是1-AF=0,导致输出阻抗无穷大,成为了真正的恒流源,这正是我们做电压电流转换最希望的,输出电流不随负载阻抗变化,真正的恒流源!以上经典电路是否如此?可以简单推导一下:
输出电流公式和输出阻抗公式推导:
可见,R1R4+R1R5=R2R3时,理论上输出阻抗为无穷大,是真正恒流源了。
负载电阻RL不能太大,Vom>=(Rs+RL)Iout => RL<=(Vom/Iout)-Rs,其中Vos是运放输出的最大电压,Iout是运放输出的最大电流;虽然R3R4+R1Rs-R2R3=0时,理论上该结构的输出阻抗非常大,但是运用时受运放最大输出电压和电流限制,其负载阻抗不能过大。
1)下图是负载电阻扫描的分析结果:
负载电阻从1k变到4k欧姆,从下图结果看输出电流变化在1uA左右,非常稳定,说明电路基本等效为恒流源,输出内阻非常高,从反馈角度说就是有正反馈存在的原因,此仿真用的是实际运放NE5532:
2)以下再对参数做一下灵敏度分析 ,看看哪个因素对电流稳定度影响最大,由于这次分析负载电阻固定,我们直接分析负载电阻R7的端电压V(9)的灵敏度:
以下是结果:
可见电压V2/V3的影响最小为0,R7为-1.52989mV/欧姆,V1的影响为-509.97235mV/V,此结果对吗?我们手工分析计算一下:
a) 根据前述可得流过R7负载的电流为Iout=-{(R2+R6)/[R1*R5]}V1=-1.53mA,而负载电阻R7的端电压V(9)=IoutR7,所以其灵敏度应该是-1.53mV/欧姆,仿真结果完全正确!
b) Iout=-{(R2+R6)/[R1R5]}V1=-0.51mAV1=> 负载电阻R7的端电压V(9)=IoutR7=-0.51mA1kV1=-0.51*V1,所以相对V1的灵敏度为-0.51v/v=-510mv/v,仿真结果完全正确!
**c) **此电路中R5的影响较大
以上只是原理性电路,下图是实际电路:
- Q1是运放扩流,满足20mA以上的输出电流要求
- 先在V1=0时,调整R9和R6,主要是调整R9使输出电流为4mA
- 再在V1=10v时,调整R12和R6,主要是调整R12使输出为20mA
- 以下是负载从100欧姆变化到500欧姆时的输出电流仿真结果:
最大偏差在0.1mA,这主要是因为R6电阻没有完全调平衡,这也是此电路调整上的缺点。
二、经典设计2
以下电路采用了MOSFET和电流镜原理:
先看看仿真效果:
稳定度高的有点让人怀疑。此电路的最大特点就是使用了MOS管和电流镜像,R1/R11/运放U1A/C1构成了电流镜读取电路,还记得我们在以前推文中介绍的电压镜像读取电路吗?如下绿色部分:
两者是不是有异曲同工之妙,其中电容C1是负反馈的相位超前补偿网络,避免系统自激振荡的 。这种由对称元件构成的电压/电流镜像读取电路在vwin 电路中很常用 ,它可以避免普通读取电路的负载效应,可以实现无影响的高性能读取!
三、小结
通过分享两个经典的4-20mA电路设计电路,可以体会:
- 正反馈在线性电路的应用,正反馈不光是构成自激振荡,在输出端电压正反馈可以极大地提高输出阻抗,以后我们还会分享在输入端正反馈提高电路输入阻抗的例子,那是可以用在微弱信号检测电路上的。
- 电流镜像读取电路与电压镜像读取电路的结构和应用特点
- mosfet和晶体管扩流应用
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