国巨推出新款薄膜氮化钽晶片电阻-NT系列
全球被动元件领导厂商-国巨集团，推出新款薄膜氮化钽晶片电阻-NT系列。
NT系列产品具备抗湿、抗硫、高精密度、高稳定表现的特性，外壳尺寸从0402到1206 ，电阻范围为100Ω-481KΩ，具有±0.1％、±0.25％、±0.5％及±1 ％的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低温度特性(TCR)，额定功率值为1/20 W-2/5 W。
NT系列拥有自生成钝化层，形成不透湿的介面使其包覆性的覆盖电阻，因此水气不易从外部渗入。多了钝化层的保护，使得NT系列能在严苛的环境始终保持电阻的高稳定性，适用于医疗、航太、电信通讯、工业、测试和量测领域。
特色及可靠性测试标准
符合AEC-Q200车用标准
优异地抵抗含硫与高湿度环境
高精度和稳定性
低温度特性(TCR)及低电噪声
高／低温循环试验: ΔR/R ±0.1%
抗硫化试验(105°C, 750小时硫化测试环境): ΔR/R ±2%
寿命／耐久度试验(70°C)：ΔR/R ±0.1%
高温高湿试验 (85°C/85% RH): ΔR/R ±0.1%
审核编辑：彭菁
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原文标题：国巨推出具备抗湿、抗硫特性的氮化钽薄膜、高精度电阻 - NT系列
文章出处：【微信号：YAGEO国巨电子，微信公众号：YAGEO国巨电子】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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