串并联阻抗的等效互换
本期先补充学习一下本科课程中讲到的串并联阻抗的等效互换（虽然很简单，但重点是在工程中怎么用这个知识点），随后以LC-tank PLL中的电容阵列为例，介绍如何通过Spectre中的sp仿真，得到电容阵列的Y参数，并分离出等效并联电容（Cp）及并联电阻（Rp），进而精确评估LC振荡器的振荡频率。
**1. **串并联阻抗等效互换
电阻R和电抗X的串并联形式如图1所示。
Fig1. 电阻R和电抗X的串联形式和并联形式
为了使电路在谐振频率附近能够相互等效，这两个电路的回路阻抗必须相等，即
上式中的虚部和实部分别相等，得
，
Xs与Xp的电抗特性保持不变，通常Xs和Xp都是电感或电容。考虑到串联电路的有效品质因子为
，
Rs与Rp的关系为
p与Xs的关系为
结论：串联电路转换为等效并联电路后，电抗Xp的性质与Xs相同，在Qs较高的情况下，其电抗X基本保持不变，而并联电路的电阻Rp比串联电路的电阻Rs增大了约Qs^2^倍。
**2. **应用背景
Xilinx在2018 ISSC会议上发表了一篇应用于RF-Data-Converter中的PLL，其10k~10MHz的积分噪声只有54fs，LC-VCO结构如图2所示。
Fig2. Xilinx 54fs PLL中的LC-VCO框图
Xilinx 54fs PLL Paper: A 7.4-to-14GHz PLL with 54fsrmsJitter in 16nm FinFET for Integrated RF-Data-Converter SoCs
电容阵列（Cap Array Unit）如图2所示，电容阵列权重为1:2:4:8:16:32。该电容阵列的好处是在Sel为低电平时使得M1管AB两点电位为高电平，保证M1管Drain Source到Psub的寄生Diode处于反偏状态，反偏时M1管的寄生电容较小，这样可以提高LC-VCO的振荡频率。
第三章介绍如何通过sp仿真得到电容阵列的Cp和Rp，进而准确算出LC-VCO的振荡频率。
3. Y参数仿真
在Cadence上搭建图2所示LC-VCO的电容阵列（近似），如图3所示：
Fig3. LC-VCO电容阵列
Y参数仿真的test bench如图4所示
Fig4. Y参数仿真test bench
sp仿真时Y参数或Z参数的表达式：
Y参数：Y(s)=1/Rp+X(s)
Z参数：Z(s)=Rs+1/X(s)
Cp公式:deriv((imag(ypm('sp 1 1)) / 2 / 3.1415926 ))
Rp公式:(1 / real(ypm('sp 1 1)))
Cs公式:deriv((1 / imag(zpm('sp 1 1)) / 2 / 3.1415926 ))
Rs公式:real(zpm('sp 1 1))
通过sp仿真，当V1等于1或0时可分别得到电容阵列的Rpon、Cpon和Rpoff、Cpoff（on代表开，off代表关），电容阵列后仿真结果如图5和图6所示
Fig5. 电容阵列Cpon和Rpon后仿结果
Fig6. 电容阵列Cpoff和Rpoff后仿结果
注：LC-VCO通常关心电感、可变电容、电容阵列的等效Rp和Cp而不是Rs和Cs，这样方便计算振荡频率，Rp往往会限制振荡器起振，Cp往往决定振荡频率，设计时应仔细考虑。
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